國芯思辰｜基本半導體碳化硅肖特基二極管B1D10120E替代C4D10120E用于IGBT鉗位，反向電壓1200V
在許多工業設備中通常都會采用IGBT來作為主功率器件，能夠有效的減少開關損耗，提高逆變器的效率，因此為了保護IGBT能夠正常穩定的工作，設計師們會給IGBT做鉗位保護設計。
有工程師在鉗位設計中，考慮到外圍電路問題，打算采用肖特基二極管來實現通過米勒效應，將二極管接到IGBT門級進行鉗位。
本文主要講到基本半導體的碳化硅肖特基二極管B1D10120E，該芯片可替代WOLFSPEED的C4D10120E、英飛凌的IDM10G120C5、ST的STPSC10120、安森美的FFSD10120A，具備極低的反向恢復電流，反向電壓1200V，額定電流為10A，采用TO-252-2L封裝，非常適合高頻電源開關應用。
肖特基二極管在IGBT鉗位中的應用
B1D10120E在IGBT鉗位電路中的優勢：
1.反向電壓1200V，可承受75A浪涌電流，可適用于大功率，大電流場合；
2.自身功率耗散最高可達241W，可延長其壽命周期，具有更高的穩定性；
3.反向恢復時間短，開關頻率高，能夠有效提升整體效率；
4.工作結溫-55℃~175℃，能夠保證惡劣環境下正常工作。
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