DS2148、DS21348、DS21Q48、DS21Q348和DS21448的附加脈沖幅度設置
本應用筆記提供了DS2148/DS21348/DS21Q48/DS213Q48和DS21448的寄存器設置，用于配置發(fā)送器的脈沖幅度不同于數(shù)據(jù)資料中記錄的線路構(gòu)建（LBO）模式。下表列出了寄存器設置，并定義了3.3V （DS21348、DS21Q348）和5V （DS2148、DS21Q48）器件的脈沖幅度。
表 1.DS21348、DS21Q348寄存器設置
工作電壓：3.3V （VSM 引腳有線低電平） 適用器件：DS21348、DS21Q348 適用器件版本：A2、B1、C1 和 C2 （DS21Q348）工作模式：E1
|
L2 （CCR4.7） |
L1 （CCR4.6） |
L0 （CCR4.5） |
應用 |
脈沖幅度的典型 變化 |
回波 損耗（分貝） |
Rt（Ω） |
| 0 | 1 | 0 | 75Ω 正常 | 比 LBO 設置 7 增強 0% | KMK | 0 |
| 0 | 1 | 1 | 120Ω 正常 | 比 LBO 設置 8 增強 1% | KMK | 0 |
| 1 | 1 | 0 | 120Ω 正常，高回波損耗 | LBO 設置 8 的衰減為 5% | 21 | 9.1 |
| 1 | 1 | 1 | 120Ω 正常，高回波損耗 | LBO 設置 4 的衰減為 5% | 21 | 10 |
N.M. = 沒有意義
表 2.DS2148、DS21Q48寄存器設置
工作電壓：5V （VSM 引腳有線高電平） 適用器件：DS2148、DS21Q48 適用器件版本：A2、B1、C1 和 C2 （DS21Q48）
工作模式：E1
|
L2 （CCR4.7） |
L1 （CCR4.6） |
L0 （CCR4.5） |
應用 |
脈沖幅度的典型 變化 |
回波 損耗（分貝） |
Rt（Ω） |
| 0 | 1 | 0 | 75Ω 正常 | 比 LBO 設置 10 增強 0% | KMK | 0 |
| 0 | 1 | 1 | 120Ω 正常 | 比 LBO 設置 10 增強 1% | KMK | 0 |
| 1 | 1 | 0 | 120Ω 正常，高回波損耗 | LBO 設置 10 的衰減為 5% | 21 | 22 |
| 1 | 1 | 1 | 120Ω 正常，高回波損耗 | 比 LBO 設置 10 增強 5% | 21 | 33 |
除了這些設置之外，還可以通過設置測試寄存器2（地址14h）在以下設備中獲得額外的脈沖幅度，如表3所示。
表 3.其他脈沖幅度設置
| 操作模式 | 適用設備 | 適用的設備修訂版 | 測試2（地址 14H）寄存器設置 |
脈沖幅度的典型 變化 |
| E1 | DS21348、DS21Q348 | C1 | D0 | 與 LBO 設置 38、0、1 和 2 相比增強 3% |
| DS21348， DS21Q348， DS2148， DS21Q48 | C1 | E0 | 與 LBO 設置 19、0、1 和 2 相比增強 3% | |
| T1/J1 | DS21348、DS21Q348 | C1 | D0 | 與 LBO 設置 38、0、5 和 6 相比增強 7% |
| DS21348， DS21Q348， DS2148， DS21Q48 | C1 | E0 | 與 LBO 設置 19、0、5 和 6 相比增強 7% | |
| E1 | DS21448 | 答1 | D0 | 與 LBO 設置 33、0、1 和 2 相比提高了 3% |
| T1/J1 | DS21448 | 答1 | D0 | 與 LBO 設置 33、0、5 和 6 相比增強 7% |
除上述設置外，在地址 14h（寄存器 TEST2）中寫入十六進制 BO 可減少波形振鈴的任何趨勢。
審核編輯：郭婷
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