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幾種簡單CMOS邏輯門電路原理圖

谷泰微 ? 來源:谷泰微 ? 作者:谷泰微 ? 2022-11-04 15:11 ? 次閱讀

PART.1

MOS管

MOS管又分為兩種類型:N型和P型。如下圖所示:

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以N型管為例,2端為控制端,稱為“柵極”;3端通常接地,稱為“源極”;源極電壓記作Vss,1端接正電壓,稱為“漏極”,漏極電壓記作VDD。要使1端與3端導通,柵極2上要加高電平。

對P型管,柵極、源極、漏極分別為5端、4端、6端。要使4端與6端導通,柵極5要加低電平。

在CMOS工藝制成的邏輯器件或單片機中,N型管與P型管往往是成對出現(xiàn)的。同時出現(xiàn)的這兩個CMOS管,任何時候,只要一只導通,另一只則不導通(即“截止”或“關斷”),所以稱為“互補型CMOS管”。

PART.2

CMOS邏輯電平

高速CMOS電路的電源電壓VDD通常為+5V;Vss接地,是0V。

高電平視為邏輯“1”,電平值的范圍為:VDD的65%~VDD(或者VDD-1.5V~VDD)

低電平視作邏輯“0”,要求不超過VDD的35%或0~1.5V。

+1.5V~+3.5V應看作不確定電平。在硬件設計中要避免出現(xiàn)不確定電平。

近年來,隨著亞微米技術的發(fā)展,單片機的電源呈下降趨勢。低電源電壓有助于降低功耗。VDD為3.3V的CMOS器件已大量使用。在便攜式應用中,VDD為2.7V,甚至1.8V的單片機也已經(jīng)出現(xiàn)。將來電源電壓還會繼續(xù)下降,降到0.9V,但低于VDD的35%的電平視為邏輯“0”,高于VDD的65%的電平視為邏輯“1”的規(guī)律仍然是適用的。

PART.3

非門

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非門(反向器)是最簡單的門電路,由一對CMOS管組成。其工作原理如下:

A端為高電平時,P型管截止,N型管導通,輸出端C的電平與Vss保持一致,輸出低電平;A端為低電平時,P型管導通,N型管截止,輸出端C的電平與VDD一致,輸出高電平。

PART.4

與非門

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與非門工作原理:

①、A、B輸入均為低電平時,1、2管導通,3、4管截止,C端電壓與VDD一致,輸出高電平。

②、A輸入高電平,B輸入低電平時,1、3管導通,2、4管截止,C端電位與1管的漏極保持一致,輸出高電平。

③、A輸入低電平,B輸入高電平時,情況與②類似,亦輸出高電平。

④、A、B輸入均為高電平時,1、2管截止,3、4管導通,C端電壓與地一致,輸出低電平。

PART.5

或非門

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或非門工作原理:

①、A、B輸入均為低電平時,1、2管導通,3、4管截止,C端電壓與VDD一致,輸出高電平。

②、A輸入高電平,B輸入低電平時,1、4管導通,2、3管截止,C端輸出低電平。

③、A輸入低電平,B輸入高電平時,情況與②類似,亦輸出低電平。

④、A、B輸入均為高電平時,1、2管截止,3、4管導通,C端電壓與地一致,輸出低電平。

注:

將上述“與非”門、“或非”門邏輯符號的輸出端的小圓圈去掉,就成了“與”門、“或”門的邏輯符號。而實現(xiàn)“與”、“或”功能的電路圖則必須在輸出端加上一個反向器,即加上一對CMOS管,因此,“與”門實際上比“與非”門復雜,延遲時間也長些,這一點在電路設計中要注意。

PART.6

三態(tài)門

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三態(tài)門的工作原理:

當控制端C為“1”時,N型管3導通,同時,C端電平通過反向器后成為低電平,使P型管4導通,輸入端A的電平狀況可以通過3、4管到達輸出端B。

當控制端C為“0”時,3、4管都截止,輸入端A的電平狀況無法到達輸出端B,輸出端B呈現(xiàn)高電阻的狀態(tài),稱為“高阻態(tài)”。

這個器件也稱作“帶控制端的傳輸門”。帶有一定驅動能力的三態(tài)門也稱作“緩沖器”,邏輯符號是一樣的。

注:

從CMOS等效電路或者真值表、邏輯表達式上都可以看出,把“0”和“1”換個位置,“與非”門就變成了“或非”門。對于“1”有效的信號是“與非”關系,對于“0”有效的信號是“或非”關系。

上述圖中畫的邏輯器件符號均是正邏輯下的輸入、輸出關系,即對“1”(高電平)有效而言。而單片機中的多數(shù)控制信號是按照負有效(低電平有效)定義的。例如片選信號CS(Chip Select),指該信號為“0”時具有字符標明的意義,即該信號為“0”表示該芯片被選中。因此,“或非”門的邏輯符號也可以畫成下圖。

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PART.7

組合邏輯電路

“與非”門、“或非”門等邏輯電路的不同組合可以得到各種組合邏輯電路,如譯碼器、解碼器、多路開關等。

組合邏輯電路的實現(xiàn)可以使用現(xiàn)成的集成電路,也可以使用可編程邏輯器件,如PAL、GAL等實現(xiàn)。

審核編輯 :李倩

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原文標題:幾種簡單CMOS邏輯門電路原理圖

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