MOS場(chǎng)效應(yīng)管即金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管，英文縮寫(xiě)為MOSFET，它有N溝道管和P溝道管兩種類(lèi)型。

MOS管作為開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)中經(jīng)常會(huì)用到的器件，在選擇時(shí)要考慮多種因素，今天的首芯小課堂就帶大家一起來(lái)了解MOS管選型的要素。

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1該選什么封裝的才合適

第1個(gè)要素是選擇封裝。

我們常見(jiàn)的電子元件都有插件款和貼片款，MOS管也相同，下面簡(jiǎn)單舉例一下~

插件類(lèi)常見(jiàn)封裝有：TO-220、TO-251等類(lèi)型。

貼片類(lèi)常見(jiàn)封裝有：TO-252、TO-263等類(lèi)型。

2選擇N溝道還是P溝道

第2個(gè)要素是我們要針對(duì)不同的應(yīng)用，我們可以去選擇N MOS還是P MOS。

N MOS：選擇型號(hào)較多、成本低。

P MOS：選擇型號(hào)較少，價(jià)格較高。

所以在所有的開(kāi)關(guān)電源電路中，我們會(huì)傾向選擇N MOS管，例如正激、反激、整流橋電路等。

那什么時(shí)候選擇P MOS呢?例如，當(dāng)我們的電源需要做開(kāi)關(guān)控制時(shí)，我們就會(huì)選擇P MOS。

3明確導(dǎo)通時(shí)的最大阻抗

第3個(gè)要素是MOS管導(dǎo)通時(shí)漏源間的最大阻抗。

MOS管可以作為開(kāi)關(guān)用，但是它并不是理想的開(kāi)關(guān)，它會(huì)有一個(gè)最大阻抗，這個(gè)最大阻抗我們稱(chēng)之為RDS(ON)。

當(dāng)電流通過(guò)MOS管工作的時(shí)候，就會(huì)產(chǎn)生損耗，這個(gè)損耗就是最大的電流的平方乘以RDS(ON)。在這里需要注意，最大阻抗隨著溫度的變化而有輕微變化。

因此在選擇MOS管作為開(kāi)關(guān)的時(shí)候，需要去考慮在有最大阻抗的情況下，MOS管作為開(kāi)關(guān)時(shí)能否符合電路要求。

4確定漏源擊穿電壓

第4個(gè)要素就是要確定漏源擊穿電壓VDS。

漏源擊穿電壓是指在MOS管的漏極和源極間能夠承受的最大的電壓，同時(shí)我們還要存有一定的余量。

留存余量的目的是：防止當(dāng)溫度變化時(shí)電壓發(fā)生微小變化時(shí)，不能完成電路的功能要求。

以下方的產(chǎn)品規(guī)格書(shū)為例，紅框內(nèi)的電性參數(shù)就是漏源擊穿電壓。

5確定最大漏源電流

第5個(gè)要素是去確定MOS管的最大漏源電流。

首先，要確保MOS管的最大漏源電流在我們電路所產(chǎn)生的最大漏源電流范圍內(nèi)。

其次，要留有足夠的余量。

下圖以ASEMI品牌的10N65產(chǎn)品規(guī)格書(shū)為例，向大家講解一下~

紅框內(nèi)的參數(shù)ID即為該MOS管在留有足夠的余量下的最大漏源電流，具體數(shù)值和單位為最后兩欄。

6了解MOS管開(kāi)啟電壓

第6個(gè)要素是開(kāi)啟電壓VGS。

VGS是指柵源極之間的開(kāi)啟電壓。

以上圖中的產(chǎn)品規(guī)格書(shū)為例，

圖中紅框內(nèi)的參數(shù)就是開(kāi)啟電壓，

最小是2V，

最大是4V。

7判斷電路板散熱情況

第7個(gè)要素是要去了解MOS管的散熱要求。

MOS管重要參數(shù)之一就是它的工作溫度，工作溫度最低-55℃，最高+150℃，不同MOS管的工作溫度要查閱產(chǎn)品規(guī)格書(shū)。

因?yàn)镸OS管在工作的時(shí)候會(huì)產(chǎn)生能量，要保證它表面上的溫度不能超過(guò)結(jié)溫的85%才能正常運(yùn)作。如果超過(guò)或接近這個(gè)數(shù)值，我們要在MOS管上加一些散熱的裝置，例如散熱片，對(duì)MOS管的工作環(huán)境進(jìn)行散熱。

以下圖為例，產(chǎn)品規(guī)格書(shū)會(huì)標(biāo)注該MOS管的工作溫度范圍以及存儲(chǔ)時(shí)的外界環(huán)境溫度范圍。

審核編輯：湯梓紅