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Rdson和Vgs、Vds有怎樣的關系?

硬件微講堂 ? 來源:硬件微講堂 ? 2023-01-05 11:11 ? 次閱讀

在上一篇文章中我們聊了“Rdson對應MOS管的哪個工作區(qū)?”這個問題,并得出Rdson對應的是可變電阻區(qū)的結論。在討論的過程中,提到了Vgs對MOS管導電溝道寬度的控制作用,這里又萌生另外一個問題。

一道問題

照例,先拋出來一道問題:Rdson和Vgs、Vds有怎樣的關系?如果Vgs增大,Rdson如何變化?如果Vds增加,Rdson又如何變化?這道題,在面試或筆試中大概率不會涉及。但是為了進一步夯實硬件技術基礎,有必要去研究下。

可變電阻區(qū)

在《Rdson對應MOS管的哪個工作區(qū)?》文章中,我們花大量篇幅講解Rdson是對應MOS管的可變電阻區(qū)。可變電阻區(qū)是什么情形?如下圖所示:

dc5506f8-8c3f-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

首先是Vgs>Vth,將襯底中的空穴被向下排斥,襯底中的少子(電子)被向上吸引,形成反型層,產生N型導電溝道。接著是Vds<=Vgs-Vth,由于Vds的存在,溝道會變成梯度,兩端的寬度不均勻。滿足這兩個條件,MOS管才處于可變電阻區(qū)。

這上面的過程描述的有些簡單粗暴,如果要考慮“Rdson和Vgs的關系”,這還不夠,需要把上述過程做進一步細化。

Vds比較小的時候

當外部施加的Vds還比較小時,比如處于mV級別,此時的Vds電壓會在溝道內產生電流id。該電流由溝道內的自由電子構成,id的大小就取決于溝道內自由電子的密度,而此時,電子密度是取決于Vgs的大小。

Vgs超過Vth的部分越多,導電溝道內被吸引的自由電子越多,此時可形象地理解為溝道內的載流子就越多,溝道寬度就越大。此時Rdson和(Vgs-Vth)呈反比,電流id和(Vgs-Vth)呈正比。

如果從導電溝道的形狀來判斷,此時由于Vds較小,溝道還處于矩形或近似矩形,未發(fā)生明顯的形變。

如果從id-Vds的輸出特性曲線來判斷,此時曲線的斜率(電導,電阻的倒數)只取決于Vgs-Vth。而我們在討論可變電阻區(qū)時,第一個前置條件就是Vgs>Vth且保持某數值不變,所以此時,輸出特性曲線的斜率是不變的,Rdson也是不變的。

Nexperia的PMX100UNE為例,具體看一下MOS管的Id和Vds的輸出特性曲線,在Vds較小時,輸出特性曲線近似為一條直線,斜率不變,電導不變,及電阻Rdson不變。此時的Rdson不會隨Vds變化,只隨Vgs變化。Vgs不變,Rdson不變;Vgs增大,Rdson減小。

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Vds增大到不能忽略時

審核編輯:湯梓紅

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原文標題:Rdson和Vgs、Vds有怎樣的關系?

文章出處:【微信號:hjldws,微信公眾號:硬件微講堂】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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