PN8149通過Hi-mode、Eco-mode、Burst-mode的三種脈沖功率調(diào)節(jié)模式混合技術(shù)和特殊器件低功耗結(jié)構(gòu)技術(shù)實現(xiàn)了超低的待機功耗、全電壓范圍下的最佳效率。良好的EMI表現(xiàn)由頻率調(diào)制技術(shù)和Soft Driver技術(shù)充分保證。該芯片還內(nèi)置智能高壓啟動模塊。PN8149為需要超低待機功耗的高性價比反激式開關(guān)電源系統(tǒng)提供了一個先進的實現(xiàn)平臺，非常適合六級能效標(biāo)準(zhǔn)、Eur2.0、能源之星的應(yīng)用。

PN8149電源IC小家電專用芯片特點:
1. 待機功耗可顯著降低（小于50mW），因為IC自身工作電流極小，且內(nèi)置高壓啟動MOS管，IC啟動之后自動關(guān)閉啟動管；
2. 無需高壓啟動電阻和VDDG電阻，元件精簡，且啟動更快速（小于200ms），比普通高壓電阻啟動快10倍。
3. EMI特性好，CE裕量大于8dB（無輸出共模電感），RE裕量大于5dB（無輸出共模電感）；
4. 內(nèi)置16級軟啟動功能，更安全。
5. 內(nèi)置功率MOS管內(nèi)阻小（1.7-4Ω），同等輸出功率下的溫升更低。
6. 可承受任何外接元件的開短路/反接破壞測試，包括CS短路保護，防止產(chǎn)線加工時CS電阻短路和其他元件異常而燒毀IC，提高產(chǎn)線直通率；很多競爭產(chǎn)品在CS短路后開機必炸機。
7. 采用自主設(shè)計的高雪崩能力智能開關(guān)MOSFET，在18W反激系統(tǒng)中去掉RCD/ AC264V下仍能正常工作不燒毀，可見該核心功率器件的耐沖擊強度。
8. 通過Hi-mode、Eco-mode、Burst-mode的三種混合調(diào)節(jié)模式技術(shù)，在適當(dāng)?shù)脑O(shè)計方案中，完全可滿足六級能效的四點平均效率標(biāo)準(zhǔn)（帶輸出線）。

驪微電子代理的PN8149內(nèi)部集成了脈寬調(diào)制控制器和功率MOSFET，專用于高性能、外圍元器件精簡的交直流轉(zhuǎn)換開關(guān)電源。該芯片提供了極為全面和性能優(yōu)異的智能化保護功能，包括周期式過流保護（外部可調(diào)）、過載保護、過壓保護、CS短路保護、軟啟動功能。