6.4.1.2 SiC上的肖特基接觸∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
SiC
+關注
關注
31文章
3189瀏覽量
64617
發布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
全球功率半導體變革：SiC碳化硅功率器件中國龍崛起
功率器件變革中SiC碳化硅中國龍的崛起：從技術受制到全球引領的歷程與未來趨勢 當前功率器件正在經歷從傳統的硅基功率
SiC碳化硅二極管公司成為國產碳化硅功率器件行業出清的首批對象
結合國產碳化硅功率半導體市場的競爭格局和技術發展趨勢，SiC碳化硅二極管公司已經成為國產碳化硅功率器件
SiC碳化硅MOSFET功率器件雙脈沖測試方法介紹
碳化硅革新電力電子，以下是關于碳化硅（SiC）MOSFET功率器件雙脈沖測試方法的詳細介紹，結合其技術原理、關鍵步驟與應用價值，助力電力電子
碳化硅功率器件的封裝技術解析
碳化硅（SiC）功率器件因其低內阻、高耐壓、高頻率和高結溫等優異特性，在電力電子系統中得到了廣泛關注和應用。然而，要充分發揮SiC器件的性能
鐘罩式熱壁碳化硅高溫外延片生長裝置
一、引言
隨著半導體技術的飛速發展，碳化硅（SiC）作為一種具有優異物理和化學性質的材料，在電力電子、微波器件、高溫傳感器等領域展現出巨大的應用潛力。高質量、大面積的
什么是MOSFET柵極氧化層？如何測試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性？
隨著電力電子技術的不斷進步，碳化硅MOSFET因其高效的開關特性和低導通損耗而備受青睞，成為高功率、高頻應用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分，柵極氧化層對
發表于 01-04 12:37
8英寸單片高溫碳化硅外延生長室結構
隨著碳化硅（SiC）材料在電力電子、航空航天、新能源汽車等領域的廣泛應用，高質量、大面積的SiC外延生長技術變得尤為重要。8英寸
碳化硅SiC在光電器件中的使用
。 高熱導率 ：SiC的熱導率是Si的三倍以上，有助于器件的散熱。 高電子飽和速度 ：SiC的電子飽和速度高于Si，適合于高速電子器件。 化學穩定性 ：
碳化硅SiC在電子器件中的應用
隨著科技的不斷進步，電子器件的性能要求也日益提高。傳統的硅（Si）材料在某些應用中已經接近其物理極限，尤其是在高溫、高壓和高頻領域。碳化硅（SiC）作為一種寬帶隙（WBG）半導體材料，因其卓越的電學
碳化硅SiC材料應用 碳化硅SiC的優勢與性能
碳化硅SiC材料應用 1. 半導體領域 碳化硅是制造高性能半導體器件的理想材料，尤其是在高頻、高溫、高壓和高功率的應用中。SiC基半導體
碳化硅功率器件的工作原理和應用
碳化硅（SiC）功率器件近年來在電力電子領域取得了顯著的關注和發展。相比傳統的硅（Si）基功率器件，碳化硅具有許多獨特的優點，使其在高效能、
碳化硅功率器件的優點和應用
碳化硅（SiliconCarbide，簡稱SiC）功率器件是近年來電力電子領域的一項革命性技術。與傳統的硅基功率器件相比，
工商網監
評論