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MOS管的米勒效應(yīng)(1)

硬件微講堂 ? 來源:硬件微講堂 ? 作者:硬件微講堂 ? 2023-02-01 10:18 ? 次閱讀

上篇文章聊了MOS管-傳輸特性曲線的細(xì)微之處,希望同學(xué)們能精準(zhǔn)識(shí)別三種特性曲線的區(qū)別,而不是死記硬背。研究MOS管,一定繞不開一個(gè)重要現(xiàn)象——Miller效應(yīng),今天我們就一起探討下,一次聊不完,可能會(huì)分幾篇來探討。

一個(gè)問題

照例,先拋出來一個(gè)問題:MOS管的米勒效應(yīng),重點(diǎn)是研究哪個(gè)電容的影響?為什么是它?

A、Cgs;B:Cgd;C:Cds;D:Cgb(襯底)

其實(shí)這個(gè)問題回答出是哪個(gè)電容并不難,難就難在說清楚為什么是它。

基于分析方法論看米勒效應(yīng)

網(wǎng)絡(luò)上關(guān)于米勒效應(yīng)、米勒平臺(tái)的文章很多,隨便一搜就能檢索出來很多。很多文章一上來,就直接說米勒效應(yīng)、米勒平臺(tái),而沒有說清楚為什么要學(xué)習(xí)米勒效應(yīng)。今天我們就換一個(gè)維度來切入米勒平臺(tái)。

前面在研究MOS管時(shí),我們知道MOS管有Vgs和Vds兩個(gè)關(guān)鍵變量。當(dāng)存在多個(gè)變量時(shí),我們有一個(gè)通用“分析方法論”:為了簡化分析過程,通常是先固定其他變量(讓其他變量等于0或某一固定值),只允許唯一個(gè)變量變化。根據(jù)上面的方法論,MOS管有兩個(gè)變量,共有4種情況需要分析。

7b3af65e-a173-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

回憶下在分析N溝道-增強(qiáng)型-MOS管時(shí),在分析Vgs的影響時(shí),我們假設(shè)Vds=0V;在分析Vds的影響時(shí),我們假設(shè)Vgs>Vth且不變。

現(xiàn)在,我們把這4種情況再分別討論下:

①條件:Vds=0V,變量:讓Vgs逐漸增大;

==>目的:研究Vgs對(duì)導(dǎo)電溝道寬度的控制作用;

結(jié)論:Vgs可以有效控制溝道電阻Rds的大小。

④條件:Vgs>Vth且保持在某一數(shù)值不變,變量:讓Vds逐漸增大。

==>目的:研究Vds對(duì)漏極電流Id的影響;

結(jié)論:預(yù)夾斷的臨界條件是Vds=Vgs-Vth。VdsVgs-Vth時(shí),飽和區(qū),Id幾乎只受Vgs影響。時(shí),可變電阻區(qū),id是同時(shí)受vgs和vds影響;vds>

上述兩種分析情況,在《Rdson對(duì)應(yīng)MOS管的哪個(gè)工作區(qū)?》文章中做過詳細(xì)解說,這里不做贅述。我們把這兩種情況更新到表格中,如下圖:

7b6649a8-a173-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

剩下的兩種情況 ,在教科書上很少提及,我們也分析下:

②條件:Vds>Vgs-Vth且保持在某一數(shù)值不變,變量:讓Vgs逐漸增大。

==>目的:研究Cgd對(duì)MOS管導(dǎo)通過程的影響;

==>巧不巧,這就是米勒平臺(tái)的形成過程!

③條件:Vgs=0V,變量:Vds逐漸增大;

==>MOS管一直處于截止?fàn)顟B(tài),沒有導(dǎo)電溝道,沒有討論的必要。

7b90cfde-a173-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

所以,Miller效應(yīng)實(shí)際是分析Vgs和Vds兩個(gè)變量的影響時(shí)必然會(huì)遇到的一種情況,至關(guān)重要。

為什么是Vds>Vgs-Vth?

細(xì)心的同學(xué)在看到上述表格后,針對(duì)條件②,可能會(huì)有個(gè)疑問:Vds為什么是大于Vgs-Vth,小于不行么?

確實(shí)是個(gè)好問題。對(duì)于該問題,其中條件①和條件②的區(qū)別就在于Vds的數(shù)值,前者是漏-源兩極短路,Vds=0V,后者是Vds>Vgs-Vth。

7bae0356-a173-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

根據(jù)MOS管的輸出特性曲線,如果Vds,vds數(shù)值較小,那么即便vgs增大到vth及以上,漏極電流id依然是受vds和vgs同時(shí)影響,受控關(guān)系相對(duì)復(fù)雜,不便于后續(xù)分析。而且測試出來的米勒平臺(tái)的波形,由于mos管無法進(jìn)入飽和區(qū)(下圖t1-t2時(shí)間段),而呈現(xiàn)出異常波形。下圖紅框內(nèi)波形肯定是沒有,具體會(huì)變成怎樣的波形,需要仿真下才知道。今天篇幅有限,我們后面再進(jìn)行仿真。<>

7bddf2be-a173-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

所以Vds數(shù)值必須大,大到足以讓MOS管進(jìn)入飽和區(qū)(還需要滿足Vgs>Vth),這樣Id可以擺脫Vds的影響,幾乎僅僅取決于Vgs,受控關(guān)系單一,便于分析。

為什么是研究Cgd的影響?

細(xì)心的同學(xué)可能還會(huì)問道:為什么目的是研究Cgd的影響,而不是Cgs和Cds呢?

這個(gè)問題,算是問到關(guān)鍵點(diǎn)上了。

審核編輯:湯梓紅

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原文標(biāo)題:MOS管的米勒效應(yīng)(1)

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