DDR內(nèi)存由于其快速的數(shù)據(jù)傳輸速率和成本而在服務(wù)器和個(gè)人計(jì)算機(jī)中變得非常流行。DDR 內(nèi)存需要主內(nèi)存電源（也稱為 VDD）和跟蹤端接電源 VTT。MAX1917為多功能快速PWM降壓控制器，能夠灌入和拉出高達(dá)25A的電流。本應(yīng)用筆記說(shuō)明了MAX1917用作服務(wù)器DDR存儲(chǔ)器的VDD電源。

MAX1917為PWM控制器，為DDR存儲(chǔ)器產(chǎn)生終止電源（VTT）。在此類應(yīng)用中，輸出電壓 VTT 跟蹤 DDR 內(nèi)存電源電壓 VDD，并將其饋送到 DDR 引腳。

MAX1917還可用于從5V或12V輸入電源產(chǎn)生VDDQ電源電壓，方法是將其基準(zhǔn)電壓連接到DDR引腳。圖1所示為12A輸出電流的原理圖。

圖1.MAX1917用于VDDQ電源電壓應(yīng)用。

MAX1917可用于輸出電壓為1.0V及以上的非跟蹤應(yīng)用，如處理器內(nèi)核電壓和DSP內(nèi)核電壓。MAX1917的優(yōu)點(diǎn)之一是瞬態(tài)響應(yīng)快（在一個(gè)開關(guān)周期內(nèi)響應(yīng)階躍負(fù)載變化）。因此，它適用于高速應(yīng)用。以下應(yīng)用電路的另一個(gè)特點(diǎn)是，通過(guò)改變R200的值，開關(guān)頻率可以在1kHz至6MHz之間設(shè)置。此功能可優(yōu)化外部組件選擇。

表 1 列出了組件信息。

設(shè)置輸出電壓

根據(jù)圖1所示的原理圖，反饋基準(zhǔn) 電壓設(shè)置為1.0V。輸出電壓可在 1.0V 和 向上。輸出電壓由下式確定：

設(shè)置開關(guān)頻率

MAX1917/8的開關(guān)頻率可設(shè)置為300kHz 或 550kHz，通過(guò)保持 FSEL 引腳懸空或?qū)⑵浣拥亍?但是，開關(guān)頻率可以設(shè)置在 300kHz 至 1MHz，通過(guò)增加一個(gè)電阻（R6）。給出實(shí)際開關(guān)頻率 由

要使上述公式成立，F(xiàn)SEL引腳應(yīng)接地。相應(yīng)的關(guān)閉時(shí)間由下式給出，

開關(guān)頻率與輸入電壓無(wú)關(guān)。但是，關(guān)斷時(shí)間取決于輸入電壓。MAX1917的最小關(guān)斷時(shí)間為350ns（典型值），最大關(guān)斷時(shí)間為400ns。因此，在低輸入電壓（5V輸入）下選擇開關(guān)頻率時(shí)應(yīng)非常小心，以確保公式3中要求的關(guān)斷時(shí)間至少是滿足瞬態(tài)響應(yīng)要求的最小關(guān)斷時(shí)間的1.4倍。

圖2分別顯示了5V和12V輸入的轉(zhuǎn)換器效率與負(fù)載電流的函數(shù)關(guān)系。很明顯，該轉(zhuǎn)換器在負(fù)載電流小于12A時(shí)表現(xiàn)出非常高的效率。下圖（圖3a和3b）分別顯示了5V和12V輸入的輸出紋波電壓和低壓側(cè)MOSFET漏極至源極電壓波形。對(duì)于 25V 輸入，輸出紋波電壓保持在 5mV 以下，對(duì)于 50V 輸入，紋波電壓保持在 12mV 以下。在1V輸入時(shí)，應(yīng)使用大輸出電感器（例如5.125μH，勝美達(dá)CEP1-5R1-H）來(lái)保持紋波電壓低于輸出電壓的12%。

圖2.效率與輸出負(fù)載電流的關(guān)系

圖 3a.輸出紋波電壓和低壓側(cè) MOSFET Vds 波形（輸入電壓為 5V）。

圖 3b.輸出紋波電壓和低側(cè)MOSFET Vds波形（12V輸入）。

審核編輯：郭婷