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聊聊針對(duì)單片機(jī)系統(tǒng)的防反接電路

GReq_mcu168 ? 來源:矜辰所致 ? 作者:矜辰所致 ? 2022-07-08 10:14 ? 次閱讀

一、二極管防反接

1.1 基本電路

1.2 橋式整流電路

二、保險(xiǎn)絲和二極管防反接

三、MOS管防反接

3.1 PMOS電路

3.2 NMOS電路

結(jié)語

前言

今天我們要聊的是防反接電路,防反接電路是硬件工程師必備的基礎(chǔ)知識(shí),在網(wǎng)上已經(jīng)有大量的防反接電路總結(jié)文章,我也查閱了大量文章。

雖然說實(shí)用的電路就那么幾種,這個(gè)可謂英雄所見略同,但是大部分文章的說明部分都一樣,那么這就……(不符合我的風(fēng)格,不浮夸,不將就。即便是總結(jié) ,原理可以一樣,但是說明照搬那就說不過去了~ ~)

說明一下, 本文的防反接電路主要針對(duì)是單片機(jī)系統(tǒng),因?yàn)椴┲魇窃?a target="_blank">智能家居領(lǐng)域工作的,我會(huì)結(jié)合自己的工作經(jīng)驗(yàn),設(shè)計(jì)的產(chǎn)品來說說這些電路。

一、二極管防反接

又是從二極管開始(和MOS管一樣,用得這么多,我得寫一篇全面認(rèn)識(shí)二極管的文章了),利用PN結(jié)的單向?qū)щ娦裕ú灰@牛角尖說反向漏電流)。

1.1 基本電路

直接在電源入口處串聯(lián)一個(gè)二極管,電路簡(jiǎn)單,成本低,如下圖(本圖就是實(shí)際使用過的):

ecfa1032-fdee-11ec-ba43-dac502259ad0.png

在這里插入圖片描述

上圖是最簡(jiǎn)單也是最常用的防反接方式,上圖是二極管接在入口 Vin 端,也可以接在GND端,二極管反著接,是一樣的效果。

電路分析

單片機(jī)系統(tǒng)中,使用此電路 一般 一般 一般 只需要注意一個(gè)參數(shù):最大整流電流

首先你在設(shè)計(jì)自己電路的時(shí)候應(yīng)該知道自己的負(fù)載功率,比如一般來說 STM32 最小系統(tǒng),也就是20/30 mA,加上其他的一些傳感器,可以知道系統(tǒng)平時(shí)運(yùn)行的功耗,要注意STM32 的功耗是3.3V狀態(tài)下的,入口電源是 5V 或者 12V,電流需要就更小了,當(dāng)然不要忘記DC/DC, 或者 LDO 的轉(zhuǎn)換效率之類的。

每個(gè)二極管都有一個(gè)參數(shù),最大整流電流,比如上圖中的 SS34:

ed0f63c4-fdee-11ec-ba43-dac502259ad0.png

電路設(shè)計(jì)需要冗余,所以我一般直接使用一個(gè)SS34,基本上所有的項(xiàng)目都能滿足要求,當(dāng)然SS34封裝稍微大一點(diǎn)。

網(wǎng)上的大部分介紹這個(gè)電路的時(shí)候都說到,二極管0.7V 的壓降,2A電流或者更多電流的時(shí)候發(fā)熱之類,我怎么看?

首先,這個(gè)說法沒有錯(cuò),理論上就是這么分析的!

實(shí)際應(yīng)用我從以下幾個(gè)點(diǎn)分析:二極管的選型,二極管壓降與電流的關(guān)系,應(yīng)用領(lǐng)域。

1、二極管的選型

上圖我使用的二極管是肖特基二極管SS34,整流電流3A, 壓降 550mV@3A(不同廠家的參數(shù)會(huì)有差異),3A的時(shí)候最大壓降0.55V,不像大部分文章分析的 0.7V。

在這個(gè)方面所會(huì)導(dǎo)致的發(fā)熱會(huì)下降許多。

2、二極管壓降與電流的關(guān)系

上面說了一個(gè)參數(shù),最大壓降 550mV@3A,實(shí)際上,如果只有幾十毫安,壓降會(huì)很小,電流越小,壓降越小,所以一般來說實(shí)際使用壓降會(huì)遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于 0.55V。這又一步的降低了上面說的問題。

3、應(yīng)用領(lǐng)域

如果在單片機(jī)系統(tǒng)中,基本上很難達(dá)到 3A電流,不要說我上圖的例子是12V電源,即便是5V入口,常用的方案也不可能達(dá)到3A電流,接觸的領(lǐng)域不同,我所接觸的功耗最大的就是 4G模塊,瞬時(shí)電流也很少有達(dá)到 3A (3.3V)的,換成5V主供電也只有2A了,還是瞬時(shí)電流。所以單片機(jī)系統(tǒng)中,一般的方案都不會(huì)有那么大的電流。

其他的傳感器之類的設(shè)備,一般如果真的大功耗,廠家或者產(chǎn)品手冊(cè)都會(huì)特別說明功耗,現(xiàn)在大趨勢(shì)都是朝著低功耗方向發(fā)展的。

所以總的來說,在單片機(jī)系統(tǒng)中,不管是12~24V電源入口,還是5V電源入口,即便是使用電池的場(chǎng)合(能夠使用電池一般都是低功耗產(chǎn)品,低功耗產(chǎn)品的電流小,二極管的壓降會(huì)很小),這個(gè)電路基本都適用用。但是真的是方案面向工業(yè)領(lǐng)域或者大功率領(lǐng)域,上升到那個(gè)層次,應(yīng)該會(huì)有更加好的方式。

1.2 橋式整流電路

二級(jí)管橋式整流電路,使用4個(gè)二極管,可以使得電源不分正反,如下圖(本圖就是實(shí)際使用過的):

ed1d7e64-fdee-11ec-ba43-dac502259ad0.png

上面電路可能不太直觀,不好看= =!,其實(shí)就是下圖這種:

ed32475e-fdee-11ec-ba43-dac502259ad0.png

電路分析

這個(gè)電路分析方式和上面二極管的基本電路是一樣的,網(wǎng)上的大多文章說的問題還是此電路壓降是基本電路的2倍,發(fā)熱是2倍,不實(shí)用。

其實(shí)我們根據(jù)上面對(duì)于二極管的基本分析,我們可以使用4個(gè)肖特基二極管,在單片機(jī)系統(tǒng)中使用也不是問題。但是同樣是因?yàn)?個(gè)二極管的壓降,不太適用于 5V 供電的場(chǎng)合。

在使用 12~24V 電源入口的單片機(jī)系統(tǒng)中比較適用,5V以及更低的電源入口不太適用。

二、保險(xiǎn)絲和二極管防反接

還是使用二極管,但是我們這次要配合保險(xiǎn)絲使用,電路圖如下(本圖是示意圖,在12V時(shí)候自己沒這么用過):

ed3dfcac-fdee-11ec-ba43-dac502259ad0.png

電路分析

上圖使用了肖特基二極管,實(shí)際上這里使用普通二極管比較合適,肖特基二極管反向漏電流相對(duì)大一些。

這個(gè)電路也是很簡(jiǎn)單的,正確連接二極管截止,電路正常;反接時(shí)候,電流通過二極管經(jīng)過保險(xiǎn)絲,整保險(xiǎn)絲電阻極地,電流很大,導(dǎo)致保險(xiǎn)絲燒壞。

本方案相對(duì)上面二極管基本電路而言,好處在于沒有了二極管的壓降,這在 12V 入口電源的系統(tǒng)中倒是無所謂的,但是在 5V 或者電池供電的場(chǎng)合就比較合適了。

缺點(diǎn)是接反了保險(xiǎn)絲會(huì)被燒壞。 所以在實(shí)際使用時(shí)候可以選擇自恢復(fù)保險(xiǎn)絲。

實(shí)際使用

在實(shí)際項(xiàng)目中,我在使用鋰電池的產(chǎn)品上使用過這個(gè)電路:

ed532780-fdee-11ec-ba43-dac502259ad0.png

圖中為什么會(huì)有D2,因?yàn)槭请p電源供電,防止其他電源直接加到鋰電池的正極,如果是只有電池供電,D2是可以去掉的,D2即便不去掉,就等于在 保險(xiǎn)絲和二極管防反接 的基礎(chǔ)上再加上了一個(gè) 二極管防反接的基礎(chǔ)電路,也是沒有問題的。

三、MOS管防反接

又用到MOS管了,MOS管的基礎(chǔ)請(qǐng)參考:

全面認(rèn)識(shí)MOS管,一篇文章就夠了

我們已經(jīng)全面學(xué)習(xí)過MOS管,它導(dǎo)通電阻低,極強(qiáng)的電流處理能力,可以做開關(guān),使得他也能用于電路的防反接應(yīng)用中。我們下面分別來看一下使用 PMOS 和 NMOS 來實(shí)現(xiàn)的防反接電路。

3.1 PMOS電路

PMOS管接在電源的正極,電路如下圖(本圖也實(shí)際使用過):

ed62a822-fdee-11ec-ba43-dac502259ad0.png

在這里插入圖片描述

電路分析

通過MOS管的原理和MOS管做開關(guān)電源切換電路的博文:

聊聊電源自動(dòng)切換電路(常用自動(dòng)切換電路總結(jié))

我們很容易理解上面電路的工作方式:

電源正確連接時(shí)候:因?yàn)?MOS管的寄生二極管,使得模式管 S 級(jí)電壓值為 :VIN - 寄生二極管的壓降G 級(jí)下拉到 GND,Vgs < 0,使得PMOS正常導(dǎo)通 ...

電源接反時(shí):G極是高電平,PMOS管不導(dǎo)通。電路不工作。

使用此電路一般 也需要注意一個(gè)參數(shù):MOS管的 ID(導(dǎo)通電流)。這不管是對(duì)PMOS,還是NMOS都需要注意。

有些小的MOS管的ID 并不是很大,比如我常用的BSS84:

ed79285e-fdee-11ec-ba43-dac502259ad0.png

這就需要根據(jù)自己的負(fù)載情況選擇合適的MOS管了,在我的《全面認(rèn)識(shí)MOS管》文章中講過MOS管的參數(shù),可以根據(jù)手冊(cè)來選擇自己合適的MOS管,然后根據(jù)電路判斷MOS管能夠達(dá)到的 ID 能否滿足負(fù)載要求:

ed86af10-fdee-11ec-ba43-dac502259ad0.png

實(shí)際使用

在實(shí)際使用中,我們往往會(huì)有2個(gè)電阻,就是GS之間并聯(lián)的電阻,和G極串聯(lián)的電阻,一個(gè)實(shí)際使用的電路圖如下:

ed9b0e92-fdee-11ec-ba43-dac502259ad0.png

至于為什么需要這兩個(gè)電阻,在我的《全面認(rèn)識(shí)MOS管》文章中也有過分析,這里我們就不再分析了。

電阻的選擇沒有標(biāo)準(zhǔn),但是在這個(gè)地方,導(dǎo)通條件 Vgs 的電壓需要根據(jù) R1 和 R2 分壓計(jì)算得來的。要保證你電路導(dǎo)通的 Vgs 所提供的 ID 能夠滿足負(fù)載要求。

上面這個(gè)實(shí)際使用電路導(dǎo)通后,R1、R2 會(huì)一直消耗電流,所以我放得比較大,但是其實(shí)我認(rèn)為,在一般單片機(jī)防反接的這種場(chǎng)合,即便去掉R1也是沒問題的,因?yàn)樵谶@種場(chǎng)合我用過不帶R1的電路。

3.2 NMOS電路

NMOS管接在電源的負(fù)極,柵極高電平導(dǎo)通,注意GS的方向,寄生二極管應(yīng)該是反接,即是NMOS的D極連接至電源入口。

edb18ae6-fdee-11ec-ba43-dac502259ad0.png

電路分析

NMOS會(huì)破壞地回路,所以其實(shí)我基本沒用過 = =!

根據(jù)我們所學(xué)的MOS管知識(shí),也可以很好的理解這個(gè)電路,但是我們還是簡(jiǎn)單分析一下:

電源正確連接時(shí)候:電壓經(jīng)過R2、R1,R1與R2分壓后其GS極電壓大于MOS導(dǎo)通電壓Vgs(通過寄二極管到電源負(fù)極可以形成回路),MOS導(dǎo)通。

電源接反時(shí):寄生二極管截止,沒有回路形成,沒有電壓,MOS管不導(dǎo)通。

其他的細(xì)節(jié)問題和上面的 PMOS 管一致。

使用MOS管電路防反接,解決了二極管存在的壓降問題,但是電路相對(duì)二極管來說復(fù)雜一些,成本也高一點(diǎn)。

結(jié)語

本文結(jié)合自己的工作經(jīng)驗(yàn),聊了聊大家都熟悉的常用防反接電路。

單片機(jī)領(lǐng)域,還是二極管最樸實(shí)最實(shí)用。MOS管就像好馬,需要懂它的伯樂。

但是如果不能夠完全理解MOS管的原理,用起來沒問題還好,出了問題感覺就不是那么回事了,對(duì)于MOS管的應(yīng)用,首先要得了解MOS管的原理,MOS管的參數(shù),還是得好好看看一些基礎(chǔ),怕文中的推薦鏈接小伙伴沒看到,再次推薦一下博文:

全面認(rèn)識(shí)MOS管,一篇文章就夠了

其實(shí)在實(shí)際使用中,可以先根據(jù)先人給出的經(jīng)驗(yàn)去設(shè)計(jì)電路,然后通過實(shí)際的測(cè)試,分析,最好是踩幾次坑,吃幾次教訓(xùn),自己才能真正的設(shè)計(jì)出越來越穩(wěn)定可靠的電路。

審核編輯:何安

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原文標(biāo)題:結(jié)合實(shí)際,總結(jié)防反接電路

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