光學(xué)3d表面輪廓儀也叫白光干涉儀，是以白光干涉技術(shù)為原理，能夠以優(yōu)于納米級的分辨率，非接觸測量樣品表面形貌的光學(xué)測量儀器，用于表面形貌紋理，微觀結(jié)構(gòu)分析，用于測試各類表面并自動聚焦測量工件獲取2D，3D表面粗糙度、輪廓等一百余項參數(shù)，廣泛應(yīng)用于光學(xué)，半導(dǎo)體，材料，精密機(jī)械等等領(lǐng)域。

如我國的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)特別是芯片的研發(fā)和制造方面，與國外的高端制造還有很大的差距。目前我們能夠成熟掌握的技術(shù)雖然可以做到大批量產(chǎn)28nm工藝的芯片；小批量生產(chǎn)14nm工藝芯片，但良率不高。

其中在芯片封裝測試流程中，晶圓減薄和晶圓切割工藝需要測量晶圓膜厚、粗糙度、平整度（翹曲），晶圓切割槽深、槽寬、崩邊形貌等參數(shù)。

SuperViewW1 光學(xué)3d表面輪廓儀的X/Y方向標(biāo)準(zhǔn)行程為140*100mm，滿足減薄后晶圓表面大范圍多區(qū)域的粗糙度自動化檢測、鐳射槽深寬尺寸、鍍膜臺階高等微納米級別精度的測量。而型號為SuperViewW1-Pro 的光學(xué)3d表面輪廓儀相比 W1增大了測量范圍，可完全覆蓋8英寸及以下晶圓，定制版真空吸附盤，穩(wěn)定固定Wafer；氣浮隔振+殼體分離式設(shè)計，隔離地面震動與噪聲干擾。

對wafer減薄后無圖晶圓粗糙度測量：

封裝制程中對Wafer的切割：

對Die的輪廓分析及蝕刻深度測量：

部分參數(shù)

Z向分辨率：0.1nm
橫向分辨率(0.5λ/NA)：100X~2.5X：0.5um~3.7um
粗糙度RMS重復(fù)性：0.1nm
表面形貌重復(fù)性：0.1nm
臺階測量:重復(fù)性：0.1% 1σ；準(zhǔn)確度：0.75%