硬實(shí)力對(duì)決|華廈半導(dǎo)體-談謙:純度決定高度,粒度決定深度
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硬創(chuàng)未來,未來已來
#關(guān)于第七屆中國(guó)硬件創(chuàng)新創(chuàng)客大賽#
第七屆中國(guó)硬件創(chuàng)新創(chuàng)客大賽(以下簡(jiǎn)稱”大賽“)是由深圳市福田區(qū)科技創(chuàng)新局、深圳市福田區(qū)企業(yè)發(fā)展服務(wù)中心指導(dǎo),深圳華秋電子有限公司主辦,面向硬科技初創(chuàng)企業(yè)及團(tuán)隊(duì)的專業(yè)賽事。
大賽自2015年舉辦以來,影響了超過40萬工程師群體,吸引了30000多名硬創(chuàng)先鋒報(bào)名參加線上線下培訓(xùn)會(huì),并成功聚集了350多家生態(tài)合作伙伴,與近400家頂級(jí)資本方建立合作。截止到目前,大賽已累計(jì)服務(wù)超過3000個(gè)項(xiàng)目。隨著影響力的擴(kuò)大,<中國(guó)硬件創(chuàng)新創(chuàng)客大賽>已成為中國(guó)硬件創(chuàng)新領(lǐng)域重要賽事之一。
2021年大賽參賽隊(duì)伍地域覆蓋華南、華北、華東三大地區(qū),今年還增設(shè)了集成電路賽道。項(xiàng)目涵蓋芯片、5G、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、機(jī)器視覺、智能終端等多個(gè)領(lǐng)域。經(jīng)過層層篩選,最終產(chǎn)生13強(qiáng)項(xiàng)目方進(jìn)入全國(guó)總決賽,爭(zhēng)奪總決賽桂冠。
硬創(chuàng)大賽全國(guó)13強(qiáng):高純鎵及三代半材料產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目
![poYBAGGXHLyAEgn8AArNl6_3qoY653.png](https://file.elecfans.com/web2/M00/1E/6E/poYBAGGXHLyAEgn8AArNl6_3qoY653.png)
華廈半導(dǎo)體的高純鎵及三代半材料產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目在微納集成電路賽中脫穎而出,成功晉級(jí)全國(guó)13強(qiáng),將于2021年12月17日進(jìn)行路演。
![pYYBAGGXHQmADWqjAAZP22SRWSU915.png!800.jpg](https://file.elecfans.com/web2/M00/1E/76/pYYBAGGXHQmADWqjAAZP22SRWSU915.png!800.jpg)
據(jù)悉,華廈半導(dǎo)體的高純鎵及三代半材料產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目提出了一種可以大幅度降低成本的方法:提供一種氮化鎵生長(zhǎng)襯底,包括逐層疊加的基板、晶格轉(zhuǎn)化層和緩沖層;基板為氮化鎵非晶基板覆蓋多晶層,在緩沖層與基底之間設(shè)置有用金屬制成的晶格轉(zhuǎn)化層,不僅可以增強(qiáng)緩沖層與基底之間的結(jié)合能力,而且所構(gòu)形成的晶格轉(zhuǎn)化層的晶格失配參數(shù)與基底(氮化鎵)的晶格失配參數(shù)相近,可以避免緩沖層與基底晶格適配參數(shù)相差較大而造成最終產(chǎn)品中存在較多晶格缺陷的問題。
華廈半導(dǎo)體聚焦于打造以“鎵”金屬為核心,從高純鎵,超高純鎵,高純氮化鎵粉末,氮化鎵微晶,氮化鎵襯底,及高純銻化鎵粉末,高純氧化鎵粉末,銻化鎵單晶的華廈鎵鏈。目前,是全球唯一家從源頭“鎵”金屬布局的三代半材料產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)。
聯(lián)合創(chuàng)始人談謙表示,華廈半導(dǎo)體的使命就是為中國(guó)集成電路用高純材料提供國(guó)產(chǎn)替代。
讓我們共同期待屆時(shí)高純鎵及三代半材料產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目的路演表現(xiàn)吧!
2021年12月17日
第七屆硬創(chuàng)大賽全國(guó)總決賽將于深圳福田新一代產(chǎn)業(yè)園舉辦
各位創(chuàng)客朋友,你們還在等什么?
趕緊掃碼填寫表單參與觀戰(zhàn)!
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中國(guó)硬件創(chuàng)新大賽
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