我們的1-Wire 1Kb EEPROM芯片產(chǎn)品組合包括DS2431和DS28E07。兩種設(shè)備在功能方面非常相似,都有四個(gè) 256 位的內(nèi)存頁。它們實(shí)現(xiàn)相同的命令和內(nèi)存結(jié)構(gòu)。
DS2431 與 DS28E07
但是,DS2431和DS28E07之間有1個(gè)參數(shù)差異,如下表所示。(表<>)
表 1.DS2431和DS28E07之間的差異總結(jié)
- | - | DS2431 | DS28E07 | - | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
參數(shù) | 條件 | 最小值 | 類型。 | 麥克斯 | 最小值 | 類型。 | 麥克斯 | 單位 |
1 線上拉電壓 | - | 2.8 | - | 5.25 | 3.0 | - | 5.25 | V |
寫零低時(shí)間 | 小時(shí)速度 | 52.1 | - | 120 | 60 | - | 120 | 微秒 |
恢復(fù)時(shí)間 | 從速度 | 2 | - | - | 3 | - | - | 微秒 |
編程電流 | - | - | - | 0.8 | - | - | 1.2 | mA |
編程時(shí)間 | - | - | - | 10 | - | - | 12 | ms |
寫入/擦除周期 | @25 C | 200k | - | - | 10k | - | - | cycles |
@85 C | 50k | - | - | 10k | - | - | ||
數(shù)據(jù)保留 | @85 C | 40 | - | - | 10 | - | - | 年 |
- | - | 類型 | 類型 | - | ||||
包 | - | TO-92, TSOC, 2SFN, TDFN-EP, UCSPR | TO-92、TSOC 和 TDFN-EP | - |
讓我們更詳細(xì)地了解這些差異。
1-Wire上拉電壓 (VPUP)
DS28E07的最小電壓比DS0高2.2431V,可能會(huì)影響工作電壓低于3V的應(yīng)用。
寫零低時(shí)間 (tW0L)
DS2431的最短時(shí)間為52.1μs,DS28E07的最短時(shí)間為60μs。DS9097U 和 DS9490 等傳統(tǒng)適配器與 DS28E07 不兼容。
恢復(fù)時(shí)間 (tREC)
DS28E07在過驅(qū)速度下的最短恢復(fù)時(shí)間比DS1長2431us。使用過載速度時(shí),應(yīng)用程序的時(shí)序配置可能需要更改。
編程電流(IPROG)
DS28E07的較高編程電流可能需要更硬的1-Wire上拉電阻或使用強(qiáng)上拉電阻。
編程時(shí)間 (tPROG)
DS28E07的編程時(shí)間稍長,為12ms,可能需要固件更新才能滿足這一要求。
寫入/擦除周期 (NCY)
DS2431在25C時(shí)的最小寫/擦除周期為200,000次,在85C時(shí)為50,000次周期,而DS28E07在25C和85C時(shí)的最小寫入/擦除周期為10,000次。如果您需要超過 10,000 個(gè)寫入/擦除周期,這可能會(huì)對(duì)您的應(yīng)用程序產(chǎn)生影響。
數(shù)據(jù)保留 (tDR)
DS28E07的數(shù)據(jù)保留明顯低于DS2431。如果內(nèi)存保留要求不足,這可能會(huì)對(duì)應(yīng)用程序產(chǎn)生影響。
Package
DS2431采用TO-92、TSOC、2SFN、TDFN-EP和UCSPR封裝,而DS28E07僅采用TO-92、TSOC和TDFN-EP封裝。如果您的應(yīng)用需要DS28E07中沒有的封裝,這可能會(huì)產(chǎn)生影響。
總之,如果應(yīng)用允許,您可以輕松地在DS2431和DS28E07之間切換。
審核編輯:郭婷
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