超級結又稱超結，是制造功率場效應晶體管的一種技術，其名稱最早岀現于1993年。傳統高壓功率MOSFET的擊穿電壓主要由n型外延層和p型體區形成的pn結耗盡區的耐壓決定，又因p型體區摻雜濃度較高，耗盡區承壓主要在外延n-層。為了提高擊穿電壓，通常外延n-層濃度較低、厚度較大，然而摻雜濃度過低和厚度增加都將使功率MOS晶體管的導通電阻增加，這將導致功率轉換工作時的功率消耗增大，帶來極大的功耗浪費。正因這種矛盾的存在，使得傳統高壓功率MOS管的導通電阻受擊穿電壓限制而存在一個極限值，業內稱之為“硅限“（Silicon Limit）。為了突破這一極限，中國科學院陳星弼院士等在1988年至1995年期間分別提出了3種改善漂移層結構的方法，構成了超級結的基本思想，并申請了相應的專利?；谶@3個專利，1997年Takssuhiko等人對超級結思想進行總結，提出了“超級結理論”的概念。超級結MOSFET的結構有很多種，圖中所示為典型傳統功率MOSFET與超級結MOSFET的比較。

從圖中可以看到，與傳統的功率MOSFET不同，超級結MOSFET 在垂直方向上存在深入外延n-層的p型區，這些p型區的摻雜濃度比原p型體區的摻雜濃度低，可以補償過量的電流導通電荷，并使pn結的耗盡區向p區一 側大大擴展，起到了電壓支持層的作用，降低了擊穿電壓對n-外延層的要求。 在相同擊穿電壓條件下，超級結MOSFET的n-電壓支持層摻雜濃度可以大幅提高，導通電阻可以大大降低，突破了傳統功率MOSFET的硅限。與傳統的功率 MOSFET相比，超級結MOSFET具有傳導損耗低、電流驅動能力大、柵極電荷低、開啟電壓低、開關速度快、出色的非鉗位感性開關（Unclamped Inductive Switching， UIS）能力、百分之百的雪崩能量擊穿測試等優點。但是超級結結構本身也存在一些問題和缺陷：由于其結構復雜，使得制造工藝難度增大，成本增加；np復合結構也使得器件的反向恢復特性變差等。

從工藝實現來看，超級結功率MOSFET工藝的主要特點是，需要在垂直方向形成多個并行的n型、p型復合注入區，其中n型區和p型區具有高深寬比、 高垂直傾角的特性（一般為85°~89.5°），這些要求使得超級結功率MOSFET的 工藝復雜性大大增加。目前，主流的超級結功率MOSFET工藝主要可以分為兩大類，一類是通過多次離子注入和外延，另一類是深槽刻蝕和填槽技術。在通 過離子注入實現的超級結結構中，實際上僅依靠離子注入往往無法保證超級結n型區和p型區的深度與高深寬比，通常需要多次離子注入與多次外延工藝的結 合。通過深槽工藝實現超級結功率MOSFET的流程是，首先在n+襯底上外延n- 層，然后刻蝕形成高深度、陡直的硅槽，再外延填充上p型硅，從而形成超級結結構。

英飛凌公司是國際上較早實現超級結MOSFET量產的公司。上海華虹宏力半導體制造有限公司可在200mm晶片上提供超級結MOSFET代工服務，采用深 槽工藝，可以支持500-900V不同電壓等級產品的生產。