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一文弄懂IGBT驅動

英飛凌工業半導體 ? 2022-02-11 09:23 ? 次閱讀

要了解什么是IGBT驅動,首先你需要了解什么是IGBT。請戳前情提要:《極簡電力電子學》。

我們都知道,電機驅動是IGBT的主要應用領域之一。有的同學可能會有這樣的困惑:

“IGBT本來就是驅動電機的,為什么它自己還需要一個驅動?IGBT驅動到底是做什么的?”

這個問題說來簡單,就像《極簡電力電子學》中所說:“IGBT本質上就是一個電子開關,就好比你家里墻上的開關,按一下,開關閉合,電燈亮起;再按一下,電燈熄滅。

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當然,操作IGBT,不再是手,而是電子脈沖。高電平來臨時,器件開通;低電平來臨時,器件就關斷。手動操作開關,可能一秒鐘一兩次,而我們的電子開關,一秒鐘可以開關上萬次,幾十萬次。

那么這時候問題來了:控制IGBT電子脈沖從哪兒來?

有的同學要舉手了:我知道我知道!控制脈沖可以從MCU來!

非常棒!你都會搶答了!

MCU就像我們的大腦,它控制我們身體的一舉一動。但它發出的神經元信號非常微弱,根本無法按動開關。所以大腦需要把這個信號傳送給手,由手部肌肉運動來產生一定的力量,摁下開關。IGBT的驅動就是控制IGBT的、靈巧又有力量的“手”。

那么,信號從MCU到IGBT驅動芯片,中間都經歷了什么?

首先

MCU的輸出電流是mA級別,而IGBT需要的驅動電流可能達到幾安培。IGBT驅動要完成的首要任務,就是作為一個放大器,放大電流。

其次

MCU輸出電平一般是3.3V,而IGBT一般的驅動電壓要達到15V。IGBT驅動需要把3.3V信號轉成15V信號。而且這個15V,不是一般的15V。IGBT一般工作在橋式電路中。橋式電路會承受母線電壓。當電路不開關時,橋式電路的中點會承受一半的母線電壓;在上管開通時,中點電位與母線電壓相同。

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這時上管IGBT驅動的工作,就是要在幾百伏或上千伏的母線電壓基礎之上,再生成一個15V的電壓信號來。好比說MCU提供了一顆長在地上的小樹苗,IGBT驅動的工作不光是要把小樹苗變成大樹,還要把它移植到高山上去。聽起來是不是很厲害!

最后

MCU 在低壓側,其供電電壓一般為5V。IGBT在高壓側,母線電壓可達幾千伏。因為低壓側會有人機接口,所以絕對不能讓高壓側高電壓流竄到低壓側,給人體造成傷害!有的時候,IGBT驅動需要有一定的電氣隔離能力,做為低壓側和高壓側之間的屏障,防止副邊高壓對原邊操作的人體造成傷害。如果IGBT驅動不具有絕緣能力的話,絕緣屏障就要加在MCU與人機接口之間。

能完成以上功能的驅動,我們稱之為緊湊型驅動。比如英飛凌1ED X3 compact系列:

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在有些應用場景下,驅動要提供豐富的保護功能。首先,驅動器要長出一雙“眼睛”(故障檢測),觀察“電燈”(負載)或者“開關”(IGBT)運行是否正常。如果負載有異常,故障檢測立刻發送信號給“大腦”MCU,MCU發指令給IGBT驅動,IGBT驅動關閉功率器件,避免炸機。我們把具有保護功能的IGBT驅動IC稱為增強型驅動。IGBT驅動的保護功能包括欠壓關斷、短路保護、過壓保護、過溫保護、米勒鉗位、軟關斷等。

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這一類驅動,我們稱之為增強型驅動芯片,代表產品有英飛凌1ED34x1MC12M:

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英飛凌提供完整的功率器件+驅動芯片解決方案。

英飛凌驅動芯片技術有兩類:非隔離型和隔離型。非隔離型的驅動,使用的是level-shift電平轉移技術,顧名思義,它能把平地上的“小樹苗”移植到高山上去,但不具有絕緣能力。其中,SOI是一種特別的level-shift技術,它在絕緣的二氧化硅層上制作晶體管,杜絕了漏電流的產生,從而使驅動芯片具有很強的抗負壓能力。

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隔離型的驅動,既能完成電平轉換,也具有原副邊電氣隔離的能力。市面上常見的隔離技術有光隔離,磁隔離,容性隔離。英飛凌隔離型驅動采用的是磁隔離技術,它使用兩個線圈分別作為原邊和副邊的信號接收器,二氧化硅作為中間的絕緣層,又叫做無磁芯變壓器技術。

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我們將在接下來的系列文章中,詳細介紹驅動芯片不同的技術特點,以及相應的產品分類。

說到這里,不知道大家有沒有發現一個有趣的現象,整個電力系統就像是一個層層放大的套娃:MCU發出的mA級微弱信號,經IGBT驅動芯片放大到幾安培,驅動芯片后面可能還有一個booster電路將驅動電流放大到十幾安培,這個電流再經過IGBT,可以放大到幾百安甚至幾千安的,從而舉起礦石,升起電梯,驅動高鐵。IGBT驅動是整個系統中至關重要的一環。

剛剛接觸IGBT驅動芯片的小伙伴,面對琳瑯滿目的IC型號難免眼花繚亂。其實選擇合適的IGBT驅動芯片非常簡單,英飛凌有在線的驅動IC選擇工具,只需要輸入系統的電壓、電流、絕緣等級等簡單信息,工具就會推送合適的產品了。

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