圖1

圖2 mos管防反接電路

這是英飛凌給的TLE987X的反接保護(hù)電路，12V系統(tǒng)。mos S極是Vbat，D極是負(fù)載。

Rrp1電阻右邊是MCU升壓電路得到的電壓VCP，在24V左右，當(dāng)電池被反接時(shí)VCP不輸出電壓。

上圖2中所示的是一顆增強(qiáng)型的NMOS管

電池正常連接（即Rrp2右端接GND，NMOS的源極S接Vbat）時(shí)，三極管NPN處于截止?fàn)顟B(tài)，又VCP電壓通過Rrp1電阻送入MOS的柵極G，使得GS之間電壓超過mos管的閾值，NMOS管將會(huì)被導(dǎo)通，Vbat通過MOS管為后續(xù)電路供電。

電池被反接（即Rrp2右端接Vbat，NMOS的源極S接GND）時(shí)，VCP輸出為0，三極管NPN基極為高電平使得三極管導(dǎo)通，G點(diǎn)電位下降，關(guān)斷MOS管起到了保護(hù)作用。

上圖所示中二極管的作用，是當(dāng)電池正常連接時(shí)，防止三極管（Trpg）被擊穿；當(dāng)電池反接時(shí)，內(nèi)部的VCP電壓將會(huì)通過三極管續(xù)流到地。