國產SiC碳化硅MOSFET在充電樁和車載OBC（車載充電機）等領域出現柵氧可靠性問題后，行業面臨嚴峻挑戰。面對國產SiC碳化硅MOSFET廠家柵氧可靠性的爆雷后的危機出來之后，國產SiC碳化硅MOSFET廠家是主動檢討改進還是百般抵賴甚至報告作假，揭示了國產SiC碳化硅MOSFET廠家真正的破局之路：部分廠商早期因追求低成本、快速搶占市場，在工藝設計和驗證環節存在妥協，導致長期可靠性不足；而另一些企業則通過主動改進技術、提升透明度，逐步贏得市場信任。以下從問題根源、行業應對態度及破局路徑三方面進行深度分析：

一、問題根源：工藝缺陷與驗證不足

柵氧設計妥協
部分國產廠商為降低比導通電阻（Rds(on)）和成本，減薄柵氧化層厚度（如低于40nm），導致電場強度超標（>4 MV/cm），加速TDDB（經時擊穿）失效。例如，某些國產器件的柵氧壽命僅約10?小時（約1.14年），遠低于國際頭部廠商的10?小時。

工藝缺陷與測試漏洞
柵氧生長工藝不均勻、界面缺陷密度高，且部分廠商未嚴格執行HTGB（高溫柵偏）和TDDB測試，僅提供“通過/未通過”結論，掩蓋早期設計缺陷。車載OBC等嚴苛場景下，動態應力遠超實驗室靜態測試條件，進一步暴露問題。

數據不透明與車規認證短板
部分廠商未公開原始測試數據（如失效時間分布），導致車企難以評估實際壽命。車規級AEC-Q101認證雖要求TDDB測試，但部分企業僅滿足最低標準，未針對動態工況優化。

二、行業應對態度：分化與改進

消極應對：短期利益導向

掩蓋問題：部分廠商通過簡化測試報告或選擇性披露數據，規避責任。例如，僅提供靜態測試結果，忽視動態工況下的失效風險。

低價競爭：在產能過剩背景下，部分企業以犧牲可靠性換取市場份額，導致“劣幣驅逐良幣”現象。

積極改進：技術驅動與生態構建

工藝優化：國產頭部IDM碳化硅MOSFET廠家通過“量產一代、儲備一代、預研N代”的技術迭代體系，開發碳化硅MOSFET底層工藝，提升柵氧均勻性并降低電場強度。

數據透明化：頭部IDM碳化硅MOSFET廠家企業公開HTGB和TDDB測試數據，并通過車規認證（如AEC-Q101）建立信任。

產業鏈協同：與車企、科研機構合作開發定制化方案。國產IDM的SiC功率模塊廠家與客戶預研未來3-5年需求，優化散熱設計和封裝工藝。

三、破局之路：從“低價替代”到“高可靠車規級”

技術升級：柵氧工藝與結構創新

優化柵氧厚度：根據TDDB模型（如E模型）平衡導通電阻與可靠性，避免過度減薄。例如，采用氮退火或場板結構（Field Plate）降低電場強度。

引入高k介質：探索替代傳統SiO?的材料，提升介電常數和抗電場能力。

嚴格驗證與標準建設

強化測試覆蓋：參考JEDEC標準，延長HTGB +22V測試時間至3000小時以上，模擬車載動態應力環境。

全生命周期管理：從晶圓制造到封裝環節實施零缺陷目標，確保車規級產線管理。

產業鏈垂直整合與生態構建

IDM模式：整合設計、制造、封裝環節，提升工藝可控性。。

綁定頭部客戶：與車企聯合開發主驅芯片。

四、結論：危機與機遇并存

國產SiC MOSFET的“爆雷”暴露了行業早期粗放發展的弊端，但也倒逼企業轉向高質量發展。國產SiC碳化硅IDM領先廠商已通過技術迭代、數據透明化和產業鏈協同實現突破，而依賴低價策略的企業將逐步被淘汰。未來，國產SiC的破局需聚焦三點：

技術為矛：攻克柵氧可靠性瓶頸，對標國際車規標準；

質量為盾：建立全流程品控體系，公開可靠性數據；

生態為基：聯合上下游構建從材料到應用的閉環生態。

唯有如此，國產SiC MOSFET才能從“替代者”蛻變為“引領者”，在全球第三代半導體競爭中占據一席之地.

審核編輯 黃宇