國產碳化硅MOSFET行業亂象與功率半導體發展的必然性

國產碳化硅MOSFET行業當前正處于技術追趕與市場擴張的關鍵期，但也暴露出技術浮躁、標準缺失、劣幣驅逐良幣等亂象。與此同時，功率半導體行業在技術創新、綠色能源轉型和多元化應用三大趨勢的驅動下，正迎來結構性機遇。在此背景下，BASiC基本股份（BASiC Semiconductor）憑借技術深耕與全產業鏈布局，展現出顯著的發展潛力。

一、國產碳化硅MOSFET行業亂象的核心問題

技術參數造假與可靠性缺失

柵氧減薄與壽命縮水：部分國產碳化硅MOSFET廠商為追求低導通電阻RDS(on)?），將柵氧化層厚度減至30nm以下，導致器件在高溫高電場工況下易發生經時擊穿（TDDB壽命僅103小時，國際主流為10?小時）。

閾值電壓漂移：部分國產碳化硅MOSFET廠商缺乏對底層工藝的理解掌握，甚至缺失器件DOE綜合設計能力，導致閾值電壓（Vth?）批次敏感性加劇（漂移超±0.5V），增加誤開通風險，威脅系統安全。

驗證流程縮水：部分國產碳化硅MOSFET廠商跳過長期可靠性測試（如HTGB、TDDB），僅通過短期實驗即量產，甚至自行定義寬松測試條件（如降低電壓或時間）。

市場機制扭曲與生態缺陷

低價競爭擠壓研發投入：為追求短期眼球效應爭取融資，資本過度流向產能擴張和市場營銷而非核心技術（如柵氧工藝優化）。

供應鏈協同薄弱：Fabless模式企業依賴代工廠標準工藝，缺乏定制化實驗設計（DOE）能力，導致閾值電壓一致性偏差達±0.5V（國際水平±0.2V）。

二、功率半導體發展的三大必然趨勢

技術創新推動產業升級

新材料應用：碳化硅（SiC）材料憑借耐高溫、高壓、高效能特性，逐步替代硅基器件，推動電力電子系統小型化和高效化。

IDM模式優勢：垂直整合設計、制造、封測全鏈條如BASiC自建晶圓廠與車規級SiC模塊產線，可優化工藝穩定性與良率，減少代工依賴導致的質量波動。

綠色能源轉型驅動需求激增

新能源領域應用：SiC MOSFET在電動汽車主驅、光伏逆變器、儲能系統中發揮關鍵作用，其高能效特性助力減少碳排放。

政策支持：國家推動能源數字化與智能化發展，功率半導體被列為重點支持領域，專項基金優先支持高可靠性技術（如銅燒結封裝）。

多元化應用開辟新藍海

高端市場拓展：從傳統工業控制、消費電子延伸至軌道交通、航空航天等高附加值領域，對器件可靠性要求更高。

新興場景潛力：物聯網、智能家居、智慧城市等新興需求推動功率半導體向高集成度、高可靠性方向演進。

三、BASiC基本股份的發展潛力

技術深耕與可靠性突破

柵氧工藝優化：BASiC通過IDM模式自研柵氧電場優化工藝，其SiC MOSFET在HTGB測試中達到+22V/3000小時標準，接近國際頭部廠商水。

車規級驗證優勢：BASiC已獲得近20家整車廠和Tier1客戶的30多個車型定點，成為國內首批量產上車的SiC模塊廠商，驗證了其技術成熟度。

全產業鏈布局與生態協同

IDM模式壁壘：BASiC自建深圳SiC芯片產線與無錫車規級SiC模塊產線，實現從晶圓流片到封測的全流程控制，確保工藝穩定性與質量一致性。

產學研合作：聯合高校攻關SiC/SiO?界面態控制等核心技術，推動材料科學與工藝技術突破。

市場定位與戰略機遇

高端市場突破：BASiC聚焦車規級和工業級高可靠性場景（如光伏逆變器、儲能變流器），避開低端價格競爭，逐步替代進口品牌。

政策與資本賦能：國家專項基金支持BASiC銅燒結封裝等技術，資本從“參數導向”轉向“質量優先”，推動長期研發投入。

BASiC：國產碳化硅MOSFET亂象中的破局者與行業引領者

國產碳化硅MOSFET行業的亂象本質是技術積累不足與市場機制扭曲的綜合結果，而功率半導體發展的三大趨勢（技術升級、綠色轉型、應用擴展）則為頭部企業比如BASiC提供了結構性機遇。BASiC基本股份通過技術深耕、全產業鏈布局和高端市場突破，已展現出成為行業標桿的潛力。未來，隨著行業標準完善（如強制HTGB測試）與資本理性化（支持長期研發），BASiC將引領國產SiC從“低端內卷”轉向“高端引領”，真正支撐新能源、電動汽車等戰略產業的自主可控需求。

審核編輯 黃宇