EMC測(cè)試是一項(xiàng)評(píng)估電子產(chǎn)品在電磁場(chǎng)干擾大小(EMI)和抗干擾能力(EMS)方面的綜合檢測(cè)工作。它是產(chǎn)品質(zhì)量評(píng)估中最重要的指標(biāo)之一。當(dāng)一個(gè)電子產(chǎn)品的輻射數(shù)據(jù)超過(guò)標(biāo)準(zhǔn)限制時(shí)，其可能產(chǎn)生輻射超標(biāo)的原因是多方面的。例如接口濾波不良、結(jié)構(gòu)屏效低、電纜設(shè)計(jì)有缺陷等都有可能導(dǎo)致輻射數(shù)據(jù)超標(biāo)的情況出現(xiàn)。要想根除輻射超標(biāo)的問(wèn)題，必須從電路板(PCB)的設(shè)計(jì)入手，因?yàn)殡娐钒宓脑O(shè)計(jì)不良是產(chǎn)生干擾的根本原因。這種干擾會(huì)影響到其他電器設(shè)備，尤其是那些靈敏度較高的電器設(shè)備的正常工作。因此，進(jìn)行EMC測(cè)試是非常必要的，它可以檢測(cè)電子產(chǎn)品的EMC指標(biāo)，以保證電子產(chǎn)品的質(zhì)量，并確保其在電磁環(huán)境下的正常工作狀態(tài)。

下面是有關(guān)SMD3225貼片晶振在電路設(shè)計(jì)中的不合理造成的EMC輻射超標(biāo)案例

廣瑞泰客戶(hù)在生產(chǎn)一款觸屏控制電路板，使用一款3225貼片晶振，發(fā)現(xiàn)其電路工作會(huì)造成EMC輻射發(fā)射超標(biāo)。該P(yáng)CB為雙面板，晶振與芯片不在同一層面，導(dǎo)致晶振頻率信號(hào)需要經(jīng)過(guò)孔，而時(shí)鐘走線(xiàn)過(guò)于曲折且與芯片距離較遠(yuǎn)，可能產(chǎn)生很多不必要的高次諧波，甚至形成發(fā)射天線(xiàn)。此外，晶振位置離PCB板邊緣很近，導(dǎo)致晶振回流地面積不夠充裕，引發(fā)EMC問(wèn)題。

為此，提出以下改善及對(duì)策：

首先，晶振腳2與腳4需要接地（GND）；

其次，晶振頻率管腳1和3應(yīng)盡可能靠近IC引腳，并與其他信號(hào)線(xiàn)保持一定距離，最好進(jìn)行包地處理。

此外，晶振底部不應(yīng)有走線(xiàn)，尤其是要避免高速信號(hào)線(xiàn)。

經(jīng)過(guò)上述晶振布線(xiàn)調(diào)整，晶振SMD3225-4p 24MHz EMC輻射干擾程度已優(yōu)化到可接受范圍。建議將晶振和芯片放在同一層面，并盡可能靠近芯片引腳，減小芯片XIN和XOUT引腳到晶振兩個(gè)對(duì)應(yīng)引腳的走線(xiàn)長(zhǎng)度，并進(jìn)行包地處理，以免將干擾耦合到其他信號(hào)線(xiàn)。晶振的地要包圍單點(diǎn)接到地層，這樣不僅可以減小輻射干擾，還可以提高抗干擾能力。

審核編輯：湯梓紅