在线观看www成人影院-在线观看www日本免费网站-在线观看www视频-在线观看操-欧美18在线-欧美1级

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

FEC衍生的SEI膜可以抑制薄膜電極的開裂

清新電源 ? 來源:能源學人 ? 2023-01-03 10:14 ? 次閱讀

【研究背景】

大量研究證明SEI膜的理化性質對硅材料的穩定性具有重要的作用;硅在鋰化/脫鋰的過程中產生的體積效應會使得材料產生裂紋并破壞SEI膜;即使可以再次生成新的SEI膜,但是這個過程會使得SEI膜的性質變的十分不穩定。因此,設計并開發一種穩定的SEI膜至關重要。

【工作簡介】

近日,韓國嶺南大學Taeho Yoon團隊通過硅薄膜電極和電化學石英晶體微天平(EQCM)研究了硅表面SEI膜的性質與裂紋產生之間的關系。作者通過改變硅薄膜厚度來控制電極中的應力分布和開裂行為;通過測量石英電極的頻率變化來監測裂紋表面上額外SEI膜的產生。

實驗結果驗證了硅表面穩定的SEI膜可以通過降低應力釋放率來抑制裂紋的產生;作者通過對電解液的成分分析證實了氟代碳酸亞乙酯(FEC)衍生的穩定的SEI膜可以抑制薄膜電極的開裂。這是第一次表明SEI可以抑制活性材料的開裂,這為研究SEI膜的作用提供了新的方向。相關工作以“Inhibition of Si Fracture Via Rigid Solid Electrolyte Interphase in Lithium-Ion Batteries”為題發表在國際期刊Adv. Energy Mater.上。

【文章詳情】

薄電極的EQCM響應

8946f074-8ab5-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

圖1:a) 薄電極的電化學石英晶體微天平結果:質量和電流隨電極電位的變化(上部);dm/|dV|-V變化圖(中部)和 dm/|dQ|-V(底部)。b) CV圖。c-e) 循環前和循環后的掃描電子顯微鏡(SEM)圖。f) CV期間的體積變化和應力變化圖。

作者首先測量了Si薄電極(80 nm)的電流響應和頻移情況(圖 1),結果表明在電流-電壓圖中,鋰化峰(0.005 V)和脫鋰峰(0.5 V)比SEI膜形成峰(0.4 V)更尖銳;而在dm/|dV|-V圖中,SEI膜的形成峰比其他峰更突出,所以電流對鋰化和脫鋰過程反應敏感,而dm/|dV|對SEI膜的形成更敏感。結果還表明80 nm厚的硅電極在脫鋰過程中的dm/|dQ|值與理論值收斂,這表示硅電極上幾乎沒有出現任何裂紋。

厚電極的 EQCM 響應

8956b0cc-8ab5-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

圖2:a)厚電極的電化學石英晶體微天平結果:質量和電流隨電極電位的變化(上部);dm/|dV|-V變化圖(中部)和 dm/|dQ|-V(底部)。b) 100 nm厚電極的CV圖。c-e) 循環前和循環后的掃描電子顯微鏡(SEM)圖像。f) CV期間電極的開裂行為。

8975e1b8-8ab5-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

圖3:100 nm厚電極CV循環中對應的ΔR?Δf圖(在基礎電解液條件下)。

作者通過研究100 nm厚電極的EQCM發現其脫鋰過程行為有明顯的變化;ΔmS急劇增加,ΔmC下降的現象(高于0.6 V)表明脫鋰后期耗散效應變得顯著,這與裂紋表面上SEI膜的形成和硅的局部分層有關。研究還表明EQCM 測量的頻率變化與額外的SEI膜形成和界面開裂相關;并且薄電極在一定應力下的能量釋放率較低且低于斷裂韌性;而較厚電極在一定應力下的能量釋放率高;因此,在薄電極中幾乎沒有裂紋的存在而厚電極中存在明顯的裂紋。

FEC對Si開裂的影響

8982b4c4-8ab5-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

圖4:在基礎電解液和添加FEC的電解液中獲得的電化學石英晶體微天平和掃描電子顯微鏡結果。a) 100 nm和b) 110 nm厚的硅電極在基礎電解質中的質量隨開裂和分層現象的變化。c-d) CV循環后110 nm厚電極的SEM圖像。e) 100 nm和f) 110 nm厚的硅電極在添加FEC的電解質中質量變化曲線。g-h) CV循環后的110 nm厚電解質的SEM圖像。

作者通過分析硅薄膜在基礎電解液和添加FEC的電解液中的CV和EQCM響應得出FEC的引入降低了硅電極的應力釋放速率,進而抑制了材料開裂和分層。另外,作者提出具有足夠彈性并能夠與硅牢固結合的SEI膜可以充當屏障來抑制活性材料開裂。在常見的電解液中,研究發現VC和LiBF4無法形成高彈性的SEI膜來抑制材料的開裂行為,而FEC衍生的SEI膜可以滿足屏障的要求并抑制硅薄膜開裂。

8995e328-8ab5-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

圖5:110 nm厚的硅電極在添加了VC和FEC的電解液中的a) CV圖和b) ?R–?f圖。(以 0.25 mV s-1的掃描速率循環)

通過比較不同電壓下的ΔR來估計SEI膜的機械性能。結果表明添加了 FEC的電解液中會產生良好的SEI膜,FEC衍生的SEI膜會抑制電解質的進一步還原,這些明顯降低了能量釋放率并減少了硅中裂紋的產生。因此,FEC衍生出的SEI膜具有彈性高,質量低的優點,其可以作為屏障有效的抑制裂紋的產生。

【結果與展望】

本研究通過硅薄膜電極和電化學石英晶體微天平(EQCM)研究了硅表面的SEI膜的性質與裂紋產生之間的關系。改變硅薄膜厚度來控制電極中的應力分布和開裂行為;測量石英電極的頻率變化來監測裂紋表面上額外SEI膜的產生。實驗結果驗證了硅表面穩定的SEI膜可以通過降低應力釋放率來抑制裂紋的產生;作者通過對電解液的成分分析證實了氟代碳酸亞乙酯(FEC)衍生的穩定的SEI膜可以抑制薄膜電極的開裂。這是第一次表明SEI膜可以抑制活性材料的開裂,這項研究將促進SEI膜在其他電池體系中機械性能的研究。






審核編輯:劉清

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • 電解液
    +關注

    關注

    10

    文章

    860

    瀏覽量

    23443
  • FEC
    FEC
    +關注

    關注

    0

    文章

    40

    瀏覽量

    13950
  • 薄膜電極
    +關注

    關注

    0

    文章

    3

    瀏覽量

    5922

原文標題:?硅負極表面剛性SEI膜有效地抑制裂紋產生

文章出處:【微信號:清新電源,微信公眾號:清新電源】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

收藏 人收藏

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    貼片電阻的厚薄膜工藝之別

    印刷工藝,通過在陶瓷基底上貼一層鈀化銀電極,再于電極之間印刷一層二氧化釕作為電阻體,其電阻厚度通常在100微米左右。而薄膜電阻則運用真空蒸發、磁控濺射等工藝方法,在氧化鋁陶瓷基底上通
    的頭像 發表于 04-07 15:08 ?252次閱讀
    貼片電阻的厚<b class='flag-5'>膜</b>與<b class='flag-5'>薄膜</b>工藝之別

    HPM6E00的SEI使用討論

    雖然SEI的SDK覆蓋了大部分協議,但看寄存器描述的時候還是有個別配置不知道怎么用,比如SYNC_POINT,TXD_POINT這些POINT是根據什么來計算的
    發表于 03-19 14:53

    Techwiz LCD 1D應用:光學薄膜設計與分析

    偏光片是用二向色染料染色聚乙烯醇基薄膜,然后拉伸制成的。然后,TAC(三乙酰纖維素)附著在偏光片的頂部作為保護。PET(聚對苯二甲酸乙二醇酯)作為TAC薄膜的替代品,雖然性價比高,但它存在嚴重
    發表于 03-14 08:47

    新質生產力工藝技術材料 | 聚酰亞胺PI薄膜電熱及用途

    PI電加熱,即聚酰亞胺電熱,是一種以聚酰亞胺薄膜為外絕緣體,以金屬箔或金屬絲(如鎳鉻合金蝕刻發熱片)為內導電發熱體,經高溫高壓熱合而成的電熱元件。以下是關于PI電加熱及其作用的詳
    的頭像 發表于 01-05 22:20 ?1113次閱讀
    新質生產力工藝技術材料 | 聚酰亞胺PI<b class='flag-5'>薄膜</b>電熱<b class='flag-5'>膜</b>及用途

    TechWiz LCD 2D應用:IPS電極仿真

    “Mask 1”的寬度設置了三個變量,則其余連接的掩寬度也需要設置三個變量 3. 結果查看 3.1 結構與透過率。可以在右側直接選擇不同的變量,來查看不同變量下的狀態,如下圖 3.2 不同電極寬度下的圖表
    發表于 12-09 13:06

    薄膜電阻和厚電阻區別介紹

    在電子電路設計中,選擇合適的電阻類型對于確保電路的性能和可靠性至關重要。厚電阻和薄膜電阻作為兩種常見的電阻類型,它們在制造工藝、精度、電流噪聲和溫度系數等方面有著顯著的差異。 制造工藝和結構
    的頭像 發表于 11-24 16:05 ?1319次閱讀
    <b class='flag-5'>薄膜</b>電阻和厚<b class='flag-5'>膜</b>電阻區別介紹

    如何辨別薄膜電阻與厚電阻?

    辨別薄膜電阻與厚電阻,可以從以下幾個方面進行: 一、外觀與尺寸 外觀:觀察電阻的外觀,如果電阻表面有一層薄膜涂層,可能為薄膜電阻;而厚
    的頭像 發表于 11-18 15:12 ?831次閱讀
    如何辨別<b class='flag-5'>薄膜</b>電阻與厚<b class='flag-5'>膜</b>電阻?

    淺談薄膜沉積

    薄膜沉積工藝技術介紹 薄膜沉積是在半導體的主要襯底材料上鍍一層。這層可以有各種各樣的材料,比如絕緣化合物二氧化硅,半導體多晶硅、金屬銅等
    的頭像 發表于 11-01 11:08 ?2871次閱讀

    重新認識什么是防水透氣

    ?防水透氣是膜分離技術所衍生出來的一種高分子材料,是一種用特殊工藝制造的,具有選擇透過性的薄膜。防水透氣可以讓一些小于防水透氣
    的頭像 發表于 10-13 08:02 ?758次閱讀
    重新認識什么是防水透氣<b class='flag-5'>膜</b>

    薄膜電容的厚度

    薄膜電容在電子設備中重要,由金屬電極和介質塑料薄膜材料構成,薄膜電容的薄膜厚度影響性能,選購需根據應用場合和參數挑選的
    的頭像 發表于 10-10 17:03 ?953次閱讀
    <b class='flag-5'>薄膜</b>電容的厚度

    智旭電子 薄膜電容的厚度

    薄膜電容在電子設備中重要,由金屬電極和介質塑料薄膜材料構成,薄膜電容的薄膜厚度影響性能,選購需根據應用場合和參數挑選的
    的頭像 發表于 10-10 17:02 ?418次閱讀

    太陽測試儀的技術原理和應用場景

    玻璃和薄膜的生產和質檢過程中,太陽測試儀被用于檢測產品的光學性能。通過測量產品的透光率、反射率等指標,可以確保產品質量符合標準要求。 科研與教育:在科研和教育領域,太陽測試儀被用于
    發表于 09-29 14:18

    薄膜電阻的特點有哪些

    的電阻器件。其基本結構包括基底、薄膜層、電極等部分。薄膜層是薄膜電阻的核心部分,其厚度通常在微米級別,具有很高的電阻率。基底材料通常為陶瓷、玻璃、硅等,具有良好的絕緣性能和機械強度。
    的頭像 發表于 08-19 15:12 ?1440次閱讀

    薄膜電阻與厚電阻的主要區別及其優點

    薄膜電阻與厚電阻是兩種不同的電阻器類型,它們在材料、制造工藝、性能和應用方面存在一些顯著的區別。 一、薄膜電阻與厚電阻的定義 薄膜電阻:
    的頭像 發表于 08-19 15:09 ?3377次閱讀

    光學賽道火熱!深圳國際薄膜與膠帶展引領顯示技術新紀元

    全球躍升 薄膜技術閃耀升級 隨著消費電子、顯示設備、汽車顯示屏、照明系統等領域的快速發展,光學市場(細分為背光、偏光片、擴散、反射
    的頭像 發表于 08-16 14:14 ?568次閱讀
    主站蜘蛛池模板: 性生交酡| 在线午夜视频 | 成人啪啪免费视频 | 午夜欧美福利视频 | 四虎永久地址4hu紧急入口 | 爽死你个放荡粗暴小淫视频 | 色天天天天综合男人的天堂 | 我被黑人巨大开嫩苞在线观看 | 亚洲成人高清在线 | 妇女交性大片 | 亚洲人成在线精品不卡网 | 天天操人人| 男男gay污小黄文 | 国产色吧 | 男女交性视频播放 视频 视频 | 天天躁夜夜躁狠狠躁2021a | 婷婷久久综合九色综合98 | 欧美奇米 | 日本大片网 | 天堂最新版免费观看 | 色色色色色色色色色色色色 | 69hdxxxx日本| 日本福利小视频 | 欧美成人全部免费观看1314色 | 天天综合亚洲 | 国产精品看片 | 免费性视频 | 黄色毛片免费看 | 黄到让你下面湿的视频 | 久久久久久久综合狠狠综合 | 欧美zooz人禽交免费观看 | 香港日本三级在线播放 | 老师叫我揉她内裤越快越好 | 激情网五月| 国产精品成人一区二区三区 | 欧美专区欧美吧 | 国产在线精品观看 | 一 级 黄 色 片生活片 | 波多野结衣在线观看一区二区三区 | 手机看片91 | 四虎在线网址 |