化合物半導體的特點簡介
電子遷移率（electron mobility）高。這個特性帶來的功能上的好處是低噪音，高頻。比如GaAs是硅的5倍速度。這種半導體可以進行高速運算。
帶隙（bandgap）大。這個特性帶來的功能上的好處是耐高壓（高擊傳），可以讓器件在高電壓的條件下工作。
飽和速度（Saturation velocity）高。這個特性帶來的功能上的好處是可以實現器件的大功率，高頻運作。
吸收光以及發光性。這里的發光是指發出可視光以及紅外光。這里的吸收光是指相比較于硅半導體，化合物半導體具有更高的光電轉換的效率。
對磁力非常敏感。可以利用這一特性，制造相應的器件用于精密地感知馬達的轉速。
非常耐熱耐高溫。相對于硅半導體，化合物半導體具有非常優異的耐輻射性以及耐熱性。比如：Si???～200℃GaAs???～350℃。可以應用于太空中人造衛星用到的太陽能電池系統。
審核編輯：劉清
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原文標題：化合物半導體的（相較于硅半導體）若干特性簡介
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