NP3416EMR(20V N溝道增強(qiáng)模MOSFET)
1.描述
NP3416EMR采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)提供出色的RDS（開啟）、低柵極電荷和柵極電壓低至1.8V時(shí)工作。這個(gè)裝置適用于負(fù)載開關(guān)或PWM申請(qǐng)。
2.一般特征
* VDS=20V，ID=7A
RDS(ON)（典型值）=17.3 MΩ@VGS=2.5V
RDS(ON)（典型值）=13.6 mΩ@VGS=4.5 V
（1）高功率和電流處理能力
* 獲得無(wú)鉛產(chǎn)品
* 表面貼裝封裝
·ESD額定值：3500V HBM
3.應(yīng)用程序
* PWM應(yīng)用
* 負(fù)荷開關(guān)
4.包裝
SOT-23-3L
5.示意圖
審核編輯 黃昊宇
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