8.2.12.1 開通過程,0
8.2.12.2 開通過程,t1
8.2.12.3 開通過程,t2
8.2.12.4 開通過程,t>t3
8.2.12 MOSFET 瞬態響應
第8章單極型功率開關器件
《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。
舉報投訴
-
SiC
+關注
關注
31文章
3092瀏覽量
64080
發布評論請先 登錄
相關推薦
碳化硅功率器件有哪些特點
隨著全球對綠色能源和高效能電子設備的需求不斷增加,寬禁帶半導體材料逐漸進入了人們的視野。其中,碳化硅(SiC)因其出色的性能而受到廣泛關注。碳化硅功率器件在電力電子、可再生能源以及電動汽車等領域的應用不斷拓展,成為現代電子
Wolfspeed第4代碳化硅技術解析
本白皮書重點介紹 Wolfspeed 專為高功率電子應用而設計的第 4 代碳化硅 (SiC) MOSFET 技術?;谠?b class='flag-5'>碳化硅創新領域的傳承,Wolfspeed 定期推出尖端

碳化硅襯底的生產過程
碳化硅(SiC)作為一種寬禁帶半導體材料,因其出色的物理和化學特性,如高硬度、高熔點、高熱導率和化學穩定性,在半導體產業中得到了廣泛的應用。SiC襯底是制造高性能SiC器件的關鍵材料,其生產過程復雜
碳化硅功率器件的封裝技術解析
碳化硅(SiC)功率器件因其低內阻、高耐壓、高頻率和高結溫等優異特性,在電力電子系統中得到了廣泛關注和應用。然而,要充分發揮SiC器件的性能,封裝技術至關重要。本文將詳細解析
碳化硅的缺陷分析與解決方案
。 碳化硅的主要缺陷類型 微管缺陷 :微管是碳化硅晶體生長過程中最常見的缺陷之一,它們會形成垂直于晶體生長方向的空管,影響電子器件的電導率和
什么是MOSFET柵極氧化層?如何測試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?
隨著電力電子技術的不斷進步,碳化硅MOSFET因其高效的開關特性和低導通損耗而備受青睞,成為高功率、高頻應用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分,柵極氧化層對
發表于 01-04 12:37
8英寸單片高溫碳化硅外延生長室結構
隨著碳化硅(SiC)材料在電力電子、航空航天、新能源汽車等領域的廣泛應用,高質量、大面積的SiC外延生長技術變得尤為重要。8英寸SiC晶圓作為當前及未來一段時間內的主流尺寸,其外延生長

碳化硅功率器件在能源轉換中的創新應用
能源轉換、電力傳輸和電動汽車等領域具有廣闊的應用前景。本文將介紹碳化硅功率器件的基本原理和特點,并探討其在能源轉換中的創新應用,引領高效能源轉換的未來之光。
碳化硅功率器件在能源轉換中的應用
碳化硅(SiC)功率器件作為一種新興的能源轉換技術,因其優異的性能在能源領域受到了廣泛的關注。本文將介紹碳化硅功率器件的
碳化硅功率器件的工作原理和應用
碳化硅(SiC)功率器件近年來在電力電子領域取得了顯著的關注和發展。相比傳統的硅(Si)基功率器件,碳化硅具有許多獨特的優點,使其在高效能、高頻率和高溫環境下的應用中具有明顯的優勢。本

碳化硅功率器件的優勢和應用領域
在電力電子領域,碳化硅(SiC)功率器件正以其獨特的性能和優勢,逐步成為行業的新寵。碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料,具有高擊穿電場、高熱導率、低介電常數等特點,使得碳化硅功率

碳化硅晶圓和硅晶圓的區別是什么
。而硅晶圓是傳統的半導體材料,具有成熟的制造工藝和廣泛的應用領域。 制造工藝: 碳化硅晶圓的制造工藝相對復雜,需要高溫、高壓和長時間的生長過程。而硅晶圓的制造工藝相對成熟,可以實現大規模生產。此外,碳化硅晶圓的
評論