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美對華限制芯片,會是國產(chǎn)芯片制造的機遇嗎?

jf_49360680 ? 來源:jf_49360680 ? 作者:jf_49360680 ? 2022-09-16 13:27 ? 次閱讀
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路透社12日引述知情人士消息稱,拜登政府計劃下個月擴大對美國企業(yè)向中國出口人工智能芯片與芯片制造設(shè)備的限制。而這次不再像是之前華為被芯片卡脖子一樣,這對我國的芯片企業(yè)也是一大發(fā)展機遇。我國知名專家解讀,美國的限制政策會干擾中國建立14納米及以下芯片生產(chǎn)線,導致中國企業(yè)在購買相關(guān)芯片生產(chǎn)設(shè)備時發(fā)生延遲,甚至買不到,這會對中國帶來現(xiàn)實性的影響。

不過也正是因為美國的打壓,中國芯片產(chǎn)業(yè)也在致力于建立基于自主科研技術(shù)的生產(chǎn)能力。高端GPU(圖形處理器)被禁止向中國出口,短期內(nèi)對中國人工智能、高性能計算等方面會帶來一定影響,但中國目前已有約20家企業(yè)進行GPU的設(shè)計和研發(fā)。從這個角度來看,美國限制出口也意味著美國企業(yè)把這些市場拱手讓給正在快速發(fā)展的中國企業(yè)。

我們都知道,影響我國芯片制造發(fā)展的主要因素在于光刻機,目前這項技術(shù)掌握在國外少數(shù)的幾家企業(yè)手上,我國要自主研發(fā)打破被卡脖子,亟待國內(nèi)科研人士的開發(fā)。芯片制造四大基本工藝包括:芯片設(shè)計、FPGA驗證、晶圓光刻顯影、蝕刻、芯片封裝等,晶片制作過程最為復雜,需經(jīng)過濕洗、光刻、 離子注入、干蝕刻、等離子沖洗、熱處理、化學氣相淀積、物理氣相淀積、電鍍處理、化學/機械表面處理、晶圓測試等過程。除去光刻機的影響,其實各國之間的芯片制造工藝相差并不大,下面我們來看下芯片制造四大基礎(chǔ)工藝之一的芯片封裝焊接。

隨著3C電子產(chǎn)品越來越來向輕薄化發(fā)展,PCB主板及電子元器件包括BGA芯片也就必須向著高密、薄化設(shè)計發(fā)展,在SMT工藝質(zhì)量控制相當成熟的今天,BGA的封裝焊接一直是重要關(guān)注的環(huán)節(jié)。由于倒裝芯片比BGA或CSP具有更小的外形尺寸、更小的球徑和球間距,他對植錫球工藝、基板技術(shù)、材料的兼容性、制造工藝,以及檢查設(shè)備和方法提出 了前所未有的挑戰(zhàn)。

倒裝芯片焊接技術(shù)是一種新興的微電子封裝技術(shù),它將工作面(有源區(qū)面)上制有凸點電機的芯片朝下,與基板布線層直接鍵合。一般來說,這類器件有一下特點:

1、基材是硅;

2、電氣面及焊凸在器件下表面;

3、球間距一般為4-14milk、球徑為2.5-8mil、外形尺寸為1-27mm;

4、組裝在基板上后需要做底部填充。

其實,倒裝芯片之所以被稱之為“倒裝”,是相對于傳統(tǒng)的金屬線鍵合連接方式(Wire Bonding)與激光植球后的工藝而言的。傳統(tǒng)的通過金屬線鍵合與基板連接的芯片電面朝上(圖1),而倒裝芯片的電氣面朝下(圖2),相當于將前者翻轉(zhuǎn)過來,故稱為“倒裝芯片”。在圓片(Wafer)上芯片植完球后(圖3),需要將其翻轉(zhuǎn),送入貼片機以便于貼裝,也由于這一翻轉(zhuǎn)過程被稱為“倒裝芯片”。

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激光植錫球工藝介紹

激光錫球焊分為噴球焊接和植球焊接,是一種全新的錫焊貼裝工藝,而大多數(shù)芯片采用的則是植錫球焊接。www.vilaser.cn紫宸激光這種植錫球工藝的主要優(yōu)點是能實現(xiàn)極小尺寸的互連,熔滴大小可小至幾十微米。能將容器中的錫球通過特制的單錫珠分球系統(tǒng)轉(zhuǎn)移至噴射頭,通過激光的高脈沖能量,瞬間熔化置于噴射頭上的錫球,再利用惰性氣體壓力將熔化后的錫料,精準植入到焊點表面,形成互聯(lián)焊點。由于錫球內(nèi)不含助焊劑,激光加熱熔融后不會造成飛濺,凝固后飽滿圓滑對焊盤不存在后續(xù)清洗或表面處理等附加工序。且錫量恒定,分球焊接速度快、精度高,尤其適合用于BGA芯片、晶元等植錫球的貼裝工藝上,也可以適用于高清攝像頭模組及精密聲控器件、數(shù)據(jù)線焊點組裝等細小焊盤及漆包線錫焊。

審核編輯 黃昊宇

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    發(fā)表于 11-22 15:37

    #芯片 #國產(chǎn)芯片

    芯片
    芯佰微電子
    發(fā)布于 :2024年10月11日 16:24:43

    國產(chǎn)芯片

    有任何國產(chǎn)芯片替代的問題都可以找我,歡迎咨詢,或者需要國產(chǎn)芯片相關(guān)資料的都可以提供。
    發(fā)表于 07-25 16:34
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