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無需阻塞二極管即可保護敏感電路免受過壓和反向電源連接的影響

星星科技指導(dǎo)員 ? 來源:ADI ? 作者:Victor Fleury ? 2023-01-29 14:35 ? 次閱讀

如果有人將 24V 連接到您的 12V 電路會發(fā)生什么?如果電源線和地線無意中顛倒了,電路還能存活嗎?您的應(yīng)用是否位于輸入電源可能非常高甚至低于地電位的惡劣環(huán)境中?即使這些事件不太可能發(fā)生,也只需要一個就可以破壞電路板。

您可以做些什么來保護您的敏感電路免受過高、過低甚至負(fù)電壓的影響?為了阻斷負(fù)電源電壓,系統(tǒng)設(shè)計人員傳統(tǒng)上將功率二極管與電源串聯(lián)。然而,該二極管占用寶貴的電路板空間,并在高負(fù)載電流下消耗大量功率。

另一種常見的解決方案是將高壓P溝道MOSFET與電源串聯(lián)。P 溝道 MOSFET 的功耗低于串聯(lián)二極管,但 MOSFET 及其驅(qū)動所需的電路會增加成本。

這兩種解決方案的一個缺點是它們犧牲了低電源工作,尤其是串聯(lián)二極管。此外,兩者都不能防止電壓過高,而這種保護需要更多的電路,包括高壓窗口比較器電荷泵。

欠壓、過壓和反向電源保護

LTC?4365 是一款獨特的解決方案,可優(yōu)雅而穩(wěn)健地保護敏感電路免受不可預(yù)測的高或負(fù)電源電壓的影響。LTC4365 可阻斷高達(dá) 60V 的正電壓和低至 –40V 的負(fù)電壓。只有安全工作電源范圍內(nèi)的電壓才會傳遞到負(fù)載。唯一需要的外部有源元件是連接在不可預(yù)測電源和敏感負(fù)載之間的雙通道N溝道MOSFET。

圖 1 顯示了一個完整的應(yīng)用程序。電阻分壓器設(shè)置過壓 (OV) 和欠壓 (UV) 跳變點,用于連接/斷開負(fù)載與 V在.如果輸入電源在此電壓窗口之外徘徊,則 LTC4365 會迅速斷開負(fù)載與電源的連接。

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圖1.完整的 12V 汽車欠壓、過壓和反向電源保護電路

雙通道 N 溝道 MOSFET 可阻斷 V 電壓的正電壓和負(fù)電壓在.LTC4365 在正常工作期間為外部 MOSFET 的柵極提供了 8.4V 的增強型。LTC4365 的有效工作范圍低至 2.5V 和高達(dá) 34V — OV–UV 窗口可在此范圍內(nèi)的任意位置。V 處無保護夾在大多數(shù)應(yīng)用都需要,進(jìn)一步簡化了電路板設(shè)計。

準(zhǔn)確快速的過壓和欠壓保護

LTC4365 中的兩個準(zhǔn)確的 (±1.5%) 比較器監(jiān)視 V 時的過壓 (OV) 和欠壓 (UV) 情況在.如果輸入電源分別高于OV或低于UV門限,則外部MOSFET的柵極會迅速關(guān)斷。外部電阻分壓器允許用戶選擇與 V 負(fù)載兼容的輸入電源范圍外.此外,UV和OV輸入具有非常低的漏電流(在100°C時典型值為<1nA),允許外部電阻分壓器中的大值。

圖2顯示了圖1電路如何響應(yīng)為V。在從 –30V 緩慢斜坡上升至 30V。UV 和 OV 門限分別設(shè)置為 3.5V 和 18V。V外軌道五在當(dāng)電源在3.5V–18V窗口內(nèi)時。在此窗口之外,LTC4365 關(guān)斷 N 溝道 MOSFET,從而斷開 V外從 V在,即使 V在為負(fù)數(shù)。

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圖2.負(fù)載保護為 V在從 –30V 掃描至 30V。

新型反向電源保護

LTC4365 采用一種新穎的負(fù)電源保護電路。當(dāng) LTC4365 在 VIN 上檢測到一個負(fù)電壓時,它會快速將柵極引腳連接至 VIN。柵極和VIN電壓之間沒有二極管壓降。當(dāng)外部 N 溝道 MOSFET 的柵極處于最大負(fù)電位 (VIN) 時,從 VOUT 到 VIN 處的負(fù)電壓的泄漏最小。

圖3顯示了當(dāng)VIN熱插拔至–20V時發(fā)生的情況,VIN、VOUT和GATE在連接之前從地電位開始。由于VIN和GATE連接的寄生電感,VIN和GATE引腳上的電壓明顯低于–20V。外部MOSFET必須具有能夠承受這種過沖的擊穿電壓。

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圖3.熱插拔V在至 –20V。

LTC4365 反向保護電路的速度通過 GATE 引腳在負(fù)瞬變期間跟隨 VIN 的緊密程度來證明。在所示的刻度上,這兩個波形幾乎無法區(qū)分。請注意,無需額外的外部電路即可提供反向保護。

交流阻斷

LTC4365 具有一個恢復(fù)延遲定時器,用于濾除 VIN 處的噪聲,并有助于防止 VOUT 處的顫振。發(fā)生OV或UV故障(或VIN變?yōu)樨?fù)值時)后,輸入電源必須返回到所需的工作電壓窗口至少36ms,以便重新打開外部MOSFET。

在不到 36ms 的時間內(nèi)退出然后重新進(jìn)入故障狀態(tài)可使 MOSFET 保持關(guān)斷狀態(tài)。

圖 4 示出了 LTC4365 阻斷一個 40V 至 –40V 的交流線路電壓。柵極引腳遵循 VIN在負(fù)部分,但當(dāng) VIN走向積極。請注意,VOUT保持不受干擾。

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圖4.36ms 恢復(fù)定時器可阻斷 28V、60Hz 交流線路電壓。

故障條件下的高壓瞬變

圖5所示為設(shè)計用于在過壓條件下產(chǎn)生瞬變的測試電路。標(biāo)稱輸入電源為 24V,過壓門限為 30V。圖6顯示了VIN過壓條件下的波形。這些瞬變?nèi)Q于VIN和GATE引腳上的寄生電感。電路在瞬變中幸存下來而沒有損壞,即使在實驗期間沒有使用可選的電源鉗(D1)。

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圖5.大 V 時的 OV 故障在電感。

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圖6.未使用TranZorb (TVS)時OV故障期間的瞬變。

在兩個電源之間進(jìn)行選擇

當(dāng)器件處于關(guān)斷狀態(tài)時,V在和 V外引腳可由兩個不同電源以不同的電壓驅(qū)動。LTC4365 自動將 GATE 引腳驅(qū)動到兩個電源中較低者以下,從而防止電流沿任一方向流過外部 MOSFET。圖 7 的應(yīng)用使用兩個 LTC4365 在兩個電源之間進(jìn)行選擇。應(yīng)注意確保在任何給定時間,兩個LTC4365中只有一個使能。

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圖7.在兩種電源之一之間進(jìn)行選擇。

VOUT 上電時的反向 VIN 熱插拔

LTC4365 可針對負(fù) VIN 連接提供保護,即使 VOUT 由一個單獨的電源驅(qū)動也是如此。當(dāng) LTC4365 處于停機模式且 VOUT 上電至 20V 時,圖 8 顯示了 VIN 熱插拔至 –20V 時的波形。只要不超過外部MOSFET的擊穿電壓(60V),VOUT上的20V電源就不會受到VIN反極性連接的影響。

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圖8.負(fù) V在帶 V 的熱插拔外動力。

結(jié)論

LTC4365 控制器可保護敏感電路免受過壓、欠壓和反向電源連接的影響。僅當(dāng)用戶可調(diào)UV和OV跳變門限限定電源電壓時,電源電壓才會傳遞到輸出端。此窗口之外的任何電壓都會被阻斷,最高可達(dá) 60V 和低至 –40V。

LTC4365 的新穎架構(gòu)實現(xiàn)了堅固、小巧的解決方案尺寸和極少的外部組件,并且采用纖巧的 8 引腳 3mm × 2mm DFN 和 TSOT-23 封裝。無需與電源串聯(lián)的反向電壓阻斷二極管;LTC4365 利用背靠背的外部 MOSFET 自動執(zhí)行此功能。LTC4365 具有一個 2.5V 至 34V 的寬工作范圍,并且在停機期間僅消耗 10μA 電流。

審核編輯:郭婷

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