隨著近幾年EDSFF形態(tài)在服務(wù)器容量上的快速增長,EDSFF憑借在容量、可擴展性、性能、可維護性、可管理性、散熱和電源管理方面的優(yōu)勢,EDSFF將重新定義服務(wù)器的下一代固態(tài)硬盤外形規(guī)格。
EDSFF概述
目前EDSFF有以下三種解釋:Enterprise and Data Center Standard Form Factor-企業(yè)和數(shù)據(jù)中心標(biāo)準(zhǔn)外形尺寸(標(biāo)準(zhǔn));Enterprise & Data Center SSD Form Factor-企業(yè)和數(shù)據(jù)中心固態(tài)硬盤外形尺寸(SSD);Enterprise and Data-center Scalable Form Factor-企業(yè)和數(shù)據(jù)中心可擴展外形尺寸(可擴展),內(nèi)涵稍有不同。現(xiàn)在由SNIA作為SFF技術(shù)附屬技術(shù)工作組(SFF TA TWG)的一部分進行維護。
EDSFF提供了一系列企業(yè)和數(shù)據(jù)中心固態(tài)硬盤外形尺寸標(biāo)準(zhǔn),以最大程度適配1U/2U服務(wù)器,概覽如下:
圖1
對于SSD外形尺寸(Form Factor)標(biāo)準(zhǔn)演化,從硬件角度,可以從以下4個維度來理解標(biāo)準(zhǔn)考慮的一些關(guān)鍵要素:
硬件接口——標(biāo)準(zhǔn)的物理硬件接口定義,除了滿足電氣性能要求外,相同的金手指保證了接插件、連接器、線纜等的標(biāo)準(zhǔn)化、歸一化,其通用性極大的滿足兼容性及擴展性設(shè)計需求,同時提升了供應(yīng)鏈安全;
物理大小——PCB尺寸大小可以最大程度適配1U/2U等服務(wù)器,充分提高了存儲空間的利用率,更好的匹配大容量高密度的需求;
散熱能力——不同的厚度選擇及配套的散熱設(shè)計,充分滿足系統(tǒng)級低成本的散熱解決方案,以預(yù)期的風(fēng)流量滿足散熱需求;
可維護性——支持熱拔插,提供狀態(tài)指示燈,進一步簡化安裝和方便維護及備件更換等。
EDSFF分為E1和E3兩大系列,每個系列又都分為Long和Short兩個版本,即E1(E1.L、E1.S)與E3(E3.L、E3.S),并按照不同的厚度和散熱配置劃分出不同型號:在20W、25W基礎(chǔ)上提供40W和70W等版本;PCIe Lane數(shù)量也在x4的基礎(chǔ)上增加了x8和x16(E3寬度可以滿足,E1最大x8),滿足企業(yè)級SSD更高的讀寫性能。各形態(tài)具體尺寸匯總?cè)缦拢?/p>
EDSFF-——硬件接口標(biāo)準(zhǔn)化
SFF-TA-1002連接器標(biāo)準(zhǔn)定義了一種多通道卡邊緣連接器,指定了四種高密度連接器尺寸:1C、2C、4C和4C+。1C連接器作為所有其他尺寸的通用基礎(chǔ),1C支持高達80W的12V主電源和3.3 Vaux電源,一組邊帶和管理引腳,以及多達8個高速差分對。2C建立在1C的基礎(chǔ)上,并提供多達16個高速差分對。同樣,4C建立在2C的基礎(chǔ)上,并提供多達16個額外的高速差分對。
圖2
SFF-TA-1002定義的尺寸適合PCIe x4、x8和x16,并且由于卡邊緣連接器中的凹口設(shè)計,較長的卡可以插在較窄的卡槽中。該連接器通過NRZ編碼(不歸零編碼)為至少56 GT /s的數(shù)據(jù)速率提供足夠的信號完整性,因此它比現(xiàn)有的大多數(shù)PCIe信號連接器標(biāo)準(zhǔn)實現(xiàn)更具有前瞻性。
圖3
E1、E3使用了相同的金手指,擁有更高信號質(zhì)量的同時,兼容性也能得到保障。新的服務(wù)器背板連接器尺寸更小,可達到簡化服務(wù)器內(nèi)部設(shè)計、優(yōu)化風(fēng)道、增強服務(wù)器散熱氣流的目的。為了最大限度地提高互操作性,EDSFF系列SSD外形尺寸共享一個通用的連接器標(biāo)準(zhǔn)。
EDSFF——M.2形態(tài)到E1外形尺寸的演進
M.2主要是為筆記本電腦使用,3.3V電源供電的情況下,最大功率會受到限制,功耗達到8-12W通常都需要散熱器。M.2的外形規(guī)格用在1U服務(wù)器上會面臨很多挑戰(zhàn):
首先在散熱方面,PCIe固態(tài)硬盤需要很大的散熱器;其次不支持熱插拔,因為連接器并不是為熱插拔設(shè)計的,另外難以對固定安裝的硬盤進行維護;再次,針對1U機架(1U=4.445厘米,M2寬2.2厘米)的空間利用率也不太理想。
圖4
E1.S形態(tài)在數(shù)據(jù)中心1U服務(wù)器的使用上體現(xiàn)出巨大的優(yōu)勢:
空間利用率:E1.S更寬(1U=4.445厘米,E1.S寬3.375厘米),PCB布局上可以滿足兩行NAND閃存,能夠在PCB上為NAND閃存提供更多的空間,以輕松實現(xiàn)更高容量的SSD;
12V電源供電:相對3.3V供電,相同的通流量,可以滿足更高的功率水平;
可維護性方面:引入包含 LED 運行狀態(tài)指示燈在內(nèi)的熱插拔設(shè)計,使之能夠在不切斷系統(tǒng)電源的情況下識別故障和更換;
散熱方面:其定義了不同的厚度選項,允許套上不同的散熱片,更容易冷卻,有助于維持最佳性能。
對不同功率的需求,E1.S采用了不同的標(biāo)準(zhǔn)外殼和散熱器尺寸:對于20W以下的卡,可以使用9.5mm厚度的對稱外殼/散熱片;對于更高功率的應(yīng)用,則設(shè)計了一個不對稱的散熱器,厚度達到25mm,并允許25W。9.5mm的對稱外殼對于大多數(shù)SSD用例來說是足夠的;25mm非對稱外殼+散熱器更適合于非固態(tài)硬盤設(shè)備;對于更注重高性能的應(yīng)用場景,15mm和25mm厚度的E1.S是更為理想的選擇。
圖5
EDSFF——U.2形態(tài)到E3外形尺寸的演進
U.2 2.5英寸盤是部署在企業(yè)和數(shù)據(jù)中心的企業(yè)級NVMe SSD主要產(chǎn)品形態(tài),可以與原有機械硬盤混合使用,兼容性強、靈活度高。采用相同的外形設(shè)計和SFF-8639連接器,可同時兼容SAS、SATA和PCIe。定義于SFF-8201,長度為101.85mm (max),寬度為69.85mm,厚度有不同規(guī)格(5mm到19.05mm不等)。常用的筆記本硬盤是7mm厚度,企業(yè)級硬盤是15mm。
圖6:圖片來自網(wǎng)絡(luò)
從上圖SFF-8639接口看,紅色標(biāo)識的為PCIe,能使用4個通道,但限制了更高帶寬和性能的提升空間。另外企業(yè)級厚度為15mm,相對E3.S薄盤7.5mm限制了密度的提升。
E3的高度允許SSD使用x4、x8甚至x16的PCIe接口,可實現(xiàn)的帶寬和可配置的運行功率更高。E3.S和E3.L分為“1T”和“2T”厚度版本(T代表Thickness,1T:厚度7.5mm,2T:厚度16.8mm),共4款。其中,E3.L 2T甚至可以實現(xiàn)70W的全功率運行,支持SSD達到更高更強的性能。
E3.S是E3中尺寸比較接近U.2 2.5英寸盤的版本,二者可以共享一個機箱,實現(xiàn)不同類型硬盤的混合部署。E3設(shè)備的連接器尺寸最小的1C型號是23.88mm寬,與M.2連接器大小相同;支持PCIe x16鏈路的4C型號為57.02mm,比U.2的SFF-8639明顯小了許多,背板可以做得更小,降低散熱的流阻,更好的散熱能使E3.S/2T支持到40W,從而適配PCIe Gen5和未來Gen6的性能。另外,一些服務(wù)器廠商也在探索基于E3的新型設(shè)備,如GPU、FPGA、NIC等,在存儲之外EDSFF E3也將為企業(yè)級應(yīng)用帶來更多可能。
圖7
在服務(wù)器中的應(yīng)用場景
EDSFF是專為企業(yè)和數(shù)據(jù)中心而制定的硬盤外形尺寸設(shè)計規(guī)范,可以在1U服務(wù)器上實現(xiàn)PB級的存儲能力,更可以在2U服務(wù)器上獲得更加極致的存儲性能。(1U=4.445厘米,2U=4.445*2=8.89厘米)。
EDSFF標(biāo)準(zhǔn)是面向企業(yè)和數(shù)據(jù)中心針對NAND Flash特點來優(yōu)化的,逐步擺脫機械硬盤HDD的尺寸影響,可提供更靈活、擴展性更強的存儲方案,成為數(shù)據(jù)中心SSD標(biāo)準(zhǔn)的演變趨勢。
圖8
E1.S規(guī)格相較于M.2規(guī)范,擁有更高的存儲密度,因為容納兩排NAND顆粒,滿足高容量超大規(guī)模服務(wù)器的存儲方案,另外比E1.L外形更短一些,針對1U服務(wù)器可提供更高效散熱設(shè)計。
E1.S讓SSD的體積得到大幅縮減,在1U服務(wù)器中,可容納多達32個9.5mm的E1.S硬盤,這比使用15mm的U.2固態(tài)硬盤解決方案的密度提高了3倍多。而15mm的E1.S硬盤,與傳統(tǒng)的2.5英寸固態(tài)硬盤厚度相同,在1U服務(wù)器中可以容納24個,15mm的E1.S硬盤可將額外的空間用于散熱,并允許使用25W的設(shè)備。其小巧的尺寸還允許服務(wù)器廠商在保留一定數(shù)量的前面板E1.S接口同時,還可提供一定數(shù)量的PCIe/OCP NIC插槽,或者與E3、U.2 SSD混合部署,非常靈活。
E1.L雖然可以容納更多FLASH,但因為過長不利于高速信號布線,需要服務(wù)器同步更改配合;E1.L硬盤的彈性變大,一旦彎折容易造成PCB損傷,硬件可靠性變低;E1.L目的是為1U服務(wù)器提供大容量盤的解決方案。
E3.S規(guī)格可以在2U服務(wù)器中垂直安裝或在1U服務(wù)器中水平安裝,擁有7.5mm和16.8mm兩種厚度。在傳統(tǒng)2U服務(wù)器中,前置U.2 SSD數(shù)量最多24個,換成E3.S/2T之后可以放23個(2T厚度為16.8mm,U.2厚度15mm,所以數(shù)量上少一個);而E3.S/1T則最多可以做到46個熱插拔位,密度優(yōu)勢相當(dāng)明顯。
E3.S在1U機箱中需要橫過來放,16.8mm的厚盤可以放10個(與U.2數(shù)量相同),7.5mm薄盤則可以放20個,比U.2多一倍。
總結(jié)
EDSFF的外形尺寸都共享相同的協(xié)議(NVMe)、相同的接口(PCIe)、相同的邊緣連接器(SFF-TA-1002)、相同的引腳排列和功能(SFF-TA-1009)。選擇部分主流外形尺寸標(biāo)準(zhǔn)及應(yīng)用情況對比如下圖所示:
圖9
到PCIe5.0后,U.2和M.2可支持的帶寬和性能以及電氣特性上已經(jīng)很難達到要求了,切換到E1.S和E3.S是必然趨勢。
E1.S是EDSFF標(biāo)準(zhǔn)演進中的明星選擇,它以寬度換長度,共享相同的PCB;為足夠滿足PCIe Gen5及以上的固態(tài)硬盤散熱能力,9.5mm、15mm會成為主流選擇。
E3.S形態(tài)與U.2形態(tài)接近,傳統(tǒng)的服務(wù)器結(jié)構(gòu)更容易兼容設(shè)計,可自然過渡到E3形態(tài)。E3的額外高度可使用x8、x16的連接器,能提供更多的通道從而支持更大的帶寬。2U可以容納更多的E3.S/1T薄盤數(shù)量,密度可以進一步提升。厚盤可以滿足更大功耗的要求。
憶聯(lián)E3.S 1T形態(tài)的SSD驗證版本目前已完成所有測試驗證,正式產(chǎn)品也即將發(fā)布;后續(xù)也將規(guī)劃E1.S(9.5mm/15mm)形態(tài)及大容量高散熱需求的E3.S/2T形態(tài)產(chǎn)品,敬請期待。
憶聯(lián)UH711a E3.S 形態(tài)
憶聯(lián)E3.S 1T形態(tài)的SSD可提供1C連接器接口尺寸,性能及可靠性規(guī)格均滿足各場景使用要求,隨著憶聯(lián)E3.S 1T 產(chǎn)品的到來,意味著憶聯(lián)在前沿技術(shù)趨勢和研發(fā)創(chuàng)新上已取得進一步的成果,憶聯(lián)的SSD產(chǎn)品已達到國內(nèi)領(lǐng)先水平,也代表著國產(chǎn)廠商在全球SSD行業(yè)開始嶄露頭角。
審核編輯:湯梓紅
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原文標(biāo)題:EDSFF硬件外形尺寸標(biāo)準(zhǔn)演進及趨勢
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