國產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET行業(yè)近年來在政策扶持、市場需求和技術突破的推動下快速發(fā)展，但伴隨的行業(yè)亂象也暴露出深層次的結構性問題，對中國功率半導體行業(yè)的可持續(xù)發(fā)展構成嚴峻挑戰(zhàn)。以下從技術、產(chǎn)業(yè)鏈、市場生態(tài)和政策四個維度進行深度分析：

一、技術隱患：部分國產(chǎn)SiC MOSFET廠商可靠性危機與研發(fā)短視

柵氧可靠性設計缺陷
部分國產(chǎn)SiC MOSFET廠商為降低成本，在工藝能力受限的情況下追求導通電阻和比導通電阻宣傳噱頭，減薄柵極氧化層厚度或柵氧電場強度過高（如>4 MV/cm），導致柵氧在高溫、高壓下的經(jīng)時擊穿（TDDB）壽命大幅縮短。例如，頭部廠商設計的柵氧壽命可達10?小時，而部分國產(chǎn)設計僅約10?小時，實際工況下壽命可能進一步降至3-5年，2026-2028年可能因系統(tǒng)性失效引發(fā)大規(guī)模召回，直接影響充電樁等關鍵領域。

技術路徑的盲目跟隨與創(chuàng)新不足
技術研發(fā)過度集中于低端應用如充電樁電源模塊，缺乏對器件制造底層工藝等前沿方向的長期投入。

測試與標準體系滯后
國內(nèi)缺乏統(tǒng)一的可靠性測試標準和認證體系，部分廠商僅通過短期測試（如甚至不到1000小時的HTGB實驗）即宣稱產(chǎn)品達標，但實際工況下失效模型復雜，導致早期失效和耗損失效風險未被充分暴露。

二、產(chǎn)業(yè)鏈瓶頸：部分國產(chǎn)SiC MOSFET廠商資本驅動的產(chǎn)能過剩與低效擴張

資本驅動的產(chǎn)能過剩與低效擴張
地方政府對“第三代半導體”概念的熱捧導致項目盲目上馬，已有170個SiC相關項目，但多數(shù)企業(yè)缺乏核心技術，產(chǎn)能利用率低下。例如，某企業(yè)宣稱年產(chǎn)能30萬片，實際有效碳化硅MOSFET產(chǎn)出不足一千片，多數(shù)為廢片。

三、市場生態(tài)：部分國產(chǎn)SiC MOSFET廠商價格戰(zhàn)與信任危機

價格倒掛的副作用
國產(chǎn)SiC MOSFET單價已低于IGBT，但國產(chǎn)碳化硅MOSFET廠商低價策略以犧牲可靠性為代價。部分國產(chǎn)碳化硅MOSFET廠商通過降低柵氧厚度等“偷工減料”手段壓縮成本，導致產(chǎn)品壽命縮短，最終引發(fā)客戶信任危機。

應用場景的畸形集中
新能源汽車和光伏領域占據(jù)SiC MOSFET應用的70%以上，國產(chǎn)碳化硅MOSFET多用于充電樁等低端場景，技術升級動力不足。

國際競爭壓力加劇
英飛凌等并通過專利壁壘限制國內(nèi)技術突破。國產(chǎn)碳化硅MOSFET企業(yè)若繼續(xù)依賴充電樁等低端市場，可能重蹈硅基IGBT時代“技術跟隨-專利封鎖”的覆轍。

四、部分國產(chǎn)SiC MOSFET廠商政策與行業(yè)治理的反思

政策扶持的“雙刃劍”效應
“十四五”規(guī)劃將SiC列為重點領域，但補貼導向導致企業(yè)追求短期指標（如產(chǎn)能規(guī)模）而非核心技術突破。例如，某企業(yè)獲得政府資助后盲目擴產(chǎn)，但碳化硅MOSFET良率長期停滯在40%以下，并且大部分無法通過嚴格的可靠性測試。

行業(yè)標準與監(jiān)管缺失
國內(nèi)尚未建立針對SiC MOSFET的強制認證體系，部分廠商通過虛假宣傳技術障眼法獲取市場準入，劣幣驅逐良幣現(xiàn)象突出。

產(chǎn)學研協(xié)同機制失效
對比德國弗勞恩霍夫研究所或日本AIST的產(chǎn)業(yè)聯(lián)合研發(fā)模式，國內(nèi)高校、科研機構與企業(yè)合作松散，共性技術攻關進展緩慢，導致技術迭代周期較長。

五、對中國功率半導體行業(yè)的警示與建議

技術層面：需建立國家級可靠性測試中心，強制推行車規(guī)級AEC-Q101認證，并加大對器件制造底層工藝等前沿方向的研發(fā)投入。

產(chǎn)業(yè)鏈層面：優(yōu)先突破襯底材料瓶頸，推動8英寸晶圓量產(chǎn)，并通過并購整合提升有效產(chǎn)能。

政策層面：調(diào)整補貼機制，從“重規(guī)?！鞭D向“重質(zhì)量”，設立非盈利研究機構主導共性技術攻關。

市場層面：引導企業(yè)差異化競爭，避免低端價格戰(zhàn)，鼓勵向高壓電網(wǎng)、軌道交通等高端場景拓展。

總結

國產(chǎn)SiC MOSFET行業(yè)的亂象本質(zhì)上是技術短視、產(chǎn)業(yè)鏈失衡與政策激勵錯配的綜合結果。若不能及時糾偏，可能導致國產(chǎn)功率半導體陷入“低端鎖定”陷阱，喪失與國際巨頭競爭的關鍵窗口期。這一亂象為中國功率半導體行業(yè)敲響的警鐘，不僅關乎技術自主可控，更涉及產(chǎn)業(yè)生態(tài)的可持續(xù)重構。

審核編輯 黃宇