在為任一高功率或高電壓系統(tǒng)設(shè)計(jì)印刷電路板 (PCB) 布局時(shí)，柵極驅(qū)動(dòng)電路特別容易受到寄生阻抗和信號(hào)的影響。對(duì)于碳化硅 (SiC) 柵極驅(qū)動(dòng)，更需認(rèn)真關(guān)注細(xì)節(jié)，因?yàn)槠潆妷汉?a href="http://m.xsypw.cn/tags/電流/" target="_blank">電流的轉(zhuǎn)換速率通常比硅快得多。遵循指定 PCB 設(shè)計(jì)指南，可以幫助減少這些常見(jiàn)隱患并消除實(shí)驗(yàn)室或現(xiàn)場(chǎng)故障。

SiC 功率電路的優(yōu)點(diǎn)和注意事項(xiàng)

SiC 功率電子器件的主要優(yōu)點(diǎn)是開(kāi)關(guān)頻率高、導(dǎo)通損耗低、效率更高且熱管理系統(tǒng)更簡(jiǎn)單。與硅基轉(zhuǎn)換器相比，由于 SiC 功率系統(tǒng)具有這些優(yōu)勢(shì)，因此能夠在要求高功率密度的應(yīng)用（如太陽(yáng)能逆變器、儲(chǔ)能系統(tǒng) (ESS)、不間斷電源 (UPS) 和電動(dòng)汽車(chē)）中優(yōu)化性能。但是，由于高電壓轉(zhuǎn)換速率 (dv/dt) 和電流轉(zhuǎn)換速率 (di/dt) 是 SiC 功率器件的固有特性，使其與硅基電路相比，這些電路對(duì)串?dāng)_、誤導(dǎo)通、寄生諧振和電磁干擾 (EMI) 更為敏感。(圖 1)。

圖 1：高電壓和電流轉(zhuǎn)換速率所產(chǎn)生影響的概要。

將功率 MOSFET 并聯(lián)時(shí)，設(shè)計(jì)人員必須更密切地注意如何最大限度降低這些影響，因?yàn)槠骷g的電流分配不均會(huì)影響性能。例如，在開(kāi)關(guān)瞬變過(guò)程中，在并聯(lián)中增加一個(gè)器件會(huì)使 di/dt 倍增，從而可能導(dǎo)致更大的電壓過(guò)沖。此外，任何寄生電感都可能產(chǎn)生與反饋機(jī)制耦合的諧振，從而只會(huì)使電流不平衡的情況變得更糟。在這種情況下，PCB 設(shè)計(jì)人員必須特別注意要降低寄生電感。

電路板寄生現(xiàn)象對(duì) SiC 電路的負(fù)面影響

首先，SiC MOSFET 具有理想的固有低寄生電容(CGD, CDS, CGS)。這種特性支持高開(kāi)關(guān)頻率，因此有助于實(shí)現(xiàn)高功率密度設(shè)計(jì)。但是，與這種好處如影隨形的是，在布局中不可避免地容易受到寄生電感諧振影響的情況。寄生電感本身可存在于應(yīng)用電路的柵極回路(LGS) 和功率回路 (LDS) 以及共源極電感 (LCS)之中。如之前所述，導(dǎo)致這些電感的因素包括走線(xiàn)長(zhǎng)度很長(zhǎng)，以及器件引線(xiàn)之間的電感。

柵極回路電感會(huì)增加?xùn)艠O電壓的振鈴，這反過(guò)來(lái)又會(huì)增加導(dǎo)通延遲，并且在某些情況下，會(huì)導(dǎo)致 MOSFET 的漏極-源極電壓發(fā)生振蕩振鈴。通常，應(yīng)最大限度地減小柵極回路電感以避免 MOSFET 的誤工作，但這種寄生電感的影響是三種主要寄生電感中最小的。

整個(gè)器件的過(guò)沖電壓通常由功率回路電感（有時(shí)也稱(chēng)為開(kāi)關(guān)回路電感）造成，而這會(huì)產(chǎn)生高開(kāi)關(guān)損耗。共源極電感會(huì)在開(kāi)關(guān)瞬變過(guò)程中產(chǎn)生對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)的電壓反饋，抵消柵極電壓的變化并減慢漏極電流，從而顯著增加導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)的開(kāi)關(guān)損耗。1 此外，并聯(lián)器件之間微小的寄生 LCS不匹配情況也會(huì)在開(kāi)關(guān)瞬變過(guò)程中造成電流不平衡，從而放大負(fù)柵電壓反饋的影響。

設(shè)計(jì) PCB 時(shí)，不可能完全消除所有寄生電感和電容。但是，一些常用技術(shù)可以幫助最大限度地減小這些電感和電容。

應(yīng)對(duì) SiC 柵極驅(qū)動(dòng)布局方面的挑戰(zhàn)

使功率曲線(xiàn)遠(yuǎn)離柵極回路

典型情況下，在單層PCB 上布線(xiàn)的功率回路通常被稱(chēng)為“橫向功率回路”。而第一個(gè)內(nèi)層用作“屏蔽層”，以減少功率回路中高開(kāi)關(guān)頻率所產(chǎn)生的磁場(chǎng)的影響（圖 2）。功率回路中的脈沖電流在屏蔽層內(nèi)催生出電流和磁場(chǎng)，從而抵消功率回路中的電流和磁場(chǎng)。最終，由于有效地減小了功率回路和柵極驅(qū)動(dòng)回路內(nèi)包含的面積，這將降低寄生電感。

最大限度地縮短?hào)艠O驅(qū)動(dòng)和 MOSFET 之間的距離

任一柵極回路電感都會(huì)與輸入電容產(chǎn)生諧振，并產(chǎn)生柵極-源極電壓振蕩，從而導(dǎo)致漏極-源極電壓振鈴。將柵極驅(qū)動(dòng)放置在緊鄰 SiC MOSFET 的位置，以最小的走線(xiàn)長(zhǎng)度將柵極回路電感降至最低。此外，這種做法還有助于使各并聯(lián) MOSFET 設(shè)計(jì)之間的共源極電感保持恒定。

以最小走線(xiàn)長(zhǎng)度使 PCB 布局保持對(duì)稱(chēng)

最大程度地縮短高頻率柵極回路和功率回路的周長(zhǎng)，以減少電壓過(guò)沖和可能由該過(guò)沖引起的任何 EMI，是十分關(guān)鍵的。這對(duì)于并聯(lián)器件尤其重要，因?yàn)榧纳姼斜緛?lái)就更高。如圖 2 所示，用于并聯(lián) MOSFET 的對(duì)稱(chēng)柵極驅(qū)動(dòng)路徑可實(shí)現(xiàn)更均勻的電流分布。

圖 2：通過(guò)消除電流回路中的磁場(chǎng)并進(jìn)行對(duì)稱(chēng)走線(xiàn)布局，以降低寄生電感的影響

將小電容器置于柵極和源極之間

與硅基電路相同，通過(guò)在柵極和源極之間放置去耦電容器，可以最大限度地減少由瞬態(tài)信號(hào)引起的柵極電壓尖峰。該電容為柵極驅(qū)動(dòng)電流提供一個(gè)低阻抗路徑，從而減小 VGSVGS 的升幅。但是，這會(huì)減慢柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)，從而增加開(kāi)關(guān)損耗。因此，應(yīng)調(diào)整 CGS的值以平衡損耗和瞬態(tài)抗擾度。

增加 EMI 濾波器或緩沖器

可以通過(guò)增加 RC 緩沖器或鐵氧體磁珠等組件來(lái)實(shí)現(xiàn)有效的 EMI 抑制。沿（漏極和源極之間的）DC 總線(xiàn)連接的 RC 緩沖器將吸收漏極處的寄生振鈴或電壓過(guò)沖。在高頻率下，與柵極串聯(lián)放置的高電阻、低電感鐵氧體磁珠，可有效抑制柵極處的寄生諧振。此寄生振蕩由漏極-源極電壓瞬變引起，該瞬變?cè)跂艠O電路上生成電壓，有可能會(huì)在柵極引腳處的電容和寄生電感（LC 諧振腔）之間引起諧振。鐵氧體磁珠可抑制這種振蕩，而不會(huì)對(duì)開(kāi)關(guān)性能產(chǎn)生負(fù)面影響。

對(duì)于基于 SiC 的布局需要額外注意的事項(xiàng)

SiC 基功率電子器件的布局方法在許多方面類(lèi)似于硅基電路。在這些布局操作中要格外小心，才能最終解決快速開(kāi)關(guān)功率器件的各類(lèi)問(wèn)題挑戰(zhàn)，使得設(shè)計(jì)人員能夠在其功率應(yīng)用中充分利用 SiC 的所有優(yōu)點(diǎn)。

審核編輯：郭婷