破浪前行 追光而上——向國產SiC碳化硅MOSFET產業(yè)勞動者致敬

值此五一勞動節(jié)之際，我們向奮戰(zhàn)在國產碳化硅（SiC）MOSFET產業(yè)一線的科研人員、工程師、生產工人以及所有推動行業(yè)進步的勞動者致以崇高的敬意！是你們的智慧與汗水，讓中國在第三代半導體變革浪潮中勇立潮頭；是你們的堅守與創(chuàng)新，為電力電子行業(yè)自主可控的宏圖鋪就基石。

傾佳電子（Changer Tech）-專業(yè)汽車連接器及功率半導體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET模塊，碳化硅SiC-MOSFET，SiC功率模塊驅動板，驅動IC)分銷商，聚焦新能源、交通電動化、數(shù)字化轉型三大方向，致力于服務中國工業(yè)電源，電力電子裝備及新能源汽車產業(yè)鏈。

傾佳電子楊茜致力于推動國產SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代進口IGBT模塊，助力電力電子行業(yè)自主可控和產業(yè)升級！

傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個必然，勇立功率半導體器件變革潮頭：

傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必然趨勢！

傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代IGBT單管和高壓平面硅MOSFET的必然趨勢！

傾佳電子楊茜跟住650V SiC碳化硅MOSFET單管全面取代SJ超結MOSFET和高壓GaN 器件的必然趨勢！

以"三個必然"為舵，駛向自主可控的星辰大海

在"雙碳"目標驅動下，電力電子行業(yè)正經歷百年未有之變局。SiC碳化硅MOSFET以其耐高壓、高頻高效、低損耗的顛覆性性能，成為這場變革的核心引擎。傾佳電子楊茜提出的"三個必然"趨勢，正是中國半導體產業(yè)從追趕者向引領者跨越的宣言：

第一必然：模塊化替代的突圍之戰(zhàn)
當SiC MOSFET模塊以更高效率、更小體積全面取代傳統(tǒng)IGBT和IPM模塊，我們見證的不僅是技術迭代，更是中國新能源汽車、工業(yè)電源等戰(zhàn)略領域擺脫進口依賴的關鍵一躍。每一塊國產SiC模塊的量產，都是對"卡脖子"技術封鎖的有力回擊。

第二必然：單管器件的彎道超車
從IGBT單管到高壓硅MOSFET，國產SiC MOSFET單管以更優(yōu)的開關性能和系統(tǒng)可靠性，正在重塑光伏逆變器、軌道交通、智能電網的競爭格局。這是中國企業(yè)在功率半導體領域從"替代者"向"標準制定者"轉型的里程碑。

第三必然：低壓場景的全面革新
650V SiC MOSFET單管對超結MOSFET和GaN器件的替代，標志著中國企業(yè)在消費電子、數(shù)據(jù)中心等萬億級市場掌握主動權。這場技術革命背后，是無數(shù)工程師在材料、工藝、封裝上的千萬次實驗與突破。

自主可控：一場必須打贏的產業(yè)攻堅戰(zhàn)

在全球化逆流與技術壁壘高筑的今天，國產SiC MOSFET的崛起承載著更深層的使命：

供應鏈安全之錨：從襯底材料到芯片設計，從模塊封裝到驅動集成，全產業(yè)鏈的國產化讓中國高端制造不再受制于人；

產業(yè)升級之劍：SiC器件的高效節(jié)能特性，直接推動新能源汽車續(xù)航提升15%、充電速度翻倍、工業(yè)設備能耗降低30%，這是中國實現(xiàn)綠色轉型的核心抓手；

國際競爭之盾：當我們的SiC MOSFET批量應用于海外客戶的供應鏈時，中國半導體產業(yè)真正擁有了全球話語權。

致敬勞動者：你們是追光路上的破浪者

在這個屬于勞動者的節(jié)日里，我們尤其感懷：

實驗室里徹夜不眠的科研團隊，在SiC晶圓柵氧可靠性攻關中寫下中國力量；

車間里精益求精的技工師傅，用先進封裝工藝定義世界標準；

應用前線的工程師們，在新能源汽車電控系統(tǒng)、儲能變流器PCS、伺服驅動器，光伏逆變器，工業(yè)變頻器，風電變流器中驗證中國方案的可靠性。

正是這些平凡而偉大的身影，讓"中國芯"在SiC的藍海中乘風破浪。你們用雙手托起的不僅是半導體器件，更是一個民族產業(yè)挺起的脊梁。

未來已來，唯創(chuàng)新者勝！
當全球半導體產業(yè)版圖因SiC技術重構時，中國勞動者正以敢為人先的勇氣、十年磨一劍的定力，在這場世紀變革中刻下東方印記。讓我們繼續(xù)攜手，以"三個必然"為指引，在自主可控的道路上砥礪前行——因為每一顆國產SiC MOSFET芯片的誕生，都是對"勞動創(chuàng)造未來"最生動的詮釋！

致敬每一位國產SiC產業(yè)追光者，五一勞動節(jié)快樂！

審核編輯 黃宇