NETSOL串行MRAM產(chǎn)品非常適合需要快速頻繁地存儲(chǔ)和檢索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用程序，因?yàn)镾TT-MRAM具有非易失性、幾乎無限的耐久性和快速寫入特性。

STT-MRAM它具有SPl總線接口、XIP（就地執(zhí)行）功能和基于硬件/軟件的數(shù)據(jù)保護(hù)機(jī)制。SPl（串行外圍接口）是一個(gè)帶有命令、地址和數(shù)據(jù)信號(hào)的同步串行通信接口。

它比并行接口需要更少的引腳數(shù)，并且易于在系統(tǒng)上配置。該產(chǎn)品的密度范圍從1Mbit到16Mbit。該設(shè)備可以取代閃存、FRAM或（nv）SRAM，具有相同的功能和非易失性。

SPIMRAM提供各種SPl模式，以允許帶寬擴(kuò)展選項(xiàng)。SPI模式具有用于命令信號(hào)的單個(gè)（1）引腳。用戶可以在1個(gè)引腳、2個(gè)引腳或4個(gè)引腳中選擇分配給地址和數(shù)據(jù)信號(hào)的引腳數(shù)。DSPI模式為命令、地址和數(shù)據(jù)信號(hào)提供雙（2）引腳。QSPI模式為指令、地址和信號(hào)提供四（4）引腳。

NETSOLMRAM具有非易失性寄存器位-狀態(tài)寄存器、配置寄存器、序列號(hào)寄存器、擴(kuò)充256字節(jié)和用于擴(kuò)充字節(jié)的保護(hù)寄存器。這些寄存器位需要在高溫回流焊工藝后通電至少一次。采用小尺寸的8-WSON和8-SOIC封裝。工作溫度范圍（0℃至70℃）和工業(yè)（-40℃至85℃）。官方代理英尚微電子支持提供樣品測試。

Single/Dual/Quad IO SPI MRAM選型表