碳化硅mosfet有哪些主要參數

碳化硅MOSFET相關的主要參數包括：

1. 閾值電壓（Vth）- 這是MOSFET開啟的電壓。隨著Vth的增加，MOSFET的開關速度會變慢。

2. 導通電阻（Rdson）- 這是MOSFET在線性區域內的電阻。它與MOSFET的尺寸和結構有關，Rdson越小，MOSFET的效率就越高。

3. 最大漏電流（Idmax）- 這是MOSFET在最大允許溫度下能承受的最大漏電流。

4. 最大額定電壓（Vdss）- 這是MOSFET能夠承受的最大電壓。

5. 開關速度（switching speed）- 這是MOSFET的開關時間，即從關到開或從開到關的時間。它通常說是在負載電感和電容條件下的開關時間。