我們這里當然不是說規(guī)格書在挖坑，規(guī)格書的數(shù)據(jù)都是用儀器一個個測出來的，是剛正不阿的存在！

規(guī)格書的數(shù)據(jù)測試是遵循特定的標準的，之所以遵循這些標準來測試，是因為作為一個規(guī)格書，必須規(guī)定一個測試標準，讓不同的人在不同的時候測出的數(shù)據(jù)是一樣的。而電源的設計對MOS的要求是五花八門的，所以，在參看MOSFET規(guī)格書的時候，要“透過現(xiàn)象看本質”，才能找到適合你產(chǎn)品需求的MOSFET。 那就讓我們一起來看看這些主要的參數(shù)吧。

BVDSS

這個參數(shù)太明顯了，明顯到你不想看它都能跳進你的眼里，因為它無論在電流命名的規(guī)則還是Ron命名的規(guī)則里都會出現(xiàn)在型號里。但是你知道它的測試條件嗎？首先看看艾睿代理的幾家MOSFET正規(guī)大廠家的規(guī)格書：

英飛凌

ST

onsemi

看到了，BV值是在VGS=0的情況下，漏極流過250uA(或者其它比如1mA)，MOSFET不發(fā)生雪崩的情況下測得的值。緊接著，在很多廠家的規(guī)格書可以看到這一項： ? 或者是后面看到這樣的曲線：（下圖曲線的BV是歸一化后的，即相對于25°C結溫的倍數(shù)） ? 這說明，BV值是隨著結溫的升高而增加的，通常電路系統(tǒng)正常工作的時候，結溫肯定是大于25°C的，很多都在100°以上。所以實際BV值可能在標稱BV的1.1倍左右。 ?

ID

關于這個參數(shù)，我很想保持沉默，因為我覺得，規(guī)格書上的這個標稱參數(shù)，對于實際應用來說，幾乎沒有什么參考意義。

可能有的剛入行的小伙伴在選型的時候，會計算電路系統(tǒng)工作中的最大電流，然后做一定的降額，得到一個電流的ID值作為選型的參考。其實這個思路是不科學的。 首先，我們看看大廠商的規(guī)格書，關于ID的項目： ? 看到標紅圈圈的地方了嗎？ ? 1.?Tj=25°C，除非無特殊說明。如果這項測試需要MOS工作起來，那么Tj=25°C如何保證，并且隨著測試時間的延長，Tj會越來越高。實際電路系統(tǒng)中Tj也不可能是25°C。 2.?Tc=25°C，器件case溫度為25°C。實際的系統(tǒng)應用中，電路腔體內(nèi)的溫度都不太可能是25°C，更何況器件CASE。 3. Limited by?Tjmax?這句話，通常用小一號字體在table的下面低調的標出。看到?jīng)]，真正有用的一句話，在角落里。 ? 所以，關于規(guī)格書中的標稱電流ID，看看就好了，別太認真。 ?

RDS(ON)

大家都知道MOSFET完全導通之后相當于一個電阻，它在工作中并非一成不變的量。例如，某廠家標稱為380mΩ的器件，在規(guī)格書的標稱值中如下標識：

? 可見，380mΩ只是ID=3.2A，Tj=25°C時候的，實際在電路系統(tǒng)運行的時候，Tj會在100°C以上，后面的曲線中可以看到：隨著MOS的結溫升高，RDS(ON)也會增加，這也是它的正溫度系數(shù)特性。隨著ID的增加，RDS(ON)的值也會增加。所以在查看RDS(ON)的時候，應該考慮電流和結溫。 ? 在系統(tǒng)應用中MOS的最大導通電流會被以下幾個因素決定： RDS(ON)，溫升Tj-Tc，熱阻Rthjc，器件功耗PD 根據(jù)溫升公式： ? 其中器件功耗實際中主要考慮導通損耗和開關損耗（硬開關電路），但是此處為了計算方便，考慮導通損耗和開關損耗占比各50%： ? 在規(guī)格書中可以找到，一般為150°C，CASE溫度可以根據(jù)系統(tǒng)設計需要確定。 ? RDS(ON)注意要使用Tjmax對應的電阻值，可以在規(guī)格書中查到。注意不同的封裝對應的熱阻不一樣，可以計算出漏極電流最大有效值：

但是注意，如果軟開關電路，可以少考慮一點開關損耗，計算出的ID可以稍微大一些，如果硬開關電路，且開關頻率比較高，則需要多考慮一些開關損耗。

Vth

很多人其實不太關注開啟電壓Vth的值，在規(guī)格書中一般看到：

英飛凌 ? ST ? 同樣的，這個Vth是在Tj=25°C或者Tc=25°C時候測到的。但是，Vth是負溫度系數(shù)，也就是說隨著結溫的升高，Vth會下降，這就意味著，電路系統(tǒng)運行發(fā)熱后，Vth會降低，會更容易受到干擾而誤觸發(fā)。有的公司會給出Vth隨著結溫變化的曲線。見下圖：

開關時間（td(on)，tr，td(off)，tf）

規(guī)格書中給出的這組數(shù)據(jù)在系統(tǒng)應用中可以說是最沒有什么參考意義的了，但是有一點，就是橫向對比的時候，可以粗略對比一下兩個MOS的開關速度。但是如果測試條件不同，也沒有什么意義。

首先，看下規(guī)格書中給出的測試開關時間的電路： ? 撇開圖中紅色圈圈標出來的測試條件會明顯影響開關時間不說，說一下測試的電路。大部分廠家用的如下電路：

這個電路中MOSFET的負載是阻性負載，見紅圈所示，MOSFET帶阻性負載的時候，其開關特性表現(xiàn)為ID上升和VDS下降在同時進行。 而在實際常用的電路系統(tǒng)中，如buck，boost，flayback等，MOSFET的負載都是感性的，見下圖： ? 而感性負載的開關過程是，開通過程中，ID先上升，然后VDS開始下降。關斷過程是VDS先上升，ID再下降。見下圖： ? 其中，米勒平臺的高度會受器件本身的跨導和漏極電流ID影響，米勒平臺的長度受結電容Cgd影響和VDS的大小影響。整個開關過程都會受到驅動電阻Rg（外部的和內(nèi)部的）的影響。 ?

結電容（Crss，Coss，Ciss）

這3個參數(shù)，有點常識的人都知道要看后面的曲線，不能看表格里面的數(shù)值，因為表格中的數(shù)值是某個VDS下的值，并沒有任何實用價值。

? 而后面的電容曲線會給出結電容隨著VDS的變化趨勢： ? 但是這個曲線在真正使用的時候也不怎么好用，畢竟像LLC或者移相全橋這種軟開關電路中，需要知道的是VDS變化過程中結電容中存儲能量或者電荷的變化量，于是有的公司的規(guī)格書中給出了兩個參數(shù)：Co(tr) 和?Co(er)。 ? Co(er)— 能量等效電容，當VDS從0到480V (通常是80%的BVDSS)時候需要對電容儲存的能量相當?shù)碾娙葜怠?Co(tr)— 電荷等效電容，當VDS從0到480V 時充電時間相當?shù)牡刃щ娙葜怠? 如果做軟開關，這兩個參數(shù)會比較有用。

雪崩能量VAR

雪崩的測試電路通常有兩種：

TESCE模式（下圖左邊，電感能量泄放經(jīng)過VDD）和ITC模式（下圖右邊，電感能量泄放不經(jīng)過VDD） ? 雪崩測試波形為：(左邊為TESEC模式，右邊為ITC模式) ? TESCE模式的雪崩能量計算為： ? ITC模式的雪崩能量計算為: ? 所以可以看出雪崩能量的大小和電感L以及雪崩電流IAS都有關系。話不多說，看下各家的規(guī)格書的測試條件（以下比較都是標稱電流為10A，BVDSS為650V左右的超級結MOSFET）： ? 廠家一： ? 廠家二： ? 廠家三： ? 可見，不同廠家的雪崩能量不盡相同，但是它們之間可比性也不強，因為它們的測試條件不同。廠家二和廠家三只給出了電流值，只有廠家一給出了測試的電感值和電流值，但是廠家一的測試結果并沒有多出多少的參考意義，因為這個規(guī)格書給出的雪崩能量是僅僅是這個測試條件下的值，如果換個電感L，得到的雪崩能量并不等于表格中的值，換句話說就是，即便對于同一只MOS而言：

所以規(guī)格書中的雪崩測試數(shù)據(jù)，實際應用的參考意義也不大。如果硬要橫向對比雪崩能力，相同規(guī)格的MOS在相同測試條件下的數(shù)據(jù)，是具備一定的比較意義的。

所以，規(guī)格書是我們選型及應用的一把雙刃劍，用好了就能幫我們披荊斬棘，用不好可能會讓我們走很多彎路，甚至選錯料，不要掉進規(guī)格書的“坑”，要學會利用好這把利器。