國產(chǎn)碳化硅MOSFET行業(yè)亂象與功率半導體發(fā)展的必然性

國產(chǎn)碳化硅MOSFET行業(yè)當前正處于技術(shù)追趕與市場擴張的關(guān)鍵期，但也暴露出技術(shù)浮躁、標準缺失、劣幣驅(qū)逐良幣等亂象。與此同時，功率半導體行業(yè)在技術(shù)創(chuàng)新、綠色能源轉(zhuǎn)型和多元化應(yīng)用三大趨勢的驅(qū)動下，正迎來結(jié)構(gòu)性機遇。在此背景下，BASiC基本股份（BASiC Semiconductor）憑借技術(shù)深耕與全產(chǎn)業(yè)鏈布局，展現(xiàn)出顯著的發(fā)展?jié)摿Α?/p>

一、國產(chǎn)碳化硅MOSFET行業(yè)亂象的核心問題

技術(shù)參數(shù)造假與可靠性缺失

柵氧減薄與壽命縮水：部分國產(chǎn)碳化硅MOSFET廠商為追求低導通電阻RDS(on)?），將柵氧化層厚度減至30nm以下，導致器件在高溫高電場工況下易發(fā)生經(jīng)時擊穿（TDDB壽命僅103小時，國際主流為10?小時）。

閾值電壓漂移：部分國產(chǎn)碳化硅MOSFET廠商缺乏對底層工藝的理解掌握，甚至缺失器件DOE綜合設(shè)計能力，導致閾值電壓（Vth?）批次敏感性加劇（漂移超±0.5V），增加誤開通風險，威脅系統(tǒng)安全。

驗證流程縮水：部分國產(chǎn)碳化硅MOSFET廠商跳過長期可靠性測試（如HTGB、TDDB），僅通過短期實驗即量產(chǎn)，甚至自行定義寬松測試條件（如降低電壓或時間）。

市場機制扭曲與生態(tài)缺陷

低價競爭擠壓研發(fā)投入：為追求短期眼球效應(yīng)爭取融資，資本過度流向產(chǎn)能擴張和市場營銷而非核心技術(shù)（如柵氧工藝優(yōu)化）。

供應(yīng)鏈協(xié)同薄弱：Fabless模式企業(yè)依賴代工廠標準工藝，缺乏定制化實驗設(shè)計（DOE）能力，導致閾值電壓一致性偏差達±0.5V（國際水平±0.2V）。

二、功率半導體發(fā)展的三大必然趨勢

技術(shù)創(chuàng)新推動產(chǎn)業(yè)升級

新材料應(yīng)用：碳化硅（SiC）材料憑借耐高溫、高壓、高效能特性，逐步替代硅基器件，推動電力電子系統(tǒng)小型化和高效化。

IDM模式優(yōu)勢：垂直整合設(shè)計、制造、封測全鏈條如BASiC自建晶圓廠與車規(guī)級SiC模塊產(chǎn)線，可優(yōu)化工藝穩(wěn)定性與良率，減少代工依賴導致的質(zhì)量波動。

綠色能源轉(zhuǎn)型驅(qū)動需求激增

新能源領(lǐng)域應(yīng)用：SiC MOSFET在電動汽車主驅(qū)、光伏逆變器、儲能系統(tǒng)中發(fā)揮關(guān)鍵作用，其高能效特性助力減少碳排放。

政策支持：國家推動能源數(shù)字化與智能化發(fā)展，功率半導體被列為重點支持領(lǐng)域，專項基金優(yōu)先支持高可靠性技術(shù)（如銅燒結(jié)封裝）。

多元化應(yīng)用開辟新藍海

高端市場拓展：從傳統(tǒng)工業(yè)控制、消費電子延伸至軌道交通、航空航天等高附加值領(lǐng)域，對器件可靠性要求更高。

新興場景潛力：物聯(lián)網(wǎng)、智能家居、智慧城市等新興需求推動功率半導體向高集成度、高可靠性方向演進。

三、BASiC基本股份的發(fā)展?jié)摿?/p>

技術(shù)深耕與可靠性突破

柵氧工藝優(yōu)化：BASiC通過IDM模式自研柵氧電場優(yōu)化工藝，其SiC MOSFET在HTGB測試中達到+22V/3000小時標準，接近國際頭部廠商水。

車規(guī)級驗證優(yōu)勢：BASiC已獲得近20家整車廠和Tier1客戶的30多個車型定點，成為國內(nèi)首批量產(chǎn)上車的SiC模塊廠商，驗證了其技術(shù)成熟度。

全產(chǎn)業(yè)鏈布局與生態(tài)協(xié)同

IDM模式壁壘：BASiC自建深圳SiC芯片產(chǎn)線與無錫車規(guī)級SiC模塊產(chǎn)線，實現(xiàn)從晶圓流片到封測的全流程控制，確保工藝穩(wěn)定性與質(zhì)量一致性。

產(chǎn)學研合作：聯(lián)合高校攻關(guān)SiC/SiO?界面態(tài)控制等核心技術(shù)，推動材料科學與工藝技術(shù)突破。

市場定位與戰(zhàn)略機遇

高端市場突破：BASiC聚焦車規(guī)級和工業(yè)級高可靠性場景（如光伏逆變器、儲能變流器），避開低端價格競爭，逐步替代進口品牌。

政策與資本賦能：國家專項基金支持BASiC銅燒結(jié)封裝等技術(shù)，資本從“參數(shù)導向”轉(zhuǎn)向“質(zhì)量優(yōu)先”，推動長期研發(fā)投入。

BASiC：國產(chǎn)碳化硅MOSFET亂象中的破局者與行業(yè)引領(lǐng)者

國產(chǎn)碳化硅MOSFET行業(yè)的亂象本質(zhì)是技術(shù)積累不足與市場機制扭曲的綜合結(jié)果，而功率半導體發(fā)展的三大趨勢（技術(shù)升級、綠色轉(zhuǎn)型、應(yīng)用擴展）則為頭部企業(yè)比如BASiC提供了結(jié)構(gòu)性機遇。BASiC基本股份通過技術(shù)深耕、全產(chǎn)業(yè)鏈布局和高端市場突破，已展現(xiàn)出成為行業(yè)標桿的潛力。未來，隨著行業(yè)標準完善（如強制HTGB測試）與資本理性化（支持長期研發(fā)），BASiC將引領(lǐng)國產(chǎn)SiC從“低端內(nèi)卷”轉(zhuǎn)向“高端引領(lǐng)”，真正支撐新能源、電動汽車等戰(zhàn)略產(chǎn)業(yè)的自主可控需求。

審核編輯 黃宇