RS40N130G是一款低壓MOS-SGT工藝產(chǎn)品，SGT技術(shù)獨(dú)特的器件結(jié)構(gòu)和芯片設(shè)計(jì)提升了產(chǎn)品的耐用度，減少芯片面積，實(shí)現(xiàn)了屏蔽柵極與漂移區(qū)的作用 ，同時(shí)也減小了米勒電容以及柵電荷，即使器件的開(kāi)關(guān)速度加快也能降低減低其損耗，被廣泛應(yīng)用于電動(dòng)工具、逆變器、鋰電保護(hù)板等產(chǎn)品。

一、SGT MOSFET優(yōu)勢(shì)介紹

MOSFET分類：

Trench （溝槽型）MOSFET：主要用于低壓領(lǐng)域；

SGT（Shielded Gate Transistor，屏蔽柵溝槽）MOSFET：主要用于中壓和低壓領(lǐng)域；

平面型MOSFET、COOL（超結(jié)）MOSFET：主要在高壓領(lǐng)域應(yīng)用。

圖1：應(yīng)用于同步整流SGT MOS

二、SGT技術(shù)優(yōu)勢(shì)

提升功率密度：

SGT工藝比普通溝槽工藝挖掘深度深3-5倍，在柵電極下方增加了一塊多晶硅電極，即屏蔽電極或耦合電極。屏蔽電極與源電極相連，既實(shí)現(xiàn)了屏蔽柵極與漂移區(qū)的作用，又減小了米勒電容以及柵電荷，使器件的開(kāi)關(guān)速度得以加快，降低損耗。與此同時(shí)又實(shí)現(xiàn)了電荷耦合效應(yīng)，減小了漂移區(qū)臨界電場(chǎng)強(qiáng)度，器件的導(dǎo)通電阻得以減小，降低導(dǎo)通損耗，所以與普通溝槽式MOSFET相比，SGT MOSFET的內(nèi)阻要低2倍以上。

圖2：Trench MOS和SGT MOS柵電荷對(duì)比

極低的開(kāi)關(guān)損耗：

SGT工藝相對(duì)傳統(tǒng)Trench結(jié)構(gòu)，具有低Qg 的特點(diǎn)，它的技術(shù)革新改變了MOSFET內(nèi)部電場(chǎng)的形態(tài)，將傳統(tǒng)的三角形電場(chǎng)變更為梯形電場(chǎng)，可以進(jìn)一步減小EPI層的厚度，降低導(dǎo)通電阻Rds(on)，有助于降低器件在開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用中的開(kāi)關(guān)損耗。

圖3：Trench MOS和SGT MOS器件結(jié)構(gòu)

更好的EMI優(yōu)勢(shì)和抗雪崩EAS能力：

由于SGT MOSFET具有較深的溝槽深度，可以利用更多的晶硅體積來(lái)吸收EAS能量，所以SGT在雪崩時(shí)性能更強(qiáng)，更能承受雪崩擊穿和浪涌電流。同時(shí)SGT結(jié)構(gòu)中寄生的CD-shield和Rshield可以吸收器件關(guān)斷時(shí)dv/dt變化帶來(lái)的尖峰和震蕩，具有更好的EMI特性。

RS40N130G特點(diǎn)與應(yīng)用：

漏源擊穿電壓40V，漏極電流最大為130A；開(kāi)啟延遲典型值為18.8nS，關(guān)斷延遲時(shí)間典型值為136.8nS，上升時(shí)間70.1nS，下降時(shí)間92.3nS，反向傳輸電容55pF，反向恢復(fù)時(shí)間56nS，正向電壓的最大值1.3V。Rds(on)典型值為1.45mΩ，推薦用于鋰電池保護(hù)板、同步整流、電動(dòng)工具等。

瑞森半導(dǎo)體作為一家功率器件整體方案提供商，在中壓MOS-SGT系列產(chǎn)品上以先進(jìn)的生產(chǎn)工藝，優(yōu)越的性能，良好的口碑，受到眾多品牌的信任與支持。

附：瑞森半導(dǎo)體部分低壓MOSFET-SGT產(chǎn)品選型表