基于BASIC Semiconductor基本半導體股份有限公司 碳化硅SiC MOSFET的高效熱泵與商用空調系統解決方案
BASiC基本股份SiC碳化硅MOSFET單管及模塊一級代理商傾佳電子楊茜 微信&手機:13266663313
傾佳電子(Changer Tech)-專業汽車連接器及功率半導體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSFET驅動芯片,SiC功率模塊驅動板,驅動IC)分銷商,聚焦新能源、交通電動化、數字化轉型三大方向,致力于服務中國工業電源,電力電子裝備及新能源汽車產業鏈。
傾佳電子楊茜致力于推動國產SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代進口IGBT模塊,助力電力電子行業自主可控和產業升級!
傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個必然,勇立功率半導體器件變革潮頭:
傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必然趨勢!
傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代IGBT單管和高壓平面硅MOSFET的必然趨勢!
傾佳電子楊茜跟住650V SiC碳化硅MOSFET單管全面取代SJ超結MOSFET和高壓GaN 器件的必然趨勢!
一、行業挑戰與SiC技術優勢
商用空調與熱泵系統正朝著高效化、高頻化和小型化方向發展,傳統IGBT器件因開關損耗高、熱管理壓力大等問題逐漸成為系統瓶頸。碳化硅(SiC)MOSFET憑借其寬禁帶特性,在高溫工況下仍能保持優異的電氣性能:
開關損耗降低40%:1200V SiC MOSFET的開關頻率可達IGBT的3倍以上,顯著提升系統功率密度;
耐高溫能力:SiC器件結溫可達175℃,支持在80℃散熱器溫度下長期穩定運行;
系統效率提升:在11kW輸出時,SiC方案整機效率達97.73%,較IGBT方案(97.01%)提升0.72個百分點。
二、核心器件選型與技術分析
1. 主功率模塊:BMS065MR12EP2CA2
關鍵參數:1200V/25A,RDS(on)65mΩ(@VGS=18V);
封裝創新:采用Pcore?12封裝,集成三相PFC+逆變功能,內置NTC熱敏電阻,支持實時溫度監控;
實測表現:在11kW輸出時,模塊總損耗僅249.47W(整流+逆變),最高結溫134.89℃,顯著優于IGBT模塊(總損耗329.09W,結溫126.99℃)。
2. 分立器件:B3M040120Z(第三代SiC MOSFET)
FOM優化:較第二代產品(3600mΩ·nC)降低5.6%,動態損耗減少18%;
高溫穩定性:RDS(on)在175℃時僅上升至常溫值的1.3倍,優于溝槽柵競品(如IMZA120R040M1H,高溫RDS(on)上升1.6倍);
雙脈沖測試:在800V/40A條件下,總損耗826μJ,較C3M0040120K(861μJ)降低4%。
三、驅動與電源解決方案
1. 驅動方案:BTD5350MCWR+隔離變壓器TR-P15DS23-EE13
米勒鉗位功能:通過低阻抗路徑快速泄放門極電荷,實測中可將下管VGS峰值從7.3V抑制至2V,徹底避免SiC MOSFET誤開通風險;
集成化設計:驅動板BSRD-2423-ES01支持雙通道10A峰值電流輸出,兼容24V/5V輸入,簡化系統布局。
2. 輔助電源:反激控制芯片+SiC MOSFET B2M600170H
高可靠性設計:采用1700V SiC MOSFET作為原邊開關管,耐壓裕量充足,支持150W輸出功率;
頻率可編程:工作頻率最高500kHz,搭配EE13鐵氧體變壓器,實現92%以上轉換效率。
四、仿真與實測性能對比
指標BMS065MR12EP2CA2(SiC)FP35R12N2T7_B67(IGBT)優勢對比
11kW總損耗 249.47W 329.09W 降低24%
熱設計更寬松
系統效率97.73% 97.01% 提升0.72
開關頻率(逆變側)40kHz 20kHz 翻倍
五、方案推薦理由
全鏈路效率提升:從PFC整流到三相逆變,SiC方案整體損耗降低20%以上,助力系統能效突破98%;
高頻化與小型化:支持40kHz高頻開關,磁性元件體積減少50%,適用于緊湊型商用空調熱泵設計;
高可靠性保障:內置NTC溫度監控、米勒鉗位功能及軟啟動機制,確保系統在-40~125℃環境下穩定運行;
成本效益優化:盡管SiC器件初期成本已經與進口IGBT模塊相當,系統壽命周期內節省的能耗與維護費用更有優勢。
六、快速實現商空熱泵產品升級,搶占高效節能市場先機
基本股份BASIC Semiconductor的SiC MOSFET解決方案通過器件創新(如Pcore?封裝、第三代平面柵工藝)與系統級設計(驅動、電源配套),為商用空調和熱泵提供了高效、可靠的電力電子核心。其仿真與實測數據表明,該方案在效率、熱管理和頻率性能上全面超越傳統IGBT方案,是下一代綠色節能系統的理想選擇。
推薦場景:
高功率密度商用變頻空調
低溫熱泵供暖系統
工業級高頻逆變器
光伏儲能一體化設備
通過采用此方案,客戶可快速實現產品升級,搶占高效節能市場先機。
審核編輯 黃宇
-
SiC
+關注
關注
31文章
3108瀏覽量
64160 -
碳化硅
+關注
關注
25文章
2977瀏覽量
49918
發布評論請先 登錄
傾佳電子提供SiC碳化硅MOSFET正負壓驅動供電與米勒鉗位解決方案

麥科信光隔離探頭在碳化硅(SiC)MOSFET動態測試中的應用
碳化硅(SiC)MOSFET替代硅基IGBT常見問題Q&A

國產碳化硅MOSFET和隔離驅動的真空鍍膜電源設計方案

BASiC基本股份國產SiC碳化硅MOSFET產品線概述

高頻電鍍電源國產SiC碳化硅模塊替代富士IGBT模塊損耗對比

評論