新品 | 通用分立功率半導體測試評估平臺
新品
通用分立功率半導體
測試評估平臺
型號為EVAL_PS_DP_MAIN，適用產品為600-1200V的TO-247-3/4封裝的IGBT，MOSFET，SiC MOSFET。
該評估平臺的開發是為了讓工程師研究MOSFET、IGBT及其驅動器的開關行為，適用產品為600-1200V的TO-247-3/4封裝的IGBT，MOSFET， SiC MOSFET，它是現有雙脈沖平臺的改進版，該主板的最大電壓為800V，最大脈沖電流為130A。
評估平臺包括主板和目前的兩個驅動子板。模塊化設計是為了使該平臺能夠在將來用新的驅動子板進行擴展。
第一塊驅動卡
REF-1EDC20I12MHDPV2
包含EiceDRIVER 1EDC Compact 1EDC20I12MH，它集成了一個有源米勒鉗，防止寄生開啟。
第二塊驅動卡
REF-1EDC60H12AHDPV2
包括EiceDRIVER 1EDC Compact 1EDC60H12AH，允許正負電源供電，其中VCC2為+15V，GND2為負極。
產品特點
VCC2柵極驅動電壓供應，從-5V到+20V
VCC1電源固定在+5V
通過SMA-BNC連接器進行柵極測試點連接
通過可選的同軸分流器測量電流
優化的換流回路
外部負載電感器連接
散熱器設計允許在各種溫度下進行測試
應用價值
可以作為客戶系統中驅動設計的參考
可以對TO-247-3/4封裝的IGBT，MOSFET, SiC MOSFET進行對比測試
模塊化平臺允許未來進行擴展
平臺框圖
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