射頻變壓器能夠實現(xiàn)阻抗、電壓、電流的變換，且具有隔直(流)、共模抑制及單端轉差分功能，因此廣泛應用于射頻電路諸如推挽放大器、雙平衡混頻器及A/D ICs中。對于這類阻抗變換器件，其單端阻抗往往不是50 Ohm，這給其性能測試造成了困難。鑒于傳統(tǒng)測試方法的局限性，本文介紹了一種基于矢網(wǎng)的新穎測試方法，使用虛擬差分模式及Offset功能，能夠有效地測試射頻變壓器的性能指標。

射頻變壓器一般由兩個或多個彼此絕緣的銅導線繞至在磁芯上而成，通過電磁耦合實現(xiàn)功率由初級(Primary)到次級(Secondary)的傳輸。圖1給出了射頻變壓器的等效電路，假設初級線圈繞線匝數(shù)為N1，電壓和電流分別為V1和I1；次級線圈繞線匝數(shù)為N2，電壓和電流分別為V2和I2，則滿足如下關系：

中n為線圈比(N2/N1)。

阻抗變換比為：

圖1.射頻變壓器等效電路

如何測試射頻變壓器的性能呢？射頻變壓器有哪些參數(shù)？

大多數(shù)射頻變壓器可以實現(xiàn)不平衡到平衡的轉換，對于這樣的變壓器，可以將其當作一個balun，測試參數(shù)包括：插損、回損、CMMR、幅度和相位不平衡特性等。

對于單端阻抗為50 Ohm、差分阻抗為100 Ohm的變壓器，可以直接在矢網(wǎng)的虛擬差分測試模式下測試，因為矢網(wǎng)本身就是50 Ohm系統(tǒng)阻抗，而且目前業(yè)界大部分矢網(wǎng)都具有虛擬差分測試模式。但是對于單端阻抗不是50 Ohm的變壓器，如何有效測試其性能呢？

如果射頻變壓器的單端阻抗不是50 Ohm，需要考慮待測件與矢網(wǎng)之間的端口匹配。傳統(tǒng)的測試方法是，直接使用兩個相同的射頻變壓器back-to-back布置，從而實現(xiàn)阻抗的匹配，測得的插損取一半即為單個變壓器的插損。該方法能夠測試變壓器的插損和回損，但是無法有效測試CMMR和幅度、相位不平衡特性。

或者使用如圖2所示的阻抗變換器，使用兩個電阻搭建Mini-Loss Matching PAD。如果平衡端差分阻抗為200 Ohm，則對應的單端阻抗為100 Ohm。R1和R2的取值要同時保證，從DUT輸出向矢網(wǎng)看去的輸入阻抗為100 Ohm，及從矢網(wǎng)向DUT看去的輸入阻抗為50 Ohm。圖3給出了相應的測試裝置示意圖，采用UOSM校準方式。Port1與Port2、Port4之間的直通校準，也需要連接一個阻抗變換網(wǎng)絡，以實現(xiàn)端口之間的匹配。

圖2. Mini-Loss Matching PAD

圖3. 采用阻抗變換器的測試裝置示意圖

校準完成后，測試了某一款射頻變壓器的插損、回損等參數(shù)，如圖4所示。低頻時，測試結果與規(guī)格指標比較一致，但是隨著頻率的提高，偏離規(guī)格指標越來越大。經(jīng)實驗發(fā)現(xiàn)，阻抗變換器所使用的電阻的頻率特性較差，電阻值隨頻率的增加變化較大，這限制了該方法在高頻時的應用。

圖4. 使用阻抗變換器時的測試結果

目前大部分矢網(wǎng)都支持更改端口參考阻抗，在一定條件下，這允許測試非50 Ohm系統(tǒng)阻抗下的S參數(shù)。其大致原理：首先測試50 Ohm系統(tǒng)阻抗下的S參數(shù)，然后根據(jù)所設置的端口參考阻抗，對測試數(shù)據(jù)作相應的數(shù)學變換，從而得到其它系統(tǒng)阻抗對應的S參數(shù)。如此，就不需要外部的阻抗變換器，使得測試更加靈活。

對于射頻變壓器，輸出為差分形式，設計測試評估板時，PCB走線的阻抗及線間距均應按照一定的規(guī)則布置，以減少對測試結果的影響。但實際中，這一點往往很難滿足。為此，校準完成后，需要執(zhí)行Offset功能，將校準參考面延伸至待測件pin處。這一點很重要，尤其對于差分端，因為評估板走線一般是按照50 Ohm進行阻抗控制的，而射頻變壓器差分輸出端的單端阻抗往往不是50 Ohm，如果不作Offset，則測試結果將偏差很大。

圖5. Offset示意圖

下面通過一個射頻變壓器測試實例，詳述其測試過程。待測射頻變壓器的指標為：單端阻抗為50Ohm，阻抗變換比為1:1，頻率范圍0.4MHz~500MHz，帶內(nèi)插損不超過3dB。

測試步驟：①首先設定頻率范圍，并作系統(tǒng)誤差校準，此時按照默認的端口參考阻抗50 Ohm 即可；②然后執(zhí)行Offset功能，尤其是對差分端口；如果待測件輸入側單端阻抗不是50 Ohm ，建議對單端端口也作端口延伸；③最后進入虛擬差分測試模式，并將差模、共模阻抗按照DUT實際阻抗值輸入。

圖6.射頻變壓器的典型參數(shù)指標

圖7和圖8分別給出了待測件的插損、回損及幅度和相位不平衡特性測試結果，其中插損在全頻段滿足規(guī)格指標，幅度和相位不平衡特性也相對較好。對于次級含有中心抽頭的射頻變壓器，一般建議將中心抽頭接地，這樣可以改善幅度和相位不平衡特性。

圖7.插損和回損測試結果

圖8.幅度和相位不平衡特性

在前面介紹的《如何測試射頻變壓器》一文中提到，射頻變壓器的測試可以當做balun處理，結合矢網(wǎng)的端口延伸(offset)及虛擬差分模式即可完成測試。

雖然可以當做balun，射頻變壓器仍然比較特殊，因為具有阻抗變換比，比如1:1、1:2、1:4等，而且單端阻抗不一定為常用的50 Ohm系統(tǒng)阻抗。那么射頻變壓器的差分阻抗和共模阻抗是多少呢？

圖1給出了射頻變壓器的典型示意圖，初級線圈PRI端為單端，次級線圈SEC端為平衡端。假設輸入阻抗(單端阻抗)為50 Ohm，阻抗變換比為1:2，則差分阻抗為輸入阻抗與阻抗比之積，為100 Ohm，共模阻抗差分阻抗的四分之一，即25 Ohm。

圖1. 典型的射頻變壓器示意圖

這是射頻應用中經(jīng)常用到的balun，單端50 Ohm/差分100 Ohm。射頻變壓器的阻抗比多種多樣，單端阻抗也不一定是50 Ohm，表1給出了幾個不同阻抗變換比和輸入阻抗的例子，以便于理解。

表1. 多種阻抗比和輸入阻抗對應的差模和共模阻抗

之所以關注這些參數(shù)，是因為在矢網(wǎng)端口參考阻抗設置中需要分別設定。

介紹完差分阻抗和共模阻抗的計算方法之后，下面再聊一聊矢網(wǎng)的端口延伸技術——Offset。Offset功能是有一定前提的，即認為被補償?shù)木W(wǎng)絡(比如PCB走線)是理想的：(1) 非色散；(2) 在校準參考面處理想匹配；(3) 互易。

Offset功能根據(jù)反射測試計算出待補償網(wǎng)絡的傳輸特性，從而使得測試參考面延伸至DUT的pin. 因其應用基于一些理想的情況，所以是有局限性的，精度也是有限的。

除了使用Offset功能外，還有一種精度更高的校準方法——自制TRL校準件，可以直接將測試參考面校準至DUT的pin處。圖2給出了自制TRL校準件的示意圖，包含Through、Reflect(一般設計為開路)、Line校準件及測試夾具。之所以將TRL校準件與測試夾具制作在一起，是因為這樣可以最大程度規(guī)避加工誤差及介質基板均勻性等因素給測試帶來的影響。

圖2. 自制TRL校準件示意圖

關于TRL校準，后面有時間會專門介紹，此處僅作簡要說明。TRL校準方式非常適用于SMT表貼這種非同軸連接的DUT測試，這類器件的測試需要借助于測試夾具或者評估測試板，而TRL可以直接將測試參考面校準至pin處，那么如何做到這一點呢？

能否校準至pin處，與TRL校準件的尺寸設計及矢網(wǎng)中設置的校準件參數(shù)有關。比如，將Through的長度設計為為測試夾具中DUT兩側PCB走線的長度之和，此處假設這兩段走線長度相同；將反射校準件Reflect的長度設計為Through長度的一半。

在矢網(wǎng)中將Through的電長度設置為0，就相當于選擇pin處為校準參考面。Reflect的參數(shù)可以不用設置，TRL校準不需要已知其參數(shù)，只要保證校準時，矢網(wǎng)的兩個端口是連接的同一個Reflect校準件即可。一般將Reflect設計為開路。

TRL校準件存在適用的校準頻率范圍，這取決于Line與Through電長度的差異。該校準方式要求Line與Through的電長度之差不能為中心頻率半波長的整數(shù)倍，否則校準數(shù)據(jù)中會存在壞值。從相位的角度講，在中心頻率處，一般建議二者的相差在20°~160°之間。由此可以推算出適用的頻率范圍為：

f_start=1/18?c/l， f_stop=4/9? c/l

式中，c為信號在基板中的相速度，l 為Line與Through的電長度之差。

為了擴展適用的頻率范圍，還可以使用多條Line，例如圖2中使用兩條Line。甚至再引入Match校準件，從而完成向更低頻率的擴展。

審核編輯：湯梓紅