智能交通系統(tǒng) （ITS）、乘客信息系統(tǒng) （PIS） 和其他車(chē)載應(yīng)用（如視頻監(jiān)控和數(shù)據(jù)記錄）有時(shí)會(huì)產(chǎn)生不穩(wěn)定的電壓供應(yīng)。嵌入式 SSD 可能會(huì)受到這些不穩(wěn)定輸入電壓的負(fù)面影響。

那么，輸入電壓究竟如何影響SSD的NAND閃存呢？

在這里，原始誤碼率（RBER）很重要。RBER是糾錯(cuò)碼（ECC）之前的誤碼率，它反映了NAND閃存的初始可靠性。RBER 越高，NAND 閃存的可靠性越低。

為了說(shuō)明這一點(diǎn)，下面給出了五個(gè)示例，每個(gè)示例都有0.3V的電壓波動(dòng)。

圖1.我們的控制圖顯示了NAND閃存的3.3V至3.6V電源，在0.3V偏移范圍內(nèi)波動(dòng)。

Figure 2. When set to the standards NAND flash voltage range of 2.7V to 3.0V， the RBER is 10^（-5.850， which is in the normal range.

圖3.當(dāng)接收3.6V至3.9V輸入時(shí)，REBER增加到10^-5.845。

圖4.當(dāng)電壓增加到3.9V至4.2V時(shí)，RBER增加到10^（-5.832）。

圖5.當(dāng)將電源電壓設(shè)置為 4.2V 至 4.5V 時(shí)，RBER 繼續(xù)增加至 10^ （-5.823）。

如前所述，一般來(lái)說(shuō)，輸入電壓越高，RBER 越高，對(duì) SSD性能的影響越大。

Renice 的 SSD 解決方案采用針對(duì)每個(gè) SSD 的可接受電壓范圍量身定制的專用電路進(jìn)行設(shè)計(jì)，可確保在極端或惡劣環(huán)境中的性能和可靠性。

審核編輯：郭婷