10.1.8 相變存儲(chǔ)器（PCRAM）∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》
Phase-change Random Access Memory
審稿人：北京大學(xué) 蔡一茂 方亦陳
https://www.pku.edu.cn
審稿人：北京大學(xué) 張興
10.1 非傳統(tǒng)新結(jié)構(gòu)器件
第10章 集成電路基礎(chǔ)研究與前沿技術(shù)發(fā)展
《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》下冊(cè)
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存儲(chǔ)器
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國(guó)家統(tǒng)計(jì)局近日發(fā)布的最新數(shù)據(jù)顯示，2024年上半年，我國(guó)集成電路產(chǎn)品的產(chǎn)量同比增長(zhǎng)了28.9%，這一增速遠(yuǎn)超同期的GDP增速，成為推動(dòng)經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)的重要力量。隨著國(guó)家對(duì)高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)的重視和支持，集成電路
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