8.1 結型場效應晶體管(JFET)∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
晶體管
+關注
關注
77文章
10020瀏覽量
141732
發布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
無結場效應晶體管器件的發展歷程
2010年，愛爾蘭 Tyndall 國家研究所的J.P.Colinge 等人成功研制了三柵無結場效應晶體管，器件結構如圖1.15所示。從此，半導體界興起了一股研究無結
結型場效應晶體管的結構解析
結型場效應晶體管（Junction Field-Effect Transistor, JFET）是在同一塊 N型半導體上制作兩個高摻雜的P區
互補場效應晶體管的結構和作用
隨著半導體技術不斷逼近物理極限，傳統的平面晶體管（Planar FET）、鰭式場效應晶體管（FinFET）從平面晶體管到FinFET的演變，乃至全環繞柵或圍柵（GAA
安森美完成對Qorvo碳化硅JFET技術的收購
安森美 (onsemi) 宣布已完成以1.15億美元現金收購Qorvo碳化硅結型場效應晶體管(SiC JFET)
安森美1.15億美元收購Qorvo碳化硅JFET技術業務
近日，安森美半導體公司宣布了一項重要的收購計劃，以1.15億美元現金收購Qorvo的碳化硅結型場效應晶體管(SiC JFET)
結型場效應晶體管和N溝道場效應晶體管有什么區別
結型場效應晶體管（Junction Field-Effect Transistor，簡稱JFET）和N溝道場效應晶體管（N-Channel
結型場效應晶體管的工作原理和特性
結型場效應晶體管（Junction Field-Effect Transistor，簡稱JFET）是一種基于場效應原理工作的三端有源
結型場效應晶體管的定義和引腳配置
結型場效應晶體管（Junction Field-Effect Transistor，簡稱JFET）是一種基于場效應原理工作的三端有源
如何選擇場效應晶體管
在選擇場效應晶體管（FET）時，需要考慮多個因素以確保所選器件能夠滿足特定的應用需求，同時保證電路的性能和可靠性。以下是一個詳細的選擇場效應晶體管的指南，包括關鍵步驟、考慮因素以及具體的應用建議。
什么是結型場效應晶體管
結型場效應晶體管（Junction Field-Effect Transistor，簡稱JFET）是一種基于場效應原理工作的三端有源
場效應晶體管和雙極性晶體管有什么區別
場效應晶體管（Field Effect Transistor，簡稱FET）和雙極性晶體管（Bipolar Junction Transistor，簡稱BJT，也稱雙極性結型
場效應晶體管利用什么原理控制
場效應晶體管（Field-Effect Transistor，簡稱FET）是一種利用電場效應來控制電流的半導體器件。它具有高輸入阻抗、低噪聲、快速響應等優點，在電子技術領域得到了廣泛的
工商網監
評論