本文將對該系列內(nèi)容進行總結(jié)。

在“通過雙脈沖測試評估MOSFET的反向恢復特性”中，重點關注了由于逆變器電路、Totem Pole型功率因數(shù)校正（PFC）電路等是兩個MOSFET串聯(lián)連接的橋式電路，因此存在因上下橋臂的直通電流導致導通損耗增加的現(xiàn)象。

該現(xiàn)象受開關MOSFET和相對臂MOSFET的體二極管（寄生二極管）的反向恢復特性影響很大，因此給出了使用雙脈沖測試評估MOSFET體二極管的反向恢復特性的結(jié)果。

在雙脈沖測試中，從兩個角度比較并評估了導通損耗。一個是標準SJ MOSFET與PrestoMOS?（具有快速恢復特性的SJ MOSFET）的比較，另一個是與不同制造商生產(chǎn)的SJ MOSFET（以快速恢復特性為特點）的比較。

在此次評估中獲得了以下兩個結(jié)果，并且驗證了一個關鍵要點：要想減少導通損耗，需要評估MOSFET體二極管的反向恢復特性并選擇具有出色反向恢復特性的MOSFET，這一點至關重要。

1. 在標準SJ MOSFET與具有快速恢復特性的PrestoMOS?的比較中，作為導通損耗主要原因的反向恢復電流Irr和反向恢復電荷QRr在PrestoMOS?中要小得多，有助于降低開關損耗。

2. 在與不同制造商生產(chǎn)的具有快速恢復特性的SJ MOSFET的比較中，制造商之間的Irr和Qrr存在差異，PrestoMOS?是此次比較的三家公司中表現(xiàn)最出色的，并且開關損耗的降低效果最好。

除此以外，還提出了一個注意事項：有時候即使具有快速恢復特性，也可能無法降低導通損耗，抑制導致這種情況的主要原因“誤啟動”也很重要。誤啟動是因MOSFET的各柵極電容（CGD,CGS）和RG引起的現(xiàn)象，在橋式電路中，當位于開關側(cè)的MOSFET導通（Turn-on）時，在原本為OFF狀態(tài)的續(xù)流側(cè)MOSFET發(fā)生了不應發(fā)生的導通，導致直通電流流過，損耗增大。

下圖在“誤啟動的發(fā)生機制”一文中使用過，從圖中可以看出，當發(fā)生誤啟動時，除了體二極管的反向恢復電流外，還會流過更大的直通電流。

如上面的評估結(jié)果2所示，在與來自不同制造商的具有快速恢復特性的SJ MOSFET的比較中，PrestoMOS?的導通損耗最低，這是因為PrestoMOS?不僅具有快速恢復特性，而且在設計時特別優(yōu)化了各柵極電容的比率，抑制了誤導通現(xiàn)象。

因此，除了MOSFET體二極管的反向恢復特性（Irr和Qrr）之外，橋式電路的開關損耗還受到誤啟動帶來的直通電流的影響，因此選擇能夠抑制這兩者的MOSFET是減少開關損耗的關鍵要點。

下面是每篇文章的鏈接和關鍵要點匯總。

什么是雙脈沖測試？

?雙脈沖測試是廣泛應用于MOSFET和IGBT等功率開關元件特性評估的一種測試方法。

?雙脈沖測試不僅可以評估對象元件的開關特性，也可以評估體二極管和外置快速恢復二極管等的恢復特性。

?雙脈沖測試對導通時發(fā)生恢復特性引起損耗的電路的評估非常有效。

通過雙脈沖測試評估反向恢復特性

?在橋式電路中，當MOSFET的體二極管恢復特性較差時，導通損耗會增加。

?反向恢復電流Irr和反向恢復電荷Qrr較低的MOSFET，導通損耗EON_L也較小。

?快速恢復型MOSFET之間進行比較也得出同樣的結(jié)論。

?對MOSFET的反向恢復特性進行評估對于降低橋式電路的損耗非常重要。

?請注意，受誤啟動現(xiàn)象的影響，有時即使具有快速恢復特性，也無法降低導通損耗。

誤啟動的發(fā)生機制

?橋式電路中的誤啟動是指由于MOSFET的VDS急劇上升引發(fā)VGS的上升，從而導致MOSFET發(fā)生意外導通的現(xiàn)象。

?在橋式電路中，當誤啟動引發(fā)了直通電流時，導通損耗會增加，因此有時候選擇只是反向恢復特性出色的MOSFET也未必能夠獲得理想的損耗降低效果。

審核編輯黃宇