研究背景

作為先進(jìn)的儲(chǔ)能系統(tǒng)之一，鋰離子電池（LIBs）已成為電動(dòng)汽車（EVs）的重要支柱，為碳中和目標(biāo)做出了巨大貢獻(xiàn)。然而，完全邁進(jìn)電動(dòng)汽車時(shí)代需要具有更高的能量密度和功率密度的LIBs。二維材料在高功率儲(chǔ)能系統(tǒng)中顯示出很好的特性。增加電池電極的活性材料載量，降低非活性成分比例，從而增加電極厚度，是有效提高電池能量密度的策略之一。

然而，厚電極內(nèi)部延伸和迂回的路徑會(huì)減緩電子和離子的傳輸，使厚電極的倍率能力不能與薄電極相比。且當(dāng)電極厚度增加時(shí)，會(huì)造成電極開裂或分層。

成果簡(jiǎn)介

鑒于此，石溪大學(xué)的Lei Wang和Esther S. Takeuchi,德克薩斯大學(xué)奧斯汀分校余桂華（共同通訊作者）等人通過(guò)在三維互連的納米片網(wǎng)絡(luò)中引入精細(xì)的致密化，以保持其垂直結(jié)構(gòu)，盡管納米片網(wǎng)絡(luò)的堆積密度很高，但仍實(shí)現(xiàn)了較快的電子和離子傳輸。

研究亮點(diǎn)

1、制備了Fe3O4 NP修飾的GO納米片(Fe3O4@GO)，在納米片自組裝過(guò)程中利用磁場(chǎng)控制納米片的排列，然后對(duì)冷凍干燥的氣凝膠進(jìn)行壓縮制備了厚電極；

2、制備的致密而厚實(shí)的電極能夠提供>1,600 mAh cm-3的高體積容量，具有高達(dá)32 mAh cm-2的面容量。

圖文介紹

圖1制備不同結(jié)構(gòu)電極的制備方法示意圖。紅色曲線、虛線曲線和虛線曲線分別代表各種鋰離子傳輸路徑，而藍(lán)色曲線分別代表VANS、RANS和HANS電極中的多功能電子傳輸路徑。

作者在納米片自組裝過(guò)程中使用磁場(chǎng)來(lái)控制納米片的排列，然后對(duì)準(zhǔn)備好的垂直組裝水凝膠進(jìn)行控制性干燥，在保持其排列的同時(shí)對(duì)電極進(jìn)行致密化，以制備高密度和低扭曲度的垂直組裝納米片（VANS）電極（圖1）。

若沒(méi)有外部磁場(chǎng)，納米片只能隨機(jī)組裝形成RANS電極。對(duì)冷凍干燥的氣凝膠進(jìn)行壓縮以制備致密電極，被壓縮后，納米片仍然保持連接，但納米片被迫水平堆疊，形成水平組裝的納米片(HANS)電極。



圖2 Fe3O4@GO納米片組裝電極的結(jié)構(gòu)、電子和機(jī)械特性。(A)冷凍干燥的 Fe3O4@GO納米片的SEM圖像。無(wú)磁場(chǎng)FGA(B)和有磁場(chǎng)的VAFGA(C)的側(cè)視SEM圖像。VANS(D)、RANS(E)和HANS(F)的俯視SEM圖像。VANS(G)、RANS(H)和HANS(I)電極的側(cè)視SEM圖像。(J)TP電導(dǎo)率測(cè)量。(K)0.5 mm min-1壓縮率下的壓縮應(yīng)力-應(yīng)變曲線。(L)電極的壓縮模量。

采用共沉淀法制備了Fe3O4 NP修飾的GO納米片(Fe3O4@GO)。如SEM圖像所示(圖2A)，F(xiàn)e3O4納米顆粒均勻分布在GO納米片上，平均粒徑為9.2 nm。GO納米片可以被部分還原，并組裝形成Fe3O4@rGO水凝膠(FGH)。冷凍干燥后，可以獲得Fe3O4@rGO氣凝膠(FGA),它保持了FGH的原始結(jié)構(gòu)(圖2B）。如圖2C所示，在磁場(chǎng)下FGA中可以實(shí)現(xiàn)納米片結(jié)構(gòu)單元的垂直排列(VAFGA)。在VANS電極的頂面上觀察到Fe3O4@rGO納米片的大部分邊緣平面，在相鄰納米片之間存在開放的通道，用于有效的離子傳輸和電解質(zhì)滲透(圖2D)。

相反，對(duì)于RANS電極，更多的納米片水平堆疊，并且在電極表面上僅觀察到較少數(shù)量的孔(圖2E)。由于高度水平堆積的結(jié)構(gòu)，在HANS電極表面上幾乎沒(méi)有孔(圖2F)。側(cè)視SEM圖像顯示，VANS和HANS電極中分別具有垂直和水平的納米片取向(圖2G和I）。

在電極制造過(guò)程中，若沒(méi)有磁場(chǎng)的輔助，納米片則在電極中隨機(jī)組裝(圖2H)。測(cè)量了不同結(jié)構(gòu)的TP電導(dǎo)率(圖2J)，VANS電極表現(xiàn)出最高的TP電導(dǎo)率為3.1S m-1，是RANS電極的3倍(1.1 S m-1)，并且是HANS電極的100倍以上(0.026 S m-1)。且VANS電極顯示出最高的機(jī)械強(qiáng)度，壓縮應(yīng)變可達(dá)到15%(圖2K)。與RANS(48.3 MPa)和HANS(3.8 MPa)電極相比，VANS電極也表現(xiàn)出最高的壓縮模量(104.3 MPa)，表明最高的電極韌性歸因于垂直排列的結(jié)構(gòu)(圖2L)。



圖3 不同結(jié)構(gòu)Fe3O4@rGO電極的電化學(xué)性質(zhì)。VANS(A)、RANS(B)和HANS(C)電極的充放電曲線，總面積質(zhì)量負(fù)載約為 20 mg cm-2，倍率分別為 0.1、0.2、0.5和1C(1C=925 mA g-1)。(D)VANS、RANS和HANS電極的倍率性能。(E)各種結(jié)構(gòu)電極的半電池EIS測(cè)量的奈奎斯特圖和相應(yīng)的擬合曲線。(F)不同面積質(zhì)量負(fù)載的VANS電極在0.2C下的循環(huán)穩(wěn)定性。(G)VANS、RANS 和HANS電極的循環(huán)穩(wěn)定性比較。(H)與大面積負(fù)載陽(yáng)極(>10 mAh cm-2)在體積和面積容量方面比較。

在高面積負(fù)載電極(MA,total~20 mg cm-2或MA,Fe3O4~14mg cm-2)下，VANS電極具有最大的比容量(0.1C)和容量保持率，在0.1、0.2、0.5和1C提供了1225，1185，1019和486 mAh g-1的容量(圖3A)。在0.1C時(shí)，RANS和HANS電極顯示出1097和719 mAh g-1的容量(圖3 B和3C)。

在1C下，VANS電極的放電容量分別是RNAS和HANS電極的是2倍(246 mAh g-1)和4倍(125 mAh g-1)(圖3D)。 EIS譜(圖3E)顯示VANS電極表現(xiàn)出最低的固體電解質(zhì)界面電阻(RSEI)和電荷轉(zhuǎn)移電阻(Rct),表明在rGO網(wǎng)絡(luò)中的快速電子傳輸和在電解質(zhì)填充的孔和Fe3O4顆粒上的SEI層中的快速鋰離子傳輸。

即使面質(zhì)量負(fù)載高達(dá)44 mg cm-2，對(duì)應(yīng)的面容量為32 mAh cm-2，VANS電極仍具有良好的循環(huán)穩(wěn)定性(圖3F)。面積載量為20 mg cm-2，面容量10 mAh cm-2時(shí)，在6.5mA·cm-2的高電流密度下400次循環(huán)后仍具有77%的高容量保持率。

圖4 通過(guò)3D拉曼顯微鏡成像的電極結(jié)構(gòu)可視化。高分辨率共焦拉曼圖顯示了VANS(A)、RANS(B)和HANS(C)電極的局部碳豐度。（E-G）低分辨率共焦拉曼顯微鏡圖顯示碳信號(hào)強(qiáng)度作為外電極表面下方距離的函數(shù)，突出顯示在VANS和RANS電極結(jié)構(gòu)中觀察到的不同孔深度。

采用共焦拉曼顯微鏡研究整個(gè)電極中材料的表面形態(tài)。在VANS和RANS的全視圖中，表面明顯多孔(圖4A和4B)。通過(guò)共焦拉曼顯微術(shù)證實(shí)了HANS電極中的密集堆積形態(tài)，其中在電極表面的頂部20 μm內(nèi)只有一薄層可測(cè)量的信號(hào)可見(圖4C)。

這些結(jié)果通過(guò)每個(gè)電極的低分辨率孔隙深度探針繪圖得到證實(shí)(圖4D–G)，其中RANS孔隙的底部可以在相同的90 μm深度處看到(圖4G),VANS孔隙的底部可以在220 μm深度處看到(圖4E)，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)了120 μm的最大采樣深度的全視圖(圖4A)。在VANS電極中，沿著電極厚度方向的更有序的垂直排列將有助于離子更快地傳輸通過(guò)電極。

圖5 EIS表征揭示的電荷傳輸動(dòng)力學(xué)。（A）EIS半電池測(cè)量中的波特圖。(B)計(jì)算鋰離子在各種電極中的擴(kuò)散系數(shù)。在EIS-SC配置中測(cè)量的VANS(C)、RANS (D)和HANS(E)電極的奈奎斯特圖。（F）根據(jù)在45°斜率區(qū)域中擬合的Rion，計(jì)算EIS-SC測(cè)量的彎曲度參數(shù)。

通過(guò)各種電化學(xué)表征進(jìn)一步評(píng)估電荷儲(chǔ)存動(dòng)力學(xué)。VANS、RANS和HANS電極計(jì)算的DLi分別為2.0×10-8,5.1×10-9，和4.7×10-10 cm2·s-1(圖5B)。大的擴(kuò)散系數(shù)表明，鋰離子在VANS電極中垂直排列的通道中快速擴(kuò)散。采用傳輸線模型在奈奎斯特圖中的45°斜率區(qū)域來(lái)確定Rion，如圖5C–E所示。VANS電極表現(xiàn)出最低的彎曲度(1.7)，而HANS電極由于水平封裝的結(jié)構(gòu)表現(xiàn)出最大的彎曲度(16.2)(圖5F)。

總結(jié)與展望

本文作者開發(fā)了一種有效的方法，通過(guò)結(jié)合外部磁場(chǎng)和基于干燥的致密化來(lái)控制納米片的組裝行為，以制造出具有高導(dǎo)電性和機(jī)械強(qiáng)度的低扭曲度而高密度的電極材料。相互連接的納米片結(jié)構(gòu)使電子具有足夠多的傳輸路徑，而單向通道為鋰離子擴(kuò)散提供了直孔。由于高效的電子和離子傳輸，VANS電極與隨機(jī)的和水平的電極結(jié)構(gòu)相比，表現(xiàn)出了卓越的倍率能力和循環(huán)穩(wěn)定性。

本方法提供了一種潛在的通用方法，可以通過(guò)裝飾極少量的磁性材料可行地?cái)U(kuò)展到其他基于rGO的網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)材料，實(shí)現(xiàn)以密集的方式垂直排列納米片。這項(xiàng)研究可以為下一代可擴(kuò)展的高能量和大功率電池所必需的具有多功能特性的厚電極架構(gòu)設(shè)計(jì)提供有益的見解。

審核編輯：劉清