本應用筆記介紹了用于測定ΘJA和 ΘJC DS2107A,以及如何計算功耗。
DS2107A用于SCSI系統,為9條信號線提供有源端接。在典型的8位寬數據配置(A電纜)中,需要兩個DS2107A來完全端接總線(9條控制線+8條數據線+1條奇偶校驗線)。在16位寬數據配置(P電纜)中,完全端接總線需要3個DS2107A(9條控制線+16條數據線+2條奇偶校驗線)。兩種封裝是DS2107AS(16引腳SOIC)和DS2107AE(20引腳TSSOP)(薄型收縮小外形封裝)。
半導體芯片溫度是半導體運行和長期可靠性的關鍵特性。熱阻θ(Θ)用于確定半導體封裝的散熱能力。較低的 Θ 值對應于更好的熱傳導。結溫、外殼溫度和環境溫度很重要,因為這些是功耗的領域。ΘJA和 ΘJC分別是結到環境和結到外殼的熱阻。模具溫度,T死,可以按如下方式計算:
其中 P消散是半導體消耗的功率。附錄 A 中顯示了計算示例。
ΘJA和 ΘJC在DS2107AS和DS2107AE上使用眾所周知的V進行測量是正向偏置二極管作為測量元件的變化。由于正向偏置二極管電壓與溫度呈線性依賴性,并且二極管中測量結溫(~2mW)的功耗很小,因此這種方法是此類測量的首選。二極管V是在整個溫度范圍內進行測量以校準芯片溫度讀數。接下來,將DS2107A的各種電阻組合接地并運行10分鐘,以確保管芯溫度在給定功率水平下的穩定性。最后,二極管V是測量并參考校準圖以確定芯片溫度。The ΘJA和 ΘJC然后根據已知的環境和外殼溫度計算出來。測試結果如表1所示。這些值是在 1 瓦特下測量的平均值。
表 1.
ΘJA | ΘJC | |
DS2107AS | 60°C/寬 | 19°C/寬 |
DS2107AE | 93°C/寬 | 19°C/寬 |
圖1顯示了測量Θ的結果JA和 ΘJC與耗散的功率相比。由于隨著功率的增加,芯片溫度受功耗的影響更大,因此圖中最重要的部分位于右側。
在電路板設計中使用散熱器可改善DS2107A的熱特性。TSSOP 封裝具有一個定制引線框架,將芯片直接連接到散熱器接地引腳,所有焊盤均為雙鍵合。這使得DS2107AE在TSSOP封裝中具有業界最佳的熱性能。
圖1.ΘJA和 ΘJC(°C/W) 與功耗 (W) DS2107AS、DS2107AE
典型或標稱功耗可通過使用以下五個變量計算:
RTERM | 端接電阻 |
TERMPWR | 終端 PoWeR 電壓 |
VREF | 穩壓器輸出電壓 |
VSL | SCSI信號線上的電壓(在 零狀態 |
%直流 | 占空比百分比 |
DS2107A功耗的計算公式(以瓦特為單位):
((VREF - VSL) / RTERM) × 9 × TERMPWR × %DC
例如,以下計算表示正常條件下的功耗。
參數 | 標稱值 |
RTERM | 110Ω |
TERMPWR | 5.0V |
VREF | 2.85V |
VSL | 0.5V |
%直流 | 30% |
該 P消散在正常情況下是:
((2.85 - 0.5) / 110) × 9 × 5.0 × 30% = 0.288 瓦
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