從應(yīng)用角度對(duì)常用半導(dǎo)體元件模型作總結(jié)。

1.晶體管（Transistor）模型

放大狀態(tài)：發(fā)射結(jié)D正偏，集電結(jié)Dz反偏并處于反向擊穿狀態(tài)；

飽和狀態(tài)：D和Dz均正偏，基極電流失去對(duì)集電極電流的控制作用，D處于穩(wěn)定反向擊穿狀態(tài)；

截止?fàn)顟B(tài)：發(fā)射結(jié)正偏電壓小于開啟電壓Uon

晶閘管（Thyristor）

觸發(fā)電流Ig流入晶體管Q2基極，產(chǎn)生集電極電流Ic2 ,Ic2構(gòu)成了Q1的基極電流，放大而成Q1集電極電流Ic1 ，Ic1又反饋至Q2基極，從而形成強(qiáng)烈正反饋，使Q1和Q2快速進(jìn)入飽和狀態(tài)，晶閘管導(dǎo)通。

3.絕緣柵雙極晶體管（IGBT）

由NMOS管和PNP型三極管組成的達(dá)林頓結(jié)構(gòu)，由MOSFET去驅(qū)動(dòng)厚基區(qū)的PNP晶體管。Rn為晶體管基區(qū)內(nèi)的調(diào)制電阻。

4.二極管（Diode）

其為半導(dǎo)體元件基本單元，圖中彈簧彈力，類似二極管門檻電壓，A端相當(dāng)于陽(yáng)極，K端相當(dāng)于陰極。

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審核編輯：湯梓紅