隨著新的應(yīng)用領(lǐng)域和市場(chǎng)的出現(xiàn),近年來(lái)全球電力需求猛增,使得節(jié)能成為設(shè)備設(shè)計(jì)的重要方面。這使得高效逆變器電路和轉(zhuǎn)換器必不可少,特別是對(duì)于需要高功率轉(zhuǎn)換的電源和驅(qū)動(dòng)器。
隨著實(shí)現(xiàn)高效率的需要,減小器件尺寸的挑戰(zhàn)也增加了。這種降低通常是通過(guò)提高工作頻率來(lái)實(shí)現(xiàn)的。反過(guò)來(lái),這種增加需要更復(fù)雜的驅(qū)動(dòng)器和優(yōu)化碳化硅 (SiC) MOSFET 或 IGBT 的驅(qū)動(dòng)電壓。
在減小器件尺寸的同時(shí)提高效率的目標(biāo)增加了對(duì)高性能功率器件和柵極驅(qū)動(dòng)器的需求。因此,預(yù)計(jì) SiC 功率器件的市場(chǎng)將擴(kuò)大,它體現(xiàn)了高效率,并在新一代逆變器中越來(lái)越受歡迎。SiC 二極管已經(jīng)用于電源和大功率逆變器的功率因數(shù)校正 (PFC) 電路中,并且 SiC MOSFET 越來(lái)越多地用于開(kāi)關(guān)應(yīng)用。SiC MOSFET 可通過(guò)實(shí)現(xiàn)高速開(kāi)關(guān)以及故障保護(hù)和配置的電路布局來(lái)降低柵極控制電路中產(chǎn)生的噪聲,從而提高逆變器效率。
Tamura 柵極驅(qū)動(dòng)器模塊 Tamura
在磁路領(lǐng)域具有核心競(jìng)爭(zhēng)力,在開(kāi)發(fā) SiC/IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器模塊 (GDM) 方面擁有多年經(jīng)驗(yàn)。該公司的目標(biāo)是設(shè)計(jì)高度集成的設(shè)備,例如模塊,而不是單個(gè)組件。這些模塊簡(jiǎn)化了電路設(shè)計(jì),因?yàn)樗鼈儽举|(zhì)上是即插即用的:根據(jù) Tamura 的說(shuō)法,設(shè)計(jì)人員只需要定義輸入和輸出信號(hào),其他一切都由模塊內(nèi)部執(zhí)行。
柵極驅(qū)動(dòng)器模塊的一個(gè)顯著特點(diǎn)是柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)使用磁耦合傳輸,這是 Tamura 擁有豐富經(jīng)驗(yàn)的技術(shù)。它的模塊有獨(dú)立版本(“驅(qū)動(dòng)模塊”)和連接器板(“驅(qū)動(dòng)單元”),能夠安裝在任何制造商的相應(yīng)電源模塊上。Tamura 希望優(yōu)化其模塊的占地面積和外形,并最近推出了將更大的變壓器換成平面等效物的設(shè)備。據(jù)該公司稱(chēng),改用平面變壓器將絕緣電壓提高到 5 kV。
大多數(shù)模塊的額定最大輸出功率約為 150 kW,但也可提供能夠提供高達(dá) 1 MW 的“4in1”驅(qū)動(dòng)單元。第一代(最高 1,200V)產(chǎn)品包括驅(qū)動(dòng)模塊和驅(qū)動(dòng)單元。第二代(最高 1,700V)器件還包括三電平 DC/DC 轉(zhuǎn)換器和 4 合 1 驅(qū)動(dòng)器單元。
根據(jù)具體應(yīng)用,設(shè)計(jì)人員可以決定是圍繞 DC/DC 轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)一個(gè)完整的驅(qū)動(dòng)器,還是使用 2in1 解決方案(模塊和驅(qū)動(dòng)器單元)。Tamura 表示,其一體化解決方案節(jié)省了完整設(shè)計(jì)活動(dòng)所需的時(shí)間和成本,該公司還引用了其模塊的其他優(yōu)勢(shì)。
例如,假設(shè)共模噪聲存在問(wèn)題,我們希望消除由它引起的任何故障。一個(gè)典型的解決方案是提高 dV/dt,但這需要低寄生電容。Tamura 模塊的雜散電容非常低(2DD 系列為 9 pF,2DMB 系列為 12 pF),因此可以抑制由高 dV/dt 引起的共模噪聲,防止由于噪聲傳播到輸入側(cè)而導(dǎo)致設(shè)備故障和其他渠道。
圖 1:軟關(guān)斷保護(hù)(圖片:Tamura)
根據(jù) Tamura 的說(shuō)法,即使在更高的開(kāi)關(guān)頻率下,驅(qū)動(dòng)器電路的內(nèi)部阻抗也非常低,僅為 50 mΩ 或更低;因此,開(kāi)關(guān)速度不受柵極阻抗的影響。小型模塊封裝適合大多數(shù)功率模塊類(lèi)型的占位面積,使設(shè)計(jì)人員在安排模塊布局時(shí)具有一定的自由度,以最大限度地提高效率并最大限度地降低噪聲。Tamura 設(shè)計(jì)了自己的平面變壓器,適用于 1,700-V 模塊系列。
該公司的 GDM 包括多種保護(hù)模式,例如軟關(guān)斷。如圖 1所示,通過(guò)在軟關(guān)斷引腳上添加一個(gè)電阻,可以定義關(guān)斷時(shí)間。
GDM 中的米勒鉗位功能可防止具有低閾值電壓和高 dV/dt 的 SiC 功率模塊發(fā)生故障。這種保護(hù)可防止由于連接到輸出引腳的功率器件的米勒電流導(dǎo)致柵極電壓升高。最后,有源鉗位柵極功能可保護(hù)電源模塊免受影響集電極-發(fā)射極電壓 (VCE) 信號(hào)的浪涌影響。
ROHM Semiconductor 已開(kāi)發(fā)出具有集成隔離器的柵極驅(qū)動(dòng)器,可充分利用 IGBT 和 MOSFET 電源的性能。據(jù) ROHM 稱(chēng),BM6104FV 集成了短路保護(hù),而 BM60014FV 的簡(jiǎn)單設(shè)計(jì)加快了產(chǎn)品開(kāi)發(fā)過(guò)程。柵極驅(qū)動(dòng)器采用緊湊型封裝,該公司稱(chēng)這是業(yè)內(nèi)最小的包含隔離器的封裝。這些產(chǎn)品結(jié)合了公司的 Bi-CDMOS 技術(shù)和新的片上變壓器技術(shù)。
去年年底,德州儀器推出了具有集成檢測(cè)功能的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器,適用于 IGBT 和 SiC MOSFET。據(jù) TI 稱(chēng),這些新產(chǎn)品具有先進(jìn)的監(jiān)控和保護(hù)系統(tǒng),并提高了汽車(chē)和工業(yè)應(yīng)用中的整體系統(tǒng)效率。柵極驅(qū)動(dòng)器讓設(shè)計(jì)人員能夠創(chuàng)建特別緊湊的設(shè)計(jì),同時(shí)為牽引逆變器、集成電池充電器、光伏逆變器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等應(yīng)用實(shí)現(xiàn)更高的效率和更高的性能。新器件為 SiC IGBT 和 MOSFET 提供集成傳感功能,簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)并在高達(dá) 1.5 kVrms 的應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)更高的系統(tǒng)可靠性。
Maxim Integrated 的新型 MAX22701E 驅(qū)動(dòng)器具有 300 kV/μs 的高共模瞬態(tài)抗擾度 (CMTI),可延長(zhǎng)系統(tǒng)正常運(yùn)行時(shí)間。雜散脈沖柵極的驅(qū)動(dòng)電路可能會(huì)導(dǎo)致共模瞬變,從而導(dǎo)致短路。控制功率轉(zhuǎn)換器的驅(qū)動(dòng)電路必須設(shè)計(jì)成能承受這些噪聲源。Maxim Integrated 的驅(qū)動(dòng)器專(zhuān)為太陽(yáng)能逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和儲(chǔ)能系統(tǒng)等大功率工業(yè)系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)電源而設(shè)計(jì)。
MAX22701E 與 SiC 和氮化鎵 (GaN) FET 兼容,并具有該公司表示可減少停機(jī)時(shí)間和損耗的技術(shù)規(guī)格。該驅(qū)動(dòng)器采用 8 引腳 3.9 × 4.9mm 窄體小外形 IC 封裝,溫度范圍擴(kuò)展為 –40°C 至 125°C(圖 2)。
圖 2:MAX22701E 框圖(圖片:Maxim Integrated)
英飛凌科技擁有一系列用于高性能電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用的雙通道 EiceDRIVER 集成電路。柵極驅(qū)動(dòng)器適用于服務(wù)器、電信和工業(yè)開(kāi)關(guān)電源中的高壓 PFC 和 DC/DC 級(jí)以及同步研磨級(jí)。其他應(yīng)用包括 48 至 12 V DC/DC 轉(zhuǎn)換器、電池和電動(dòng)汽車(chē)充電站、智能電網(wǎng)和太陽(yáng)能微型逆變器。
EiceDRIVER 系列提供 7 ns 的輸入到輸出傳播延遲精度和 3 ns 的通道到通道精度,支持電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)所需的效率水平。該系列強(qiáng)大的集成電流隔離對(duì)于半橋配置非常重要,無(wú)論是從輸入到輸出還是在輸出通道之間。此外,據(jù)英飛凌稱(chēng),增強(qiáng)型集成輸入到輸出隔離可在需要時(shí)提供電氣安全性。
審核編輯:湯梓紅
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