2022年8月17日，由全球電子技術領域的領先媒體集團ASPENCORE舉辦的IIC國際集成電路展覽會暨中國IC設計成就獎頒獎典禮在南京隆重舉行，憑借優(yōu)秀的技術產品化和商業(yè)化落地能力，維安(WAYON)自主設計研發(fā)的WMO05N100C2(1000V 3.5Ω TO-252/DPAK SJ-MOSFET)產品獲得2022中國IC設計成就獎之年度最佳功率器件/寬禁帶器件獎。

中國IC設計成就獎是中國電子業(yè)界廣泛認可、最具專業(yè)性和影響力的獎項之一，旨在表彰在中國IC設計鏈中占據領先地位或展現(xiàn)卓越設計能力與技術服務水平、或具極大發(fā)展?jié)摿Φ淖罴压尽F體、以及杰出個人，獲此殊榮，維安在此特別感謝IC設計成就獎的主辦單位及各位業(yè)界同仁們，感謝大家對我們的支持及肯定。

維安面向全球市場，在800V及以上超高壓產品進行了大量的技術投入。經過多年在超高壓SJ-MOSFET產品領域的研發(fā)積累，維安已開發(fā)出國內領先的工藝技術，相應小封裝高耐壓低導通電阻類產品可以做到行業(yè)內較高水平，能夠為客戶提供高功率密度的800V及900V以上耐壓產品。維安1000V SJ-MOSFET產品利用電荷平衡原理，實現(xiàn)了高耐壓產品的低導通電阻特性，相比VD-MOSFET 結構工藝產品，SJ-MOSFET具有更小封裝工藝和更好成本控制的雙重優(yōu)勢。

目前市場主流的1000V耐壓MOSFET產品多以TO-247、TO-3P甚至TO-268較大封裝為主，而維安1000V器件WMO05N100C2使用TO-252/DPAK貼片封裝工藝，內阻低至3.5Ω，相比同規(guī)格VD-MOSFET產品 6-7Ω的內阻水平下降近1倍。目前該類型產品在工業(yè)控制、中低壓配電等380V AC輸入場景中具有廣泛應用前景。

獲獎產品曾獲得2016年上海張江國家自主創(chuàng)新示范區(qū)專項發(fā)展資金資助，榮獲“2018年上海市高新技術成果轉化項目”、“2019年度浦東新區(qū)科技進步三等獎“、“2020年科創(chuàng)投杯海聚英才-銀聚獎”。

半導體是電子信息領域戰(zhàn)略性、先導性產業(yè)，是支撐國家電子信息技術高速發(fā)展的基石產業(yè)，維安通過關鍵技術創(chuàng)新，突破了傳統(tǒng)功率半導體器件中耐壓和導通電阻之間相互制約的“硅限”問題，使得功率半導體器件在高耐壓、低功耗、小型化、集成化的方向具有更大的技術優(yōu)勢，為功率電源提供了可靠的核心器件，廣泛應用到國家戰(zhàn)略新興產業(yè)，產生了良好的社會經濟效益。

維安成立于1996年，以收入計，是國內電路保護領域第一大企業(yè)，專注于電路保護與功率控制的元器件及半導體解決方案的設計、制造、銷售。公司通過不斷的技術創(chuàng)新，致力于成為電路保護與功率控制領域的全球領先品牌。

審核編輯黃昊宇