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「聽眾福利專場」第十五屆晶芯研討會免費1對1答疑解惑

半導體芯科技SiSC ? 來源:半導體芯科技SiSC ? 作者:半導體芯科技SiS ? 2022-12-07 16:16 ? 次閱讀

來源:半導體芯科技SiSC

第十五屆晶芯研討會

“復雜動蕩國際局勢下中國半導體制程供應鏈的應對之策”

已經成功舉辦了!

會議當天,演講嘉賓們的精彩分享

引起在線聽眾踴躍提問

由于時間原因

很多問題嘉賓們都未能及時回復

現在小芯與演講嘉賓共同整理了問題匯總

接下來

快來看看您的問題有沒有被解答呢?

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1、請問如何看待臺積電搬遷到美國?我們該如何積極應對?

政治化的產物,對公司所言,無競爭優勢,可能對營收有大的沖擊,對于臺積電員工是好機會,對技術優勢倒不是太大的問題,問題是財務的破口可能成為技術創新失去競爭力。

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1、特種氣體容器這邊,生產設備有什么難點?

國內基礎機加工對于特種容器的能力沒有問題,難點不在加工上,主要在幾個方面:

1.認證: 危化品需要有UN認證,這個在國內不普遍,而且這個標準是國外制定的。定期還得更新認證。對容器流轉的管理能力挑戰度很高。

在客戶端認證的困難度也很高,國內并無專責針對半導體客戶使用場景的測試標準及相關認證。也造成客戶不愿意成為第一個試驗者。

2.專利: 很多容器是受國外設備商/材料商以專利形式擁有獨家使用權,如欲使用需繳納高額的專利授權費用,或是投入大量的研發經費繞過專利。

3.國內市場體量不夠大,進而使容器的制造單價居高不下。

4.周邊配套的零件國內尚無法制作。如氣動閥、逆止閥,安全閥,等,目前均為日本及歐美供貨商壟斷。容器的制作時間,取決于閥門的到貨時間。

2、在這種材料和設備受限情況下,哪類產品受到的影響會大一些,比如功率器件等?

我們業內一般的分法是邏輯代工,儲存器、三代半導體,獨立組件,等,我個人認為對高階工藝產品影響較大,如28nm 以下,相關的設備和材料等是被禁運的主要對象。和什么產品倒比較沒有關系。主要是材料、裝備,設計軟件等。國外卡法也是以工藝節點來卡。

3、目前,針對晶圓fab和先進封裝廠,光刻膠,cmp研磨液,濕法刻蝕液,銅電鍍液等等,哪些材料目前國產替代最為成功?

這個是個人觀點了,我個人認為以濕法刻蝕液及特氣的替代最為成功。目前國產化程度較高,也對外出口。

4、確定晶圓級雜質時有哪些重要考慮因素?

這個問題我不確定是指硅片,還是材料,我分別說下:

1.硅片方面: 目前主要是以阻抗、導電率,及良率為主。內部的雜質業內對雜質已經非常了解,主要是金屬雜質的控制較為重要。因為這個直接影響芯片的良率。

2.工藝材料就會位工藝應用上不同而有不同的要求,像濕法蝕刻液,對金屬含量要求就非常高,在ppt 等級,針對不同的工藝節點,也會有不同的要求,130nm 要求就在ppm級,在28nm 以下,都在ppm級以下了。

5、之前聽別人提過,未來的氟碳類特氣發展趨勢是向氟碳比1:1靠攏,您怎么看呢?

是有這個說法,但目前看來,即使在1nm 工藝中也尚未使用1:1的氟碳類氣體,只能說目前還不成熟,以目前現有的碳氟類氣體在使用上尚能滿足客戶的要求。目前比較大的挑戰反而不在工藝上,而是GWP ,全球變暖指數,研發更低的GWP值的材料是業界的主要方向之一。

6、請問一下,光刻膠印刷這塊氦氣的用量可以簡單地分析一下嗎?

氦氣在光刻區,是用1.5% O2 混氦,或是1.2%氮氣混氦氣,不是主要材料的應用,用量非常少。氦用量一年少于100公斤。( 以量產5萬片的12吋代工廠來看) ,其它區用的也不多,主要用于測漏,或部分用于退火,因為早期氦太貴,都找了相對應替代的東西替代掉了。

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1、一種14nm光刻需要多少種光刻膠?是否存在杜邦等國外公司限制1-2種A膠,就卡死產業鏈的問題?

20-30種, 目前看來不會。

2、光刻膠在半導體制造成本里占比大概多少?

整個芯片制造過程中可能需要進行數十次的光刻,光刻工藝成本占到整個芯片制造工藝的約三分之一,耗時約占整個芯片生產環節的40%-50%,光刻膠材料總成本占比約為5-6%。根據SEMI的預測,2021年掩模板、光刻膠、光刻膠配套試劑在半導體材料中的占比分別為13.1%, 12.6%和5.7%。

3、能否請教下飛凱光刻膠在第三代半導體制程中應用目前是什么狀況?占比怎樣?飛凱針對第三代市場后續的布局規劃是怎樣的?

iline+配套試劑

4、krf及arf的原料也基本依賴進口,請問一下,后續國內企業何時能夠實現大規模的替代?在沒有國產替代前,原料進口有保障嗎?

飛凱材料的主體樹脂可以自己合成。

5、目前國產替代進度最快的光刻膠是哪種?

PCB光刻膠中的濕膜光刻膠,幾乎能做到50%以上國產;LCD光刻膠中的彩色光刻膠和黑色光刻膠,5%左右能實現國產替代;半導體光刻膠中g線,i線光刻膠國產化率約10%。KrF、ArF作為高端光刻膠,我國的市占率僅1%,而更高端的EUV光刻膠目前處于研發階段。

6、請問從光刻膠研發角度來說,是人才的數量還是質量(例如在海外巨頭工作過,還是有博士學歷等等)更重要?

光刻膠開發存在大量know-how。有過成功研發經驗的團隊可以大大減少走彎路的時間。

7、光刻膠的保存時間,容器要求?

光刻膠對光敏感,在光照或高溫條件下其性能會發生變化。隨著保存時間的增加,光敏組分越來越多地從光刻膠中沉淀出來,這不僅會導致顯影速度降低,而且還會產生更高的暗腐蝕和較低的附著力。隨著使用時間的延長,每次打開瓶蓋都會使瓶子中填充的溶劑氣氛破壞掉,從而導致光刻膠溶劑的持續揮發(一般開蓋100次會有明顯的變化),甚至是1%的溶劑變化都會導致光刻膠的粘度變化。容器要求潔凈度高,顆粒、金屬析出等滿足COA要求。

8、國內(比如飛凱材料等)光刻膠在功率半導體領域的應用主要有哪幾種,哪些是替代國外材料而開發的?以I線為例,謝謝!

有可以替代國外材料的i-line高分辨率正膠,顯影液等。

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1、 大宗氣站由投資模式怎么選,廠中廠,與廠外投資各有什么優劣?

主流模式是廠中廠,性價比高;大規模的Fab和面板廠有廠外廠的模式,投資成本高,價格會高。如果工廠內有氣站土地規劃,建議廠中廠模式。

2、如何看待當今工業氣體對電子產業發展的供應鏈安全問題?

長期供應鏈安全及卡脖子問題,本土工業氣體推行國產化及研發實現自主可控是大趨勢。

3、在關鍵設備和材料的研發方面,宏芯有沒有哪些規劃和研究?

宏芯有清晰的規劃及研究,有計劃的實施推進中。

4、電子大宗氣體供應統應從哪些方面精度要求來保證氣體的品質及可靠性?

技術方案的確認(氣體品質要求、氣量爬坡計劃、主要設備品牌表)、氣站建設質量、氣站運行(人員配置與培訓、運行體系完善性及執行、緊急供應方案)、外購氣體的物流配送保障(合格氣源的選擇及長期供應可靠性、品質管理流程及體系)、技術支持團隊等。

5、可否談下要實現國產替代,國內電子氣體供應商面臨著哪些苛刻的挑戰?

合格供應商認證、資金實力、團隊完整性、歷史經驗積累、成功案例。

6、特氣產業中有沒有專利卡脖子問題?

白總:有的,比如前軀體就有專利IP問題。

陳總補充:特氣產業中專利卡的較少。因為大多為傳統材料,專利大多在容器上。主要是設備商,及部分材料商與設備商合作時,做了一個深度的綁定,主要是卡在這個地方。另外,對于材料的不純物含量,一般以商業機密形式存在,而不是專利。實際上使用的特氣/材料,實際上的不純物控制才是真正難點。

7、國產氣體液體管路上的氟材料閥門,三通接頭可以符合要求,能大量替代進口產品嗎?

目前了解還不可以,還是需要進口。

8、請問白總,剛才提到的一些過濾系統等全進口的零部件,未來有沒有可能被美國禁運?如何解決?

這個應該不會被禁止,國產產品已經開始大量使用。

9、目前咱們這個電子級TEOS市場驗證什么進展?

目前宏芯氣體還沒有開發TEOS產品。

審核編輯黃昊宇

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