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打破內(nèi)存墻,芯動(dòng)科技發(fā)布全球首個(gè)GDDR6X顯存技術(shù)

芯動(dòng)科技Innosilicon ? 2022-05-12 09:53 ? 次閱讀

近日,2022年珠海軟件和集成電路產(chǎn)業(yè)年會(huì)暨數(shù)字經(jīng)濟(jì)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇上,芯動(dòng)科技正式發(fā)布了全球首款GDDR6X高速顯存技術(shù),目前該技術(shù)已支持風(fēng)華4K級(jí)高性能GPU的創(chuàng)新突破和量產(chǎn),還將進(jìn)一步賦能高性能計(jì)算產(chǎn)品,助力全球合作伙伴成功。

此次首發(fā)的GDDR6/6X Combo IP,單個(gè)DQ能達(dá)到21Gbps超高速率,在256位寬度下系統(tǒng)帶寬超過(guò)5Tb/秒,是同位寬DDR4/LPDDR4最高帶寬的5倍,整體帶寬性能直追HBM,成本卻遠(yuǎn)低于HBM,是當(dāng)前最具性?xún)r(jià)比的高帶寬存儲(chǔ)解決方案,能有效促進(jìn)GPU/NPU/DPU等高性能計(jì)算及人工智能產(chǎn)品打破內(nèi)存墻,堪稱(chēng)HPC/Graphics領(lǐng)域大殺器。

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據(jù)介紹,GDDR6X首次在工業(yè)量產(chǎn)產(chǎn)品中使用單端PAM4技術(shù),實(shí)現(xiàn)了更高的數(shù)據(jù)速率,也帶來(lái)更大的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。相比NRZ信號(hào)的PAM2,PAM4技術(shù)可以將信號(hào)的基礎(chǔ)頻率降低一倍,從而大幅減小基礎(chǔ)頻率下的信號(hào)衰減。在串口差分接口技術(shù)中,PAM4已經(jīng)廣泛應(yīng)用于56G/112G高速SerDes;而在DDR單端信號(hào)技術(shù)中,由于更高的串?dāng)_和噪聲控制要求,PAM4過(guò)去一直沒(méi)有真正使用在工業(yè)產(chǎn)品中。在GDDR6X技術(shù)研發(fā)過(guò)程中,為了保證單端PAM4信號(hào)的正確發(fā)送和接收,芯動(dòng)使用了大量高性能IO接口技術(shù)、抗噪聲和信號(hào)均衡恢復(fù)技術(shù)。因此在大幅提升接口數(shù)據(jù)傳輸速率的同時(shí),GDDR6X實(shí)際內(nèi)核頻率甚至可以做到比上一代技術(shù)更低一些。這比業(yè)界常見(jiàn)的串口差分PAM4技術(shù),難不止一個(gè)數(shù)量級(jí)。

值得注意的是,芯動(dòng)科技的GDDR6X IP和GDDR6 IP可以二合一兼容。也就是說(shuō)使用這個(gè)Combo IP的芯片,既可以使用GDDR6的內(nèi)存顆粒也可以使用GDDR6X的內(nèi)存顆粒,這樣客戶(hù)的選擇性和靈活性就會(huì)更高。而且芯動(dòng)科技的GDDR6/6X Combo IP不是設(shè)計(jì)完成階段,也不是流片驗(yàn)證階段,而是已經(jīng)在多個(gè)先進(jìn)FinFet工藝成功量產(chǎn)出貨,是非常成熟且可以保證量產(chǎn)的IP技術(shù),也是芯動(dòng)和美光合作推出的世界首個(gè)硅驗(yàn)證的GDDR6X超帶寬解決方案。美光在官網(wǎng)上盛贊這項(xiàng)技術(shù),“芯動(dòng)基于GDDR6X的PHY芯片使用PAM4信令機(jī)制,進(jìn)一步提高了人工智能應(yīng)用所需的高效率和數(shù)據(jù)速率。雙方的合作展示了GDDR6X的高度實(shí)用性,通過(guò)內(nèi)存改變了人工智能版圖。”

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搭載GDDR6X自主創(chuàng)新技術(shù),芯動(dòng)首個(gè)4K級(jí)高性能GPU“風(fēng)華1號(hào)”實(shí)現(xiàn)了圖形GPU的性能突破,大幅提升現(xiàn)有圖形GPU能力與用戶(hù)體驗(yàn),并成功應(yīng)用于桌面和服務(wù)器領(lǐng)域。從DDR5/4/3到LPDDR5X/5/4以及GDDR6X/6,芯動(dòng)科技也成為了唯一實(shí)現(xiàn)對(duì)DDR系列高帶寬技術(shù)全覆蓋的IP廠商,為全球廣泛的高性能芯片公司提供重要技術(shù)支持,賦能全球合作伙伴產(chǎn)品成功。

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