VH501TC 提供多種振弦傳感器激勵方法，以最大限度兼容所有廠家和型號的振弦傳

感器。振弦傳感器激勵方法參數(shù)位于實時數(shù)據(jù)窗口右側(cè)，共有5 種方法可選，分別用

MODTH0~MODTH4 表示。各方法說明如下：

激勵電壓數(shù)據(jù)在屏幕上顯示為xxx/xxx 的形式，其中前面的數(shù)字表示實際的激勵電

壓，后面的數(shù)字表示激勵電壓源電壓VSEN。高壓脈沖激勵和低壓掃頻激勵方法所使用

的電源均來自于VSEN，相對來說，使用比較高的 VSEN 時能得到更好的傳感器信號，但

有些傳感器必須使用比較低的VSEN 電壓才會得到穩(wěn)定的頻率數(shù)據(jù)。

VH501TC 有兩個版本，當需要修改激勵方法或者激勵電壓源時，若設備背面有兩個

旋轉(zhuǎn)開關(guān)，則直接旋轉(zhuǎn)開關(guān)即可；若沒有旋轉(zhuǎn)開關(guān)時需要用上述操作按鍵的方法進行參

數(shù)修改。激勵方法旋轉(zhuǎn)開關(guān)的檔位含義與上表相同，激勵電壓旋轉(zhuǎn)開關(guān)的檔位0~15 表

示設置VSEN 為 0~15V（前 5 檔固定為 5V）。

注意：建議VSEN 的電壓不要超過 12V，推薦設置為 5~8V。如果 VSEN 電壓設置太

高，測量某些小阻值（小于200 歐姆）傳感器時會有傳感器或者設備損壞的危險。

在使用過程中，應注意觀察顯示于屏幕中的振弦信號質(zhì)量值，針對某類或者某些傳

感器，不同的激勵方法對信號質(zhì)量影響會很大，激勵方法的切換和使用應以信號質(zhì)量最

高為選取標準。

審核編輯 黃昊宇