常用半導體元件模型總結
從應用角度對常用半導體元件模型作總結。
放大狀態：發射結D正偏，集電結Dz反偏并處于反向擊穿狀態；
飽和狀態：D和Dz均正偏，基極電流失去對集電極電流的控制作用，D處于穩定反向擊穿狀態；
截止狀態：發射結正偏電壓小于開啟電壓Uon
晶閘管（Thyristor）
觸發電流Ig流入晶體管Q2基極，產生集電極電流Ic2 ,Ic2構成了Q1的基極電流，放大而成Q1集電極電流Ic1 ，Ic1又反饋至Q2基極，從而形成強烈正反饋，使Q1和Q2快速進入飽和狀態，晶閘管導通。
3.絕緣柵雙極晶體管（IGBT）
由NMOS管和PNP型三極管組成的達林頓結構，由MOSFET去驅動厚基區的PNP晶體管。Rn為晶體管基區內的調制電阻。
其為半導體元件基本單元，圖中彈簧彈力，類似二極管門檻電壓，A端相當于陽極，K端相當于陰極。
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審核編輯：湯梓紅
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原文標題：常用半導體元件模型作總結
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