IGBT、MOSFET和雙極晶體管的可持續供貨渠道
在諸多應用中，電源管理IC對于節能技術而言變得愈發重要。對IGBT、MOSFET和雙極晶體管的需求也隨之持續增長。雖然半導體供應鏈已逐漸趨于穩定，但對于許多分立器件而言，現貨采購仍然是一個挑戰。
隨著在工業、能源和國防等行業的廣泛應用，以及在汽車中的用量也不斷增長，諸如 IGBT、MOSFET 和雙極晶體管等分立器件仍面臨著交期延長的情況。
為客戶提供稀缺難求元器件的持續支持，羅徹斯特電子擁有超過20億片晶體管和柵極驅動器的現貨庫存，覆蓋2萬多種產品型號。庫存不僅包括停產元器件，還包括仍在量產的型號，其中40%產品的原廠交期已延長至20周以上。
羅徹斯特電子銷售的所有產品100% 原廠授權，可追溯，有認證，有保障。涵蓋眾多知名制造商，包括英飛凌(Infineon)、安世(Nexperia)、安森美(ONSEMI)和瑞薩(Renesas)等。此外，我們還備有大量相關的電源管理、二極管和保護器件。
豐富的MOSFET、IGBT和柵極驅動器產品，包括：
MOSFET
IGBT
IGBT模塊
柵極驅動器
審核編輯 ：李倩
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
MOSFET
+關注
關注
148文章
7738瀏覽量
216745 -
IGBT
+關注
關注
1274文章
3904瀏覽量
252240 -
晶體管
+關注
關注
77文章
9892瀏覽量
139988
原文標題：IGBT、MOSFET和雙極晶體管的可持續供貨渠道
文章出處：【微信號：羅徹斯特電子，微信公眾號：羅徹斯特電子】歡迎添加關注！文章轉載請注明出處。
發布評論請先 登錄
相關推薦
互補MOSFET脈沖變壓器的隔離驅動電路設計
結合 GTR 和功率 MOSFET 而產生的功率絕緣柵控雙極晶體管(IGBT)。在這些開關器件中，功率 MOSFET 由于開關速度快,驅動功率小,易并聯等優點成為開關電源中最常用的器件
發表于 03-27 14:48
集成雙極晶體管的MOSFET驅動電路以及外圍器件選型設計講解
前言
在MOSFET驅動電路中，經常會遇到使用集成雙極晶體管BJT作為柵極驅動器的情況。這種設計在PWM控制或電機驅動中非常常見，尤其是在需要快速開關和高效率時。下面是一個典型的帶有BJT的柵極驅動
發表于 03-11 11:14
RIGOL IGBT雙脈沖測試應用案例介紹
）及全控型（IGBT、MOSFET 為主）。其中IGBT（絕緣柵雙極晶體管）被廣泛應用于中、高電壓及大電流場合的功率半導體器件。它綜合了 MOSFE
IGBT輸出是交流還是直流
絕緣柵雙極晶體管（IGBT）是一種電力電子設備，廣泛用于各種電力轉換和控制應用中。IGBT本身是一種半導體器件，它可以在電路中起到開關的作用，控制電流的流動。IGBT的輸出可以是交流（
NMOS晶體管和PMOS晶體管的區別
NMOS晶體管和PMOS晶體管是兩種常見的金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）類型，它們在多個方面存在顯著的差異。以下將從結構、工作原理、性能特點、應用場景等方面詳細闡述NMO
CMOS晶體管和MOSFET晶體管的區別
CMOS晶體管和MOSFET晶體管在電子領域中都扮演著重要角色，但它們在結構、工作原理和應用方面存在顯著的區別。以下是對兩者區別的詳細闡述。
真空回流焊爐/真空焊接爐——IGBT功率器件焊接
IGBT，全稱絕緣柵雙極晶體管（Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT），是一種功率開關元件，綜合了電力晶體管（Giant Transistor）和
igbt模塊與mos的區別有哪些
IGBT（絕緣柵雙極晶體管）和MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）是兩種常見的功率半導體器件，它們在許多應用中都有廣泛的應用。 工作原理 I
igbt功率管和場效應管的區別和聯系是什么
IGBT（絕緣柵雙極晶體管）和MOSFET（金屬-氧化物-半導體場效應晶體管）是兩種常見的功率半導體器件，它們在許多電子設備中都有廣泛的應用。盡管它們在功能上有一定的相似性，但在結構、
igbt柵極驅動的參數要求和驅動條件
IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種功率半導體器件，廣泛應用于電力電子領域。IGBT柵極驅動是IGBT正常工作的關鍵部分，其參數要求和驅動條件對IGB
降壓開關穩壓器如何使用串聯晶體管
（是絕緣柵雙極晶體管或 IGBT）作為其主要開關器件，如下所示。 降壓開關穩壓器 降壓開關穩壓器 我們可以看到，降壓轉換器的基本電路配置是串聯晶體管開關TR 1以及相關的驅動電路（使輸出電壓盡可能接近所需
發表于 06-18 14:19
安森美發布第7代1200VQDual3絕緣柵雙極晶體管(IGBT)功率模塊
近日，智能電源和智能感知技術的領先企業安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)，最新發布第 7代1200VQDual3 絕緣柵雙極晶體管(IGBT)功率模塊，與其他同類產品相比，該模塊
Littelfuse宣布推出IX4352NE低側SiC MOSFET和IGBT柵極驅動器
Littelfuse宣布推出IX4352NE低側SiC MOSFET和IGBT柵極驅動器。這款創新的驅動器專門設計用于驅動工業應用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率絕緣柵雙極晶體管
IGBT組成的H橋功率單元和級聯拓撲結構有什么不同？
IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種電力電子設備中常用的高效能開關器件，它結合了MOSFET的高輸入阻抗和雙極晶體管的低導通壓降特點。
工商網監
評論