在线观看www成人影院-在线观看www日本免费网站-在线观看www视频-在线观看操-欧美18在线-欧美1级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

老舊MPPT設(shè)計(jì)中+15V驅(qū)動(dòng)下的部分國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET柵氧爆雷隱患

楊茜 ? 來源:jf_33411244 ? 2025-05-17 06:28 ? 次閱讀

以下是對(duì)部分國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET因一味滿足老舊光伏逆變器MPPT設(shè)計(jì)中+15V驅(qū)動(dòng)電壓需求而引發(fā)柵氧可靠性隱患的深度分析:

一、技術(shù)妥協(xié):驅(qū)動(dòng)電壓適配與柵氧設(shè)計(jì)的矛盾

老舊系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)電壓限制

傳統(tǒng)硅基IGBT的驅(qū)動(dòng)電壓通常為+15V,而SiC MOSFET的柵極電壓設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)更高(如+18V~+20V)。為適配老舊逆變器的MPPT(最大功率點(diǎn)跟蹤)電路設(shè)計(jì),部分國產(chǎn)廠商通過減薄柵氧化層厚度(如從50nm降至40nm以下),以+15V下降低導(dǎo)通電阻(Rds(on)),使其能在+15V下滿足導(dǎo)通電阻要求。

副作用:減薄柵氧導(dǎo)致電場強(qiáng)度(Eox)超過安全閾值(>4 MV/cm),顯著加速經(jīng)時(shí)擊穿(TDDB)失效,TDDB壽命從10?小時(shí)驟降至10?小時(shí)(約1.14年)。

電性能與可靠性的物理沖突

SiC/SiO?界面缺陷密度高(比硅基器件高兩個(gè)數(shù)量級(jí)),減薄柵氧雖能優(yōu)化電性能參數(shù)(如Rds(on)),但缺陷在高壓、高溫下更易累積,引發(fā)閾值電壓漂移(Vth Shift)或局部擊穿。

wKgZO2gnvCOAVT9cAAA05mpKr20830.png

二、工藝缺陷與動(dòng)態(tài)應(yīng)力下的加速失效

工藝均勻性與缺陷控制不足

部分國產(chǎn)廠商因工藝水平限制(如柵氧生長不均勻),導(dǎo)致批次間可靠性差異大。同一批次器件中,柵氧厚度偏差可能超過±5nm,局部電場強(qiáng)度差異加劇失效風(fēng)險(xiǎn)。

動(dòng)態(tài)工況的疊加效應(yīng)

光伏逆變器需長期承受戶外環(huán)境的高頻溫度循環(huán)(如-40°C至85°C)和雪崩能量沖擊(如雷擊或電網(wǎng)波動(dòng))。SiC MOSFET在高電場下的動(dòng)態(tài)應(yīng)力(如柵極電壓瞬態(tài)尖峰)仍會(huì)加劇柵氧TDDB失效。

三、驗(yàn)證不足與市場機(jī)制失衡

靜態(tài)測試與實(shí)際工況脫節(jié)

廠商為縮短認(rèn)證周期,通過修改標(biāo)準(zhǔn)來通過短期靜態(tài)測試(如HTGB 1000小時(shí))。

低價(jià)競爭與數(shù)據(jù)造假

為搶占市場,廠商以低價(jià)策略吸引客戶,但犧牲可靠性。部分檢測報(bào)告通過“擦邊”測試(如降低HTGB測試電壓至19V)或偽造數(shù)據(jù)掩蓋工藝缺陷,導(dǎo)致隱患未被識(shí)別。

四、潛在風(fēng)險(xiǎn)與行業(yè)影響

失效時(shí)間窗口預(yù)測

根據(jù)TDDB模型,若光伏逆變器從2025年起批量采用此類國產(chǎn)SiC MOSFET,結(jié)合充電樁行業(yè)爆雷規(guī)律(3-5年失效周期),系統(tǒng)性失效可能在2028-2030年集中顯現(xiàn),直接損失或達(dá)數(shù)億美元。

行業(yè)信任危機(jī)

早期失效(如1-2年內(nèi)閾值電壓漂移)和耗損失效(3-5年后擊穿)疊加,將強(qiáng)化“國產(chǎn)=低質(zhì)”的刻板印象,延緩SiC在光伏逆變器領(lǐng)域的國產(chǎn)替代進(jìn)程。

五、解決方案與改進(jìn)路徑

工藝優(yōu)化

驗(yàn)證體系升級(jí)

強(qiáng)制公開TDDB原始數(shù)據(jù)(如Weibull分布)并延長HTGB測試至3000小時(shí)以上,模擬動(dòng)態(tài)工況。

產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同

IDM廠商整合襯底、外延與封裝環(huán)節(jié),提升工藝一致性(如SiC/SiO?界面缺陷密度控制)。

BASiC基本半導(dǎo)體一級(jí)代理傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片,SiC功率模塊驅(qū)動(dòng)板,驅(qū)動(dòng)IC)分銷商,聚焦新能源、交通電動(dòng)化、數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向,致力于服務(wù)中國工業(yè)電源電力電子裝備及新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。

傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊,助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級(jí)!

傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個(gè)必然,勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭:

傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必然趨勢!

傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代IGBT單管和高壓平面硅MOSFET的必然趨勢!

傾佳電子楊茜跟住650V SiC碳化硅MOSFET單管全面取代SJ超結(jié)MOSFET和高壓GaN 器件的必然趨勢!

光伏逆變器老舊MPPT設(shè)計(jì)中+15V驅(qū)動(dòng)下的部分國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET柵氧爆雷隱患

部分國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET為適配老舊光伏逆變器的+15V驅(qū)動(dòng)電壓需求,通過柵氧減薄犧牲柵氧可靠性,其本質(zhì)是短期利益驅(qū)動(dòng)下的工藝缺陷與驗(yàn)證體系漏洞的疊加。行業(yè)需通過技術(shù)升級(jí)、數(shù)據(jù)透明化和產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同,平衡性能與可靠性,避免在新能源轉(zhuǎn)型的關(guān)鍵窗口期因質(zhì)量風(fēng)險(xiǎn)失去市場信任。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • MOSFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    149

    文章

    8099

    瀏覽量

    217998
  • SiC
    SiC
    +關(guān)注

    關(guān)注

    31

    文章

    3131

    瀏覽量

    64307
  • 光伏逆變器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    10

    文章

    490

    瀏覽量

    31414
收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    為何必須通過TDDB(時(shí)間相關(guān)介質(zhì)擊穿)方法檢驗(yàn)國產(chǎn)SiC MOSFET可靠性水平

    在充電樁、車載充電機(jī)(OBC)、汽車空調(diào)、光伏逆變器及逆變焊機(jī)等應(yīng)用部分國產(chǎn)碳化硅SiCMOSFET
    的頭像 發(fā)表于 05-18 07:34 ?78次閱讀
    為何必須通過TDDB(時(shí)間相關(guān)介質(zhì)擊穿)方法檢驗(yàn)<b class='flag-5'>國產(chǎn)</b><b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>的<b class='flag-5'>柵</b><b class='flag-5'>氧</b>可靠性水平

    國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET在有源濾波器(APF)的革新應(yīng)用

    傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 05-10 13:38 ?128次閱讀
    <b class='flag-5'>國產(chǎn)</b><b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>在有源濾波器(APF)<b class='flag-5'>中</b>的革新應(yīng)用

    SiC碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓的限制源于可靠性與器件性能之間的權(quán)衡

    碳化硅SiCMOSFET的Vgs正負(fù)驅(qū)動(dòng)電壓限制的根本原因源于其氧化層(通常為SiO?)的電場耐受能力和界面特性,需在
    的頭像 發(fā)表于 05-05 18:20 ?166次閱讀
    <b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)</b>電壓的限制源于<b class='flag-5'>柵</b><b class='flag-5'>氧</b>可靠性與器件性能之間的權(quán)衡

    車載充電機(jī)(OBC)和熱泵空調(diào)等車載領(lǐng)域成為可靠性問題的“重災(zāi)區(qū)”

    為何車載領(lǐng)域成為國產(chǎn)SiC MOSFET可靠性問題的重災(zāi)區(qū)? 國產(chǎn)
    的頭像 發(fā)表于 05-05 08:53 ?123次閱讀
    車載充電機(jī)(OBC)和熱泵空調(diào)等車載領(lǐng)域成為<b class='flag-5'>柵</b><b class='flag-5'>氧</b>可靠性問題的“<b class='flag-5'>爆</b><b class='flag-5'>雷</b>重災(zāi)區(qū)”

    做賊心虛:部分國產(chǎn)碳化硅MOSFET廠商“避談可靠性”的本質(zhì)

    部分國產(chǎn)碳化硅MOSFET廠商“避談可靠性”的本質(zhì):電性能的顯性參數(shù)與
    的頭像 發(fā)表于 04-27 16:26 ?104次閱讀
    做賊心虛:<b class='flag-5'>部分國產(chǎn)</b><b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>廠商“避談<b class='flag-5'>柵</b><b class='flag-5'>氧</b>可靠性”的本質(zhì)

    國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET廠商可靠性危機(jī)與破局分析

    國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET在充電樁和車載OBC(車載充電機(jī))等領(lǐng)域出現(xiàn)可靠性問題后,行業(yè)面
    的頭像 發(fā)表于 04-20 13:33 ?182次閱讀
    <b class='flag-5'>國產(chǎn)</b><b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>廠商<b class='flag-5'>柵</b><b class='flag-5'>氧</b>可靠性危機(jī)與破局分析

    國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET廠商絕口不提可靠性的根本原因是什么

    兩方面展開分析: 一、部分國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET廠商避談可靠性的根本原因 技術(shù)矛盾:電
    的頭像 發(fā)表于 04-07 10:38 ?187次閱讀

    碳化硅SiCMOSFET可靠性成為電力電子客戶應(yīng)用的核心關(guān)切點(diǎn)

    為什么現(xiàn)在越來越多的客戶一看到SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商聊的第一個(gè)話題就是碳化硅MOSFET
    的頭像 發(fā)表于 04-03 07:56 ?207次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>(<b class='flag-5'>SiC</b>)<b class='flag-5'>MOSFET</b>的<b class='flag-5'>柵</b><b class='flag-5'>氧</b>可靠性成為電力電子客戶應(yīng)用<b class='flag-5'>中</b>的核心關(guān)切點(diǎn)

    國產(chǎn)碳化硅MOSFET行業(yè)亂象給中國功率半導(dǎo)體行業(yè)敲響警鐘

    、市場生態(tài)和政策四個(gè)維度進(jìn)行深度分析: 一、技術(shù)隱患部分國產(chǎn)SiC MOSFET廠商可靠性危機(jī)與研發(fā)短視
    的頭像 發(fā)表于 03-26 09:15 ?272次閱讀

    長期工作的充電樁電源模塊碳化硅MOSFET失效率越來越高的罪魁禍?zhǔn)祝?b class='flag-5'>柵可靠性埋了大

    罪魁禍?zhǔn)资?b class='flag-5'>部分國產(chǎn)碳化硅MOSFET氧化層的可靠性埋了大:短期使用看不出問題,長期工作下來充電樁電源模塊失效率持續(xù)增加,尤其是在高溫環(huán)境
    的頭像 發(fā)表于 03-24 10:44 ?226次閱讀
    長期工作的充電樁電源模塊<b class='flag-5'>中</b><b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>失效率越來越高的罪魁禍?zhǔn)祝?b class='flag-5'>柵</b><b class='flag-5'>氧</b>可靠性埋了大<b class='flag-5'>雷</b>

    國產(chǎn)碳化硅MOSFET“最低比導(dǎo)通電阻”宣傳噱頭背后隱藏的真相

    國產(chǎn)碳化硅MOSFET參數(shù)競賽背后的技術(shù)真相 減薄與可靠性犧牲 部分國產(chǎn)
    的頭像 發(fā)表于 03-17 16:40 ?265次閱讀
    <b class='flag-5'>國產(chǎn)</b><b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>“最低比導(dǎo)通電阻”宣傳噱頭背后隱藏的真相

    超結(jié)MOSFET升級(jí)至650V碳化硅MOSFET的根本驅(qū)動(dòng)力分析

    隨著BASiC基本半導(dǎo)體等企業(yè)的650V碳化硅MOSFET技術(shù)升級(jí)疊加價(jià)格低于進(jìn)口超結(jié)MOSFET,不少客戶已經(jīng)開始動(dòng)手用國產(chǎn)
    的頭像 發(fā)表于 03-01 08:53 ?404次閱讀
    超結(jié)<b class='flag-5'>MOSFET</b>升級(jí)至650<b class='flag-5'>V</b><b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>的根本<b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)</b>力分析

    40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN!

    BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN! BASiC基
    發(fā)表于 01-22 10:43

    產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲(chǔ)能變流器PCS的應(yīng)用

    *附件:國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲(chǔ)能變流器PCS的應(yīng)用.pdf
    發(fā)表于 01-20 14:19

    什么是MOSFET柵極氧化層?如何測試SiC碳化硅MOSFET可靠性?

    隨著電力電子技術(shù)的不斷進(jìn)步,碳化硅MOSFET因其高效的開關(guān)特性和低導(dǎo)通損耗而備受青睞,成為高功率、高頻應(yīng)用的首選。作為碳化硅MOSFET
    發(fā)表于 01-04 12:37
    主站蜘蛛池模板: 成人av.com | 老湿成人影院 | 成人xxxxx| 亚洲女同一区二区 | 在线天天干 | 欧美在线精品一区二区三区 | 久久香蕉综合色一综合色88 | 无遮挡很爽很污很黄在线网站 | 操久在线 | 色综合天天综合网国产国产人 | 天天色天天综合 | 日本不卡在线视频高清免费 | 人人干人人干人人干 | 色狠狠狠色噜噜噜综合网 | 成 年 人 视频在线播放 | 亚洲欧美日韩特级毛片 | 欧美黑人巨大日本人又爽又色 | 日韩精品视频免费观看 | 欧美高清视频一区 | 无内丝袜透明在线播放 | 手机看片福利日韩 | 奇米第四狠狠777高清秒播 | 99久久99这里只有免费费精品 | 欧美熟色妇 | 九九99久久精品午夜剧场免费 | 黄色在线 | 国产精品夜夜春夜夜 | 婷婷五月情 | 日本大片成人免费播放 | 亚洲一在线 | 日产国产精品亚洲系列 | 综合五月婷婷 | 日本高清色视频在线观看免费 | 久久精品亚洲精品国产色婷 | 国产精品露脸脏话对白 | 狠狠插综合网 | free chinese 国产精品 | 色妇网| 天天干干 | 男人你懂的网站 | 毛片免费观看 |